Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Реферативна база даних (13) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Карпина В$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Євтушенко А .І. Фізичні принципи росту товстих структурно досконалих плівок ZnO при магнетронному розпиленні [Електронний ресурс] / А .І. Євтушенко, В. Й. Лазоренко, Г. В. Лашкарьов, В. А. Карпина, В. А. Батурин, А. Ю. Карпенко, Л. М. Удовенко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 325-331. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_10 Запропоновано новий принцип росту плівок ZnO контрольованої товщини з використанням методу магнетронного розпилення. Досліджено структуру та фотолюмінесцентні властивості плівок, вирощених на сапфірових, кремнієвих і скляних підкладках. Продемонстровано, що всі плівки, осаджені з використанням запропонованої процедури на різні типи підкладок, є структурно досконалими та високотекстурованими та володіють високою інтенсивністю ультрафіолетової люмінесценції. | ||
| 2. | 
Лашкарев Г. В. Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, И. И. Штеплюк, А. И. Евтушенко, О. Ю. Хижун, В. В. Картузов, Л. И. Овсянникова, В. А. Карпина, Д. В. Миронюк, В. В. Хомяк, В. Н. Ткач // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 169-184. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_11 Рассмотрены свойства материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективных для применений в оптоэлектронике, наноплазмонике и фотовольтаике. Изучены структурные и оптические свойства пленок твердых растворов (ТР) Zn1-xCdxO с различным содержанием кадмия, полученных методом магнетронного распыления на сапфировых подложках. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции выявили присутствие пиков, связанных с процессами излучательной рекомбинации в областях пленки с различным содержанием кадмия. Рентгенофазовый анализ обнаружил в пленках наличие фазы кубического оксида кадмия. Теоретическое исследование термодинамических свойств ТР позволило качественно интерпретировать наблюдаемые экспериментальные явления. Установлено, что рост пленки гомогенного ТР возможен только при высоких температурах, а область негомогенных составов может быть сужена вследствие упругой деформации, вызванной несоответствием периодов решеток пленка - подложка. Выявлены движущие силы спинодального распада системы Zn1-xCdxO. Фуллереноподобные кластеры Znn-xCdxOn использованы для расчета ширины запрещенной зоны и энергии когезии ТР ZnCdO. Рассмотрены свойства прозрачных электропроводных пленок ZnO, легированных донорными примесями III группы (Al, Ga, In). Показано, что за центры ловушек для дырок в процессах фотопроводимости в оксиде цинка отвечают вакансии кислорода. Рассмотрены особенности фотолюминесценции нанокомпозитных систем металл - ZnO, обусловленные поверхностными плазмонами. | ||
| 3. |
Лашкарев Г. В. Свойства оксида цинка при низких и средних температурах [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, В. А. Карпина, В. И. Лазоренко, А. И. Евтушенко, И. И. Штеплюк, В. Д. Храновский // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 3. - С. 289-300. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_3_10 Рассмотрены свойства оксида цинка как аналога нитрида галлия в широком диапазоне температур и области его перспективных применений. Отмечены экономические и экологические преимущества, а также радиационная стойкость ZnO по сравнению с нитридами III группы. Предложены способы выращивания пленок и наноструктур с высоким совершенством кристаллической структуры. В частности, реализован магнетронный метод послойного роста пленок, позволяющий достичь их высокого структурного совершенства и значительных толщин, недоступных для некоторых других методов. Показана возможность получения монохроматического УФ излучения при возбуждении пленок коротковолновым излучением и электронами, что дает возможность использовать их в источниках коротковолнового излучения. Продемонстрирована эффективная полевая эмиссия наноструктур и пленок ZnO, открывающая перспективу их применения в устройствах вакуумной микроэлектроники. На основе пленок ZnO, легированных азотом, изготовлен, в частности, фототранзистор, позволяющий увеличить фоточувствительность на два порядка по сравнению с обычными детекторами. Рассмотрены физические основы создания светодиодов разного цвета свечения на основе пленок оксида цинка и его твердых растворов с CdO. Отмечена важность исследований физики и технологии приборов на основе оксида цинка. | ||
| 4. |
Лашкарев Г. В. Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, В. А. Карпина, Л. И. Овсянникова, В. В. Картузов, Н. В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В. B. Хомяк, Л. И. Петросян // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 643-648. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_18 Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77 - 300 K, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1 - 7 ат. % алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения. | ||
| 5. | 
Попович В. І. Вплив тиску аргону в камері осадження на властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, вирощених методом пошарового осадження при магнетронному розпиленні [Електронний ресурс] / В. І. Попович, А. І. Євтушенко, О. С. Литвин, В. Р. Романюк, В. М. Ткач, В. А. Батурин, О. Є. Карпенко, М. В. Дранчук, Л. О. Клочков, М. Г. Душейко, В. А. Карпина, Г. В. Лашкарьов // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 4. - С. 334-339. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_4_7 Плівки ZnO:Al осаджено на кремнієві та скляні підкладки за допомогою методу пошарового осадження в високочастотному магнетронному розпиленні за зміни тиску аргону в камері осадження від 0,5 до 2 Па. Досліджено вплив тиску аргону в камері осадження на структуру, оптичні та електричні властивості плівок ZnO:Al. Встановлено, що збільшення тиску аргону призводить до зниження рухливості електронів у прозорих провідних плівках ZnO:Al та погіршення їх провідних властивостей за рахунок розсіяння на межах зерен. Показано, що збільшення поглинання вільними носіями зі збільшенням тиску аргону призводить до зниження прозорості плівок ZnO:Al у видимій області спектра випромінювання. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |