![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Ваків М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
|
1. |
Винник Д. М. Збудження об’ємних акустичних хвиль зустрічно-штирковим перетворювачем у кристалах [Електронний ресурс] / Д. М. Винник, О. Г. Решотка, Д. Ю. Сугак, М. М. Ваків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 23-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_6
| 2. |
Ваків М. М. Особливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 98-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_18 Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, одержаних із індієвих і вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур <$E 670~-~550~symbol Р roman C>. Встановлено, що за концентрацій Mg 0,07 - 0,12 ат. % у розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70 000 до 92 000 см<^>2/<$E roman {B~cdot~c}>. За концентрацій <$E Mg~symbol Ы~1,1> ат. % в індієвих і за 0,56 ат. % у вісмутових розплавах кристалізуються шари p-InAs.
| 3. |
Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_19 Досліджено технологічні аспекти одержання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, за допомогою методу РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану надає змогу кристалізувати епітаксійні p - i - n структури GaAs з шириною i-області з майже у 2 рази більшою товщиною, ніж за використання технології "вологого водню".
| 4. |
Винник Д. М. Розрахунок електричних параметрів зустрічно-штиркового перетворювача для НВЧ акустичного дефлектора [Електронний ресурс] / Д. М. Винник, О. Г. Решотка, Д. Ю. Сугак, М. М. Ваків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2014. - № 798. - С. 17-22. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2014_798_5 Наведено методику визначення електричних параметрів перетворювача з використанням зустрічно-штиркових перетворювачів, які використовуються для збудження об'ємних акустичних хвиль з поверхні п'єзоелектричного кристала LiNbO3. Розрахунок погонних індуктивностей та ємностей проводиться на підставі вимірів за допомогою векторного аналізатора реактивного опору та діаграм Сміта відповідно. Методика надає можливість розраховувати електричні параметри перетворювачів для збудження об'ємних акустичних хвиль з поверхні кристала LiNbO3 для зустрічно-штиркових перетворювачів, що працюватимуть у діапазоні робочих частот до 2 ГГц.
| 5. |
Ваків М. М. Післярадіаційні деґрадаційно-релаксаційні перетворення в халькогенідних склоподібних напівпровідниках: феноменологія кінетики та можливі мікроструктурні механізми [Електронний ресурс] / М. М. Ваків // Журнал фізичних досліджень. - 2009. - Т. 13, Число 1. - С. 1602-1 - 1602-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2009_13_1_6
| 6. |
Болеста І. М. Плазмонне поглинання наночастинок срібла на поверхні LiNbO3 [Електронний ресурс] / І. М. Болеста, М. М. Ваків, В. Г. Гайдучок, І. І. Колич, О. О. Кушнір, І. М. Ровецький, Ю. М. Фургала // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 1. - С. 39-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_1_7 Досліджено морфологію та оптичні спектри наночастинок срібла, напилених на підкладки ніобату літію. Встановлено, що в області масових товщин (від 0,5 до 3 нм) на поверхні LiNbO3 плівки срібла формують наночастинки у формі сплюснутих сфероїдів (дисків) із радіусом ~ 7 нм і висотою ~ 1,2 нм. У спектрах поглинання спостерігається смуга з максимумом в області 520 - 640 нм, яка пов'язується зі збудженням плазмонної моди наносфероїда. Встановлено, що максимум смуги плазмонного резонансу (ПР) залежить від знака заряду поверхні ніобату літію та дорівнюють 564 нм для позитивно та 587 нм для негативно заряджених поверхонь. Запропоновано механізм залежності положення максимуму поверхневого ПР від знака заряду поверхні.
| 7. |
Ваків М. М. НВП "Електрон-Карат" — 45 років успіху [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, І. М. Сиворотка, А. М. Булат // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2017. - № 4-5. - С. 61-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2017_4-5_11
| 8. |
Ваків М. Р. Питання галицьких євреїв-мігрантів в угорській історіографії кінця ХІХ - початку ХХ століть [Електронний ресурс] / М. Р. Ваків // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Історія. - 2014. - Вип. 1. - С. 135-146. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuuist_2014_1_23
| 9. |
Ваків М. М. До 50-річчя Науково-виробничого підприємства "Електрон-Карат" [Електронний ресурс] / М. М. Ваків // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2022. - № 4-6. - С. 65-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2022_4-6_12
|
|
|