Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Автореферати дисертацій (2)Реферативна база даних (16)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Ваків М$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Винник Д. М. 
Збудження об’ємних акустичних хвиль зустрічно-штирковим перетворювачем у кристалах [Електронний ресурс] / Д. М. Винник, О. Г. Решотка, Д. Ю. Сугак, М. М. Ваків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 23-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 218.551 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Ваків М. М. 
Особливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 98-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_18
Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, одержаних із індієвих і вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур <$E 670~-~550~symbol Р roman C>. Встановлено, що за концентрацій Mg 0,07 - 0,12 ат. % у розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70 000 до 92 000 см<^>2/<$E roman {B~cdot~c}>. За концентрацій <$E Mg~symbol Ы~1,1> ат. % в індієвих і за 0,56 ат. % у вісмутових розплавах кристалізуються шари p-InAs.
Попередній перегляд:   Завантажити - 252.505 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Ваків М. М. 
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_19
Досліджено технологічні аспекти одержання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, за допомогою методу РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану надає змогу кристалізувати епітаксійні p - i - n структури GaAs з шириною i-області з майже у 2 рази більшою товщиною, ніж за використання технології "вологого водню".
Попередній перегляд:   Завантажити - 241.645 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Винник Д. М. 
Розрахунок електричних параметрів зустрічно-штиркового перетворювача для НВЧ акустичного дефлектора [Електронний ресурс] / Д. М. Винник, О. Г. Решотка, Д. Ю. Сугак, М. М. Ваків // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2014. - № 798. - С. 17-22. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2014_798_5
Наведено методику визначення електричних параметрів перетворювача з використанням зустрічно-штиркових перетворювачів, які використовуються для збудження об'ємних акустичних хвиль з поверхні п'єзоелектричного кристала LiNbO3. Розрахунок погонних індуктивностей та ємностей проводиться на підставі вимірів за допомогою векторного аналізатора реактивного опору та діаграм Сміта відповідно. Методика надає можливість розраховувати електричні параметри перетворювачів для збудження об'ємних акустичних хвиль з поверхні кристала LiNbO3 для зустрічно-штиркових перетворювачів, що працюватимуть у діапазоні робочих частот до 2 ГГц.
Попередній перегляд:   Завантажити - 462.125 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Ваків М. М. 
Післярадіаційні деґрадаційно-релаксаційні перетворення в халькогенідних склоподібних напівпровідниках: феноменологія кінетики та можливі мікроструктурні механізми [Електронний ресурс] / М. М. Ваків // Журнал фізичних досліджень. - 2009. - Т. 13, Число 1. - С. 1602-1 - 1602-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2009_13_1_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 274.892 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Болеста І. М. 
Плазмонне поглинання наночастинок срібла на поверхні LiNbO3 [Електронний ресурс] / І. М. Болеста, М. М. Ваків, В. Г. Гайдучок, І. І. Колич, О. О. Кушнір, І. М. Ровецький, Ю. М. Фургала // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 1. - С. 39-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_1_7
Досліджено морфологію та оптичні спектри наночастинок срібла, напилених на підкладки ніобату літію. Встановлено, що в області масових товщин (від 0,5 до 3 нм) на поверхні LiNbO3 плівки срібла формують наночастинки у формі сплюснутих сфероїдів (дисків) із радіусом ~ 7 нм і висотою ~ 1,2 нм. У спектрах поглинання спостерігається смуга з максимумом в області 520 - 640 нм, яка пов'язується зі збудженням плазмонної моди наносфероїда. Встановлено, що максимум смуги плазмонного резонансу (ПР) залежить від знака заряду поверхні ніобату літію та дорівнюють 564 нм для позитивно та 587 нм для негативно заряджених поверхонь. Запропоновано механізм залежності положення максимуму поверхневого ПР від знака заряду поверхні.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.028 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Ваків М. М. 
НВП "Електрон-Карат" — 45 років успіху [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, І. М. Сиворотка, А. М. Булат // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2017. - № 4-5. - С. 61-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2017_4-5_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.118 Mb    Зміст випуску     Цитування
8.

Ваків М. Р. 
Питання галицьких євреїв-мігрантів в угорській історіографії кінця ХІХ - початку ХХ століть [Електронний ресурс] / М. Р. Ваків // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Історія. - 2014. - Вип. 1. - С. 135-146. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuuist_2014_1_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 343.66 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Ваків М. М. 
До 50-річчя Науково-виробничого підприємства "Електрон-Карат" [Електронний ресурс] / М. М. Ваків // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2022. - № 4-6. - С. 65-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2022_4-6_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.674 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського