Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (3)

Журнали та продовжувані видання (1)

Реферативна база даних (11)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Луцишин І$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10
1.	Сукач А. В. Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe [Електронний ресурс] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. І. Ткачук, А. Т. Ворощенко, М. Ю. Кравецький, І. Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 130-135. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_14 Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвіч-структури р<^>+-PbTe/p-CdTe/p<^>+-PbTe на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTe на гетеромежі p<^>+-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар'єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал - p<^>+-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p<^>+-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар'єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенціального бар'єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури. Попередній перегляд: Завантажити - 204.366 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Сукач А. В. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів [Електронний ресурс] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мазарчук, М. М. Кролевець, В. І. Лук’яненко, І. Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 109-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_13 Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p - n-переходів, виготовлених за допомогою дифузійного методу. З'ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p - n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачі на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на вольтамперні характеристики переходів. Показано, що темновий струм в p - n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160 - 298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінації носіїв в області просторового заряду, а за температур менших ніж 160 К - тунелюванням за участю дислокацій. Попередній перегляд: Завантажити - 490.309 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Сукач А. В. Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах [Електронний ресурс] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. Т. Ворощенко, М. Ю. Кравецький, В. І. Лук’яненко, І. Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 111-118. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_16 Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p - n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162 - 291 К і за напруг зворотного зміщення <$E symbol Г~0,4> В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т << 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p - n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати. Попередній перегляд: Завантажити - 224.208 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Луцишин І. Тип нудьгуючого інтелігента в романній творчості Володимира Винниченка 1910-х років [Електронний ресурс] / І. Луцишин // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Філологічні науки. Літературознавство. - 2013. - № 3. - С. 83-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnufll_2013_3_21 Розглянуто характерну особливість ранніх романів В. Винниченка - змалювання непересічних характерів українських інтелігентів зламу століть та проблеми їх буттєвої парадигми. На прикладах із романів "Чесність з собою", "Рівновага", "Заповіт батьків", "Хочу!" і "Записки Кирпатого Мефістофеля" проаналізовано онтологію екзистенціалів нудьги і тривоги та їх внутрішньої взаємодії. На основі цього змодельовано тип "нудьгуючого інтелігента" в літературному дискурсі українського модернізму. Попередній перегляд: Завантажити - 308.803 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Луцишин І. Нараторіальна точка зору в повісті Володимира Винниченка "На той бік" [Електронний ресурс] / І. Луцишин // Наукові записки Тернопільського національного педагогічного університету імені Володимира Гнатюка. Серія : Літературознавство. - 2012. - № 35. - С. 127-135. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/NZTNPUl_2012_35_12 Попередній перегляд: Завантажити - 531.825 Kb Зміст випуску Цитування
6.	Луцишин І. Екзистенціал тривоги в дискурсі роману "Заповіт батьків" Володимира Винниченка [Електронний ресурс] / І. Луцишин // Наукові записки Тернопільського національного педагогічного університету імені Володимира Гнатюка. Серія : Літературознавство. - 2012. - № 36. - С. 163-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/NZTNPUl_2012_36_41 Попередній перегляд: Завантажити - 596.91 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Луцишин І. Екзистенційно-релігійна діалектика автора і героя в поезії Тараса Шевченка періоду заслання [Електронний ресурс] / І. Луцишин // Наукові записки Тернопільського національного педагогічного університету імені Володимира Гнатюка. Серія : Літературознавство. - 2014. - № 40. - С. 126-135. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/NZTNPUl_2014_40_15 Попередній перегляд: Завантажити - 624.715 Kb Зміст випуску Цитування
8.	Луцишин І. Концепт екзистенційної тривоги в романі Володимира Винниченка "Рівновага" [Електронний ресурс] / І. Луцишин // Наукові записки Тернопільського національного педагогічного університету імені Володимира Гнатюка. Серія : Літературознавство. - 2013. - № 38. - С. 120-131. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/NZTNPUl_2013_38_13 Попередній перегляд: Завантажити - 556.047 Kb Зміст випуску Цитування
9.	Маслов В. П. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів [Електронний ресурс] / В. П. Маслов, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, М. Ю. Кравецький, Н. В. Качур, Є. Ф. Венгер, А. Т. Ворощенко, І. Г. Луцишин, І. М. Матіюк, А. В. Федоренко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 188-198. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_13 Розроблено технологічні режими виготовлення фоточутливих Ge p-i-n переходів одночасною дифузією акцепторних домішок Zn та In двотемпературним способом у підкладки n-Ge з питомим опором 15 <$E roman {Ом~cdot~см}> в закритій системі при температурі дифузії ~ 700 <$E symbol Р>C. Виготовлено p-i-n переходи з глибиною залягання ~ 2 мкм. Для зменшення контактного шуму виготовлялись структури p<^>+-p- та n<^>+-n-типу. Для пасивації та захисту поверхні мезаструктурних p-i-n-переходів використовувались тонкі полікристалічні плівки ZnSe кубічної модифікації. Вибір ZnSe як пасивуючого та захисного покриття пояснюється високим питомим опором полікристалічних плівок, хорошою узгодженістю постійних граток та коефіцієнтів термічного розширення контактуючих матеріалів. Наведено технологічні режими нанесення плівок ZnSe та з'ясовано вплив вакуумно-термічної обробки Ge переходів на мінімізацію поверхневих станів гетеромежі ZnSe/Ge, а також стабільність такого пасивуючого і захисного покриття. Встановлено основні механізми транспорту носіїв заряду в інтервалі температур 227 - 316 K, який відповідає зміні кліматичних умов експлуатації далекоміра. Показано, що у дослідженому інтервалі температур при прямих та зворотних зміщеннях темновий струм переходів визначається дифузійним та генераційно-рекомбінаційним механізмом переносу заряду з переважаючим вкладом дифузійної компоненти. Визначенo основні параметри ВАХ (коефіцієнт неідеальності, темновий струм при нульовому зміщенні, послідовний опір переходу), що дозволяє прогнозувати закономірності транспорту носіїв заряду при інших температурах. З'ясовано вплив i-області на прямі ВАХ переходів. Наведено закономірності спектральної залежності ампер-ватної чутливості дифузійних Ge фотодіодів в умовах обмеження фонового випромінювання з кремнієвим оптичним фільтром, вмонтованим у корпус фотодіода, та атестовані їх основні робочі параметри. Попередній перегляд: Завантажити - 364.718 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
10.	Ворощенко А. Т. Особливості виготовлення CdTe p-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них [Електронний ресурс] / А. Т. Ворощенко, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. І. Ткачук, М. Ю. Кравецький, І. Г. Луцишин, І. М. Матіюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2017. - Вып. 52. - С. 81-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2017_52_7 Досліджено транспорт носіїв заряду в CdTe p-n переходах, виготовлених дифузією індію у монокристалічні підкладки p-типу провідності, в інтервалі температур 195 - 298 К. Установлено, що p-n переходи є плавними, а їх структура містить тонку напівізолюючу i-область. Транспорт носіїв заряду за прямих напруг зміщення пояснюється струмом подвійної інжекції. На початковій ділянці реалізується інжекція носіїв заряду в i-область, а зі збільшенням напруги зміщення має місце діелектричний режим релаксації електронно-діркової плазми в i-області n-i-p переходів. За напруг прямого зміщення U >> 2 В ВАХ зумовлена провідністю Пула - Френкеля. Попередній перегляд: Завантажити - 534.101 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського