Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (29)Журнали та продовжувані видання (1)Автореферати дисертацій (2)Реферативна база даних (49)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Левицький С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 26
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Левицький С. М. 
Комп’ютерна модель системи автоматичного керування трансформаторами з інтелектуальним регулятором [Електронний ресурс] / С. М. Левицький, К. І. Колмачов // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2013. - № 3. - С. 46-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vvpi_2013_3_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 722.483 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Левицький С. М. 
Математична модель системи діагностування гальмівних кіл перетворювачів частотних електроприводів [Електронний ресурс] / С. М. Левицький, А. А. Бартецький // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2013. - № 4. - С. 79-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vvpi_2013_4_18
Запропоновано математичну модель системи для технічного діагностування силових модулів перетворювачів частоти з автономним інвертором напруги, в якій діагностична функція є композицією станів транзисторних модулів та саппресорів.Запропоновано математичну модель системи діагностування гальмівних кіл перетворювачів частотних електроприводів, яка враховує похідну напруги на конденсаторі фільтра і дозволяє проводити діагностування гальмівного кола під час роботи електропривода.
Попередній перегляд:   Завантажити - 689.438 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Грабко В. В. 
Віртуальний лабораторний комплекс для дослідження перетворювача частоти altivar 71 по ethernet [Електронний ресурс] / В. В. Грабко, М. П. Розводюк, С. М. Левицький // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2014. - № 1. - С. 77-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vott_2014_1_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 964.472 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Генцарь П. О. 
Оптичні дослідження високоомних монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd1-xZnxTe [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, В. А. Гнатюк, М. С. Заяць, О. М. Стрільчук, Ю. М. Насєка // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 874-878. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_6
Досліджено оптичні властивості (спектри пропускання в діапазоні 800 - 1100 нм, спектри пропускання та відбивання в діапазоні 1,4 - 25 мкм і спектри фотолюмінесценції за температури T = 5 K в енергетичному діапазоні 1,35 - 1,7 еВ) високоомних монокристалів CdTe орієнтації (111) з питомим опором <$E rho~=~(2~symbol Ш~5)~10 sup 9> Oм <$E cdot> cм, легованих хлором, так і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) з питомим опором <$E rho~=~5~cdot~10 sup 9~-~3~cdot~10 sup 10> Ом <$E cdot> см. Визначено, що фундаментальний оптичний перехід <$E E sub 0> для CdTe за температури 300 K дорівнює 1,44 і 1,5 еВ для Cd1-xZnxTe, а температурний коефіцієнт зміни ширини забороненої зони <$E dE sub g "/" dT> рівний <$E 5,32~cdot~10 sup -4> еВ/К для CdTe та <$E 5,2~cdot~10 sup -4> еВ/К для Cd1-xZnxTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 225.808 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Генцарь П. О. 
Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів Ge1-хSix [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, І. Б. Янчук, С. Р. Лаворик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 303-305. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_15
Проведено оптичні дослідження (спектри відбивання та пропускання) твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) до та після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46,6 до 163,5 мДж/см<^>2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу даного матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення.Виміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs(100); твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) у діапазоні (0,2 - 1,7) x 10<^>-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі <$E lambda~=~532> нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру та володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки.Виміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs(100); твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) у діапазоні (0,2 - 1,7) x 10<^>-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі <$E lambda~=~532> нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру та володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 145.206 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Генцарь П. О. 
Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, В. А. Гнатюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 856-861. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_30
Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) і CdTe(111) у діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub nu~=~n sub nu~+~i chi sub nu>). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe за лазерного опромінення.Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом-см (за кімнатної температури) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбивальної здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub v~=~n sub v~+~i chi sub v>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 176.069 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Левицький С. М. 
Синтез структури пристрою для управління вакуумними перемикачами відгалужень силових трансформаторів [Електронний ресурс] / С. М. Левицький // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 4. - С. 51-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_4_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 323.252 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Левицький С. М. 
Система керування багаторівневим інвертором сонячної електричної станції [Електронний ресурс] / С. М. Левицький // Електротехніка і електромеханіка. - 2015. - № 5. - С. 55-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/elem_2015_5_9
Розроблено закон керування та структуру мережевого багаторівневого інвертора сонячної електростанції, який дозволяє утримувати режим роботи сонячного модуля в області точки відбору максимальної потужності і збільшити продуктивність сонячного модуля. Запропоновано вдосконалену модель регулятора поздовжньої складової струму інвертора, яка враховує рівень споживання реактивної потужності з вузла мережі, поточну напругу мережі та напругу сонячного модуля і дозволяє оптимізувати роботу інвертора як з боку сонячного модуля, так і з боку мережі за напругою. Запропоновано вдосконалену модель регулятора поперечної складової струму інвертора, яка враховує відношення спожитої активної потужності з вузла мережі до поточної потужності сонячного модуля і дозволяє оптимізувати роботу інвертора за навантаженням та частотою. Розглянуто приклад реалізації системи керування інвертором із запропонованими моделями на базі високопродуктивного мікроконтролера.
Попередній перегляд:   Завантажити - 324.507 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Грабко В. В. 
Застосування логіко-часових функцій у задачі діагностування гальмівних кіл перетворювачів частотно-керованих асинхронних електроприводів [Електронний ресурс] / В. В. Грабко, С. М. Левицький, А. А. Бартецький // Електромеханічні і енергозберігаючі системи. - 2016. - Вип. 1. - С. 25-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/emezs_2016_1_5
Запропоновано математичну модель діагностування гальмівних кіл частотно-керованих асинхронних електроприводів із великим часом гальмування. Застосування моделі, що реалізована з використанням логіко-часових функцій, дозволяє визначати ступінь наближення стану гальмівного кола до аварійного. Розв'язання даної задачі полягає у формуванні необхідної кількості зразкових логіко-часових функцій, розкладанні діагностичних ознак поточних вимірюваних сигналів у квазічасовий ряд із подальшим порівнянням зі зразковими логіко-часовими функціями. У результаті почергового додавання за модулем два логіко-часової функції, яка відображає поточний стан гальмівного кола перетворювача частотно-керованого асинхронного електропривода, та зразкових логіко-часових функцій, які характеризують певні пошкодження гальмівного кола, отримуємо логіко-часову функцію, відрізок існування якої є найменшим, що пропонується приймати як діагностичний результат. Цей результат свідчить про ступінь наближення гальмівного кола до стану, що характеризує певний вид пошкодження. Запропоновану математичну модель можна реалізувати як на схемотехнічному рівні, так і засобами програмованої логіки. Також запропонована математична модель із застосуванням логіко-часових функцій може бути узагальнена для діагностування складних об'єктів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 629.489 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Левицький С. М. 
Система керування мережевим багаторівневим інвертором напруги [Електронний ресурс] / С. М. Левицький, В. С. Бомбик // Електромеханічні і енергозберігаючі системи. - 2016. - Вип. 1. - С. 75-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/emezs_2016_1_11
Синтезовано закон керування мережевим багаторівневим інвертором сонячного модуля, який дозволяє утримувати режим роботи сонячного модуля в області точки відбору максимальної потужності, що збільшує його продуктивність. Запропоновано вдосконалену модель регулятора поздовжньої складової струму інвертора, яка враховує поточну та задану напругу мережі й напругу сонячного модуля, що дозволяє оптимізувати роботу інвертора як зі сторони сонячного модуля, так і з боку мережі за напругою. Запропоновано вдосконалену модель регулятора поперечної складової струму інвертора, що враховує задане значення активної потужності з вузла мережі та задане значення поперечної складової струму, яка необхідна для роботи інвертора в області точки відбору максимальної потужності, що дозволяє оптимізувати роботу інвертора за частотою.
Попередній перегляд:   Завантажити - 345.563 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Руденська В. В. 
Моделі інформаційної підтримки процесів інтеграції у металургійній галузі [Електронний ресурс] / В. В. Руденська, С. І. Левицький, Д. П. Михайлик // Часопис економічних реформ. - 2016. - № 4. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Cher_2016_4_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 510.216 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Грабко В. В. 
Вейвлет діагностування гальмівних кіл перетворювачів частотно-керованих асинхронних електроприводів [Електронний ресурс] / В. В. Грабко, С. М. Левицький, А. А. Бартецький // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2015. - Вип. 1(1). - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2015_1(1)__3
Попередній перегляд:   Завантажити - 315.342 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Велещук В. П. 
Залежність порога плавлення CdTe від тривалості імпульсу та довжини хвилі випромінювання лазера і параметрів нерівноважних носіїв заряду [Електронний ресурс] / В. П. Велещук, О. І. Власенко, З. К. Власенко, В. А. Гнатюк, С. М. Левицький // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 2. - С. 159-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_2_12
Розраховано поріг плавлення CdTe залежно від довжини хвилі випромінювання <$E I sub roman th ( lambda )> і тривалості лазерного імпульсу <$E I sub roman th ( tau sub roman p )> з урахуванням параметрів нерівноважних носіїв заряду (ННЗ). У процесі наносекундного лазерного опромінення CdTe в області фундаментального поглинання враховано 3 компоненти енергії, що виділяється у процесі термалізації збуджених носіїв - відразу після збудження, за безвипромінювальної об'ємної та безвипромінювальної поверхневій рекомбінації, які в сукупності визначають глибину проникнення тепла у кристал і відповідно поріг плавлення. Показано, що поріг плавлення змінюється від 2,6 до 4,75 МВт/см<^>2 у разі зростання <$E lambda> від 300 нм до 800 нм за <$E tau sub roman p~=~20> нс. Виявлено, що зміна параметрів ННЗ - швидкості поверхневої рекомбінації, часу життя, глибини дифузії може змінити поріг плавлення CdTe принаймні на 30 відсотків.
Попередній перегляд:   Завантажити - 776.713 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Шевченко Е. А. 
Моделювання фінансової стійкості інтегрованих структур при злиттях та поглинаннях [Електронний ресурс] / Е. А. Шевченко, Д. П. Михайлик, С. І. Левицький // Часопис економічних реформ. - 2017. - № 2. - С. 38-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Cher_2017_2_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 450.529 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Генцарь П. О. 
Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_11_6
Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) і CdTe(111) у діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub nu~=~n sub nu~+~i chi sub nu>). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe за лазерного опромінення.Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом-см (за кімнатної температури) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбивальної здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub v~=~n sub v~+~i chi sub v>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 475.808 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Кутєпов М. Ю. 
Люстрація як засіб запобігання корупції [Електронний ресурс] / М. Ю. Кутєпов, С. А. Левицький // Молодий вчений. - 2018. - № 1(2). - С. 654-659. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/molv_2018_1(2)__24
Попередній перегляд:   Завантажити - 173.43 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Генцарь П. О. 
Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, С. М. Левицький // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2016. - Т. 7, № 2. - С. 186-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2016_7_2_9
Надано результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за такої лазерної обробки. Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si у процесі лазерного опромінення. Проведено оптичні дослідження (спектри відбиття та пропускання) твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) до та після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46,6 - 163,5 мДж/см<^>2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу цього матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 651.337 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Левицький С. М. 
Мікропроцесорний пристрій системи керування мережевим багаторівневим інвертором напруги [Електронний ресурс] / С. М. Левицький, В. С. Бомбик // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2016. - № 3. - С. 70-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vott_2016_3_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 543.304 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Левицький С. М. 
Автоматизація збору даних з електромеханічних комп'ютеризованих систем для офісних додатків Microsoft [Електронний ресурс] / С. М. Левицький, М. П. Розводюк // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2016. - № 2. - С. 104-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vott_2016_2_18
Попередній перегляд:   Завантажити - 984.936 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Грабко В. В. 
Комп’ютерна модель системи керування мережевим багаторівневим інвертором напруги [Електронний ресурс] / В. В. Грабко, С. М. Левицький, В. С. Бомбик // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2016. - № 2. - С. 230-237. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vott_2016_2_41
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.311 Mb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського