Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Журнали та продовжувані видання (1)Реферативна база даних (17)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Круковський С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Ваків М. М. 
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_19
Досліджено технологічні аспекти одержання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, за допомогою методу РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану надає змогу кристалізувати епітаксійні p - i - n структури GaAs з шириною i-області з майже у 2 рази більшою товщиною, ніж за використання технології "вологого водню".
Попередній перегляд:   Завантажити - 241.645 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Сизов Ф. Ф. 
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs [Електронний ресурс] / Ф. Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. І. Круковський, В. Я. Опилат, І. В. Петренко, Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2009. - № 5. - С. 87-93. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2009_5_16
Досліджено вплив швидких нейтронів на зразки світловипромінювальних діодних структур <$E n sup + -n-p-{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}> (<$E x~=~0,27~symbol Ш~0,31>). Вольт-амперні характеристики виміряно в інтервалі температур 77 - 300 K до та після опромінення нейтронами з флюенсом <$E (10 sup 14~-~5~cdot~10 sup 16 )> см<^>-2. Установлено, що відбувається радіаційно стимульоване зростання прямого струму діодів внаслідок зменшення концентрації основних носіїв заряду та часу життя неосновних носіїв заряду. Причиною зміни параметрів є радіаційне введення пасток.
Попередній перегляд:   Завантажити - 422.689 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Круковський С. І. 
Властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів [Електронний ресурс] / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 74-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 202.834 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Круковський С. І. 
Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP [Електронний ресурс] / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 1097-1101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_44
За допомогою методу рідинно-фазової епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p<^>+-InP/n-InGaAsP/n-InP і встановлено взаємозв'язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p - n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77 - 378 K і встановлено, що за температур 77 - 250 K реалізуються тунельні струми у випадку прямих і зворотних напруг зміщення. За температур T більше 290 K переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих в процесі вирощування гетеропереходів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 163.062 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Круковський С. І. 
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp [Електронний ресурс] / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2012. - Вып. 47. - С. 64-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2012_47_8
Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p<^>+-InP/n-InGaAsP/n-InP методом рідинно-фазної епітаксії на їх фотоелектричні властивості. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p<^>+-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлює реалізацію ефекту "широкозонного вікна" на спектрах фоточутливості гетеропереходів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереходів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з <$E lambda sub max~=~1,06> мкм.
Попередній перегляд:   Завантажити - 225.886 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського