Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (11) | Реферативна база даних (26) | Авторитетний файл імен осіб (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Кідалов В$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Дяденчук А. Ф. Низькорозмірні структури GaN [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04043-1-04043-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_45 Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs, одержані за методом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з подальшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. Під час осадження на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфологію поверхні за допомогою методу скануючої електронної спектроскопії. | ||
| 2. |
Хрипко С. Л. Сонячні батареї створенні на основі низько-розмірних нанокомпозитних структур [Електронний ресурс] / С. Л. Хрипко, В. В. Кідалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04071-1-04071-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(2)__22 | ||
| 3. | 
Дяденчук А. Ф. Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - Т. 9, № 1. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2018_9_1_6 Одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. | ||
| 4. | 
Дяденчук А. Ф. Нанотрубки оксиду цинку, отримані методом радикало-променевої епітаксії на поруватій поверхні селеніду цинку [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія : Технічні науки. - 2018. - Т. 29(68), № 1(3). - С. 214-218. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2018_29_1(3)__40 | ||
| 5. |
Дяденчук А. Ф. Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2020. - Т. 11, № 3. - С. 405-410. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2020_11_3_12 Методом золь-гель із наступним центрифугуванням одержано плівки ZnO:Al на поруватих підкладинках Si (1 1 1). Розглянуто вплив температури відпалу та кількості нанесення і сушіння шарів золю на шорсткість поверхні, структурну стійкість плівки ZnO:Al, усадку й ущільнення плівки, фізичну стабільність і відшаровування. Розмір пор підкладинки становить 500 нм. Глибина поруватого шару 6 мкм. Прекурсор містить 0,3 М ацетат цинку Zn(CH | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |