 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Бобренко Ю$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| 1. |
Бобренко Ю. Н.
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS [Електронний ресурс] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, Т. В. Семикина, Г. И. Шереметова, Н. В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 69-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_11
Получены исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd0,4Zn0,6S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазон. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd0,4Zn0,6S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры.
| | 2. |
Павелець С. Ю.
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnxCd1 – xS [Електронний ресурс] / С. Ю. Павелець, Ю. М. Бобренко, Т. В. Семікіна, Б. С. Атдаев, Г. Г. Шереметова, М. В. Ярошенко // Український фізичний журнал. - 2019. - Т. 64, № 4. - С. 306-312. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2019_64_4_9
Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.
|
|
|
Простий
Розширений
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
Пам`ятка користувача