Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (4)Автореферати дисертацій (3)Реферативна база даних (41)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Боцула О$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 27
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Прохоров Э. Д. 
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_4_15
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот.
Попередній перегляд:   Завантажити - 260.927 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Прохоров Э. Д. 
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко, И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2012. - Т. 3(17), № 3. - С. 72-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2012_3(17)_3_13
Рассмотрена эффективность генерации диодов с междолинным переносом электронов на основе нитридов (InN, GaN, AlN). Определены напряженности электрического поля, при которых наблюдается максимальная эффективность генерации на основе нитридов, и проведено сравнение с GaAs. Учет сплавного потенциала в соединениях InGaN приводит к улучшению их энергетических характеристик по сравнению с энергетическими характеристиками этих соединений без учета сплавного потенциала, кпдmax In0,8Ga0,2N и In0,5Ga0,5N по сравнению с InN на 30 % выше (22 % по сравнению с 16,43 %), но при более высоких напряженностях электрического поля. Кпдmax нитридов наблюдается при значительно больших напряженностях электрического поля, чем GaAs (от 250 кВ/см для InN до 1000 кВ/см для AlN).Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц.
Попередній перегляд:   Завантажити - 378.179 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Прохоров Э. Д. 
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Радиофизика и электроника. - 2011. - Т. 2(16), № 1. - С. 54-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2011_2(16)_1_11
Рассмотрены импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возникает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) в следствие туннелирования или резонансного туннелирования электронов через боковые грани диода, которую можно использовать для генерации, усиления, умножения. Определены зависимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными и резонансно-туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцевом диапазоне и зависит от его параметров.
Попередній перегляд:   Завантажити - 552.565 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Прохоров Э. Д. 
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Радиофизика и электроника. - 2011. - Т. 2(16), № 3. - С. 91-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2011_2(16)_3_13
Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц.
Попередній перегляд:   Завантажити - 330.626 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Прохоров Э. Д. 
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Радиофизика и электроника. - 2013. - Т. 4(18), № 1. - С. 86-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2013_4(18)_1_16
В настоящее время активно исследуются приборы, которые могут работать в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах. Для освоения данного диапазона используют твердотельные генераторы, работающие на частотах 100 - 150 ГГц, с последующим умножением с помощью умножителей частоты этих относительно низких частот до необходимого уровня (реально, пока, до 1 - 2 ТГц). Предложены полупроводниковые приборы, которые могут применяться как генераторы, усилители. Они представляют собой диоды с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая возникает за счет боковых туннельной или резонансно-туннельной границ (РТГ). В исследовании рассмотрены электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определены зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду.
Попередній перегляд:   Завантажити - 489.527 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Прохоров Э. Д. 
Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Радиофизика и электроника. - 2014. - Т. 5(19), № 3. - С. 71-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2014_5(19)_3_12
Освоение миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов является одной из актуальных задач радиофизики. Однако на сегодняшний день набор активных элементов, способных работать в указанных диапазонах, ограничен. Одним из вариантов такого активного элемента есть предлагаемый прибор - диод с туннельной боковой границей (ТБГ) и туннельным анодом (ТА). Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с ТА и ТБГ на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких частотах, а также оценки частотного предела работы диодов. Исследование показало возможность генерации диодами с ТА и ТБГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц и возможность существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных структур и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации.
Попередній перегляд:   Завантажити - 288.192 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Боцула О. І. 
Використання земель лісогосподарського призначення: проблеми оцінювання [Електронний ресурс] / О. І. Боцула // Збалансоване природокористування. - 2014. - № 4. - С. 130-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zp_2014_4_30
Попередній перегляд:   Завантажити - 504.836 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Боцула О. І. 
Аналіз стану використання земель лісогосподарського призначення [Електронний ресурс] / О. І. Боцула, У. З. Костюк // Збалансоване природокористування. - 2015. - № 1. - С. 77-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zp_2015_1_20
Попередній перегляд:   Завантажити - 143.8 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Прохоров Э. Д. 
Эффективность генерации планарных диодов n+−n−n+ c туннельными границами [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_3_15
Рассмотрены диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с туннельными (ТБГ) или резонансно-туннельными (РТБГ) боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследованы вольтамперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с ТБГ или РТБГ обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонтрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.771 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Боцула О. В. 
Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько // Радиофизика и электроника. - 2015. - Т. 6(20), № 3. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2015_6(20)_3_11
Отмечено, что источники СВЧ-шума в сантиметровом и миллиметровом диапазонах с высоким уровнем спектральной плотности мощности шума имеют целый ряд важных применений, среди которых системы связи, автомобильной локации и радиометрии. Однако, на сегодняшний день выбор эффективных твердотельных генераторов шума на частотах более 40 ГГц ограничен. Одним из вариантов активного элемента для шумовой генерации являются предлагаемые приборы – диоды с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры. В работе исследованы статические, импедансные и шумовые характеристики структур GaAs-AlGaAs и AlGaAs-GaAs, в которых за счет профиля легирования на гетеропереходе формируется статический домен сильного поля. Характеристики рассматриваемых диодов сравниваются с характеристиками аналогичных приборов на основе GaAs. Исследование показало существование в диодах участков с отрицательным сопротивлением на частотах, близких к 50 ГГц, а наилучшими характеристиками, с точки зрения генерации шума в диапазоне частот 25 - 75 ГГц, обладает гетероструктура GaAs-AlGaAs. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных элементов и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации.Зазначено, що джерела НВЧ-шуму в сантиметровому та міліметровому діапазонах з високим рівнем спектральної густини потужності шуму мають низку важливих застосувань, серед яких системи зв'язку, автомобільної локації та радіометрії. Однак, на цей час вибір ефективних твердотільних генераторів шуму на частотах понад 40 ГГц обмежений. Одним із варіантів активного елемента для генерації шуму є запропоновані прилади - діоди з катодним статичним доменом на основі гетероструктури. У роботі досліджено статичні, імпедансні та шумові характеристики структур GaAs-AlGaAs і AlGaAs-GaAs, в яких за рахунок профілю легування на гетеропереході формується статичний домен сильного поля. Характеристики розглядуваних діодів порівнюються з характеристиками аналогічних приладів на основі GaAs. Дослідження показало існування в діодах ділянок з відємним опором на частотах, близьких до 50 ГГц, а найкращі характеристики, з точки зору генерації шуму в діапазоні частот 25 - 75 ГГц, має гетероструктура GaAs-AlGaAs. Результати дослідження дозволили визначити основні властивості запропонованих діодних елементів і є орієнтиром для подальшого детального аналізу фізичних процесів у них та практичної реалізації.The sources of noise in the microwave and mm-cm bands with high noise power spectral density have a number of important applications, including communications, automotive location and radiomeasurement. However, there is not many efficient solid-state generators of noise at frequencies above 40 GHz. The proposed active element for noise generating (heterostructure-based diodes with the cathode static domain) may be one of them. In these paper the static, impedance and noise characteristics of the GaAs-AlGaAs and AlGaAs-GaAs-based structures were investigated. In this structures the static domain of the strong field is formed due to doping profile at the heterojunction. The characteristics of considered diodes are compared to those of similar GaAs-based devices. The existence of regions in diodes with negative resistance at frequencies close to 50 GHz was shown. The GaAs-AlGaAs-based heterostructure has the best performance for a noise generation in the frequency range of 25 - 75 GHz. The main properties of proposed structures are determined and can be used for further detailed analysis of physical processes of the structures and manufacturing.
Попередній перегляд:   Завантажити - 564.514 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Боцула О. І. 
Концептуальні основи еколого-економічної оцінки земель лісогосподарського призначення [Електронний ресурс] / О. І. Боцула // Вісник Сумського національного аграрного університету. Серія : Економіка і менеджмент. - 2016. - Вип. 4. - С. 160-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vsna_ekon_2016_4_35
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.424 Mb    Зміст випуску     Цитування
12.

Боцула О. В. 
Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько, В. А. Зозуля // Радиофизика и электроника. - 2016. - Т. 7(21), № 4. - С. 83-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2016_7(21)_4_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 476.906 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Лицур І. М. 
Передумови підвищення ефективності використання земель лісогосподарського призначення [Електронний ресурс] / І. М. Лицур, О. І. Боцула // Збалансоване природокористування. - 2015. - № 4. - С. 106-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zp_2015_4_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 146.683 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Боцула О. 
Значення земель лісогосподарського призначення в Україні: аналіз проблем використання [Електронний ресурс] / О. Боцула // Економіка природокористування і охорони довкілля. - 2017. - 2017. - С. 166-174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/epod_2017_2017_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 278.08 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Ковалів О. І. 
Обґрунтування сутності лісових екосистем як природних об’єктів права власності Українського народу [Електронний ресурс] / О. І. Ковалів, О. І. Боцула // Збалансоване природокористування. - 2018. - № 1. - С. 22-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zp_2018_1_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 196.261 Kb    Зміст випуску     Цитування
16.

Боцула О. І. 
Сучасні проблеми обліку та використання земель лісогосподарського призначення в Україні [Електронний ресурс] / О. І. Боцула // Бізнес-навігатор. - 2018. - Вип. 3-2. - С. 65-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bnav_2018_3-2_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 223.713 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Боцула О. І. 
Формування екологічного маркетингу в лісовому секторі економіки [Електронний ресурс] / О. І. Боцула, О. Л. Головіна // Бізнес-навігатор. - 2019. - Вип. 3-2. - С. 49-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bnav_2019_3-2_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 321.1 Kb    Зміст випуску     Цитування
18.

Боцула О. І. 
Стратегічні напрями розвитку еколого- економічного управління лісовим господарством [Електронний ресурс] / О. І. Боцула // Економіка природокористування і сталий розвиток. - 2018. - № 3-4. - С. 107-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/epod_2018_3-4_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 583.402 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Хаджай Г. Я. 
Кристалохімічна структура і електрична провідність ВТНП – купратів в умовах варіювання дефектного складу і впливу високоенергетичного опромінення (літературний огляд) [Електронний ресурс] / Г. Я. Хаджай, Ю. В. Литвинов, Р. В. Вовк, Н. М. Завгородня, В. Ю. Гресь, К. А. Котвицька, І. М. Чурсіна, О. В. Боцула, К. Г. Приходько, С. М. Камчатна // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Фізика. - 2019. - Вип. 30. - С. 45-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIF_2019_30_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.532 Mb    Зміст випуску     Цитування
20.

Дребот О. І. 
Концептуальні підходи до збалансованого користування землями лісогосподарського призначення [Електронний ресурс] / О. І. Дребот, О. І. Боцула, М. Я. Височанська // Вісник аграрної науки. - 2019. - № 12. - С. 66-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vaan_2019_12_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 221.716 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського