Пошуковий запит: (<.>A=Гололобов Ю$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
1. |
Гололобов Ю. П. Вплив оптичного опромінення на температурні зміни структури кристалів пруститу [Електронний ресурс] / Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий, Г. Л. Ісаєнко, А. В. Сальнік // Вісник [Національного транспортного університету]. - 2014. - № 29(1). - С. 56-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2014_29(1)__9
|
2. |
Боровий М. О. Електропровідність на постійному струмі політипів кристалів TlInS2 [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Ю. П. Гололобов, Г. Л. Ісаєнко, А. Б. Надточій, А. В. Ніколаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2017. - № 1. - С. 26-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2017_1_6
|
3. |
Боровий М. О. Виникнення та трансформація нерозмірно модульованої структури в політипах напівпровідників TlInS2 [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Ю. П. Гололобов, Г. Л. Ісаєнко, А. В. Ніколаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2016. - № 1. - С. 60-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2016_1_10
|
4. |
Боровий М. О. Особливості теплового розширення політипів кристалів TlInS2 в інтервалі температур Т=180 – 300 К [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Ю. П. Гололобов, Г. Л. Ісаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2018. - № 1. - С. 53-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2018_1_8
|
5. |
Ніколаєнко А. В. Електропровідність С та 2С-політипів сегнетоелектрика TlInS2 в діапазоні температур 100К–300К [Електронний ресурс] / А. В. Ніколаєнко, А. Б. Надточій, Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2016. - Вип. 3. - С. 151-154. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2016_3_30
|
6. |
Ніколаєнко А. В. Рентгенівська дилатометрія С та 2С політипів сегнетоелектрика TlInS2 в діапазоні температур 180 К - 300 К [Електронний ресурс] / А. В. Ніколаєнко, Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2017. - Вип. 1. - С. 133-136. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2017_1_25
|
7. |
Гололобов Ю. П. Особливості змін параметрів структури напівпровідника Ag3AsS3 [Електронний ресурс] / Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий, А. В. Ніколаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2020. - № 1. - С. 73-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2020_1_10
|