Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Автореферати дисертацій (2) | Реферативна база даних (11) | Авторитетний файл імен осіб (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Лєщук О$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 11 Представлено документи з 1 до 11 |
|||
| 1. | 
Цисар Т. О. Комп’ютерне моделювання інжекційного лиття керамічних виробів різного функціонального призначення [Електронний ресурс] / Т. О. Цисар, О. О. Лєщук // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Сер. : Машинобудування. - 2012. - № 66. - С. 151-157. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_mash_2012_66_27 | ||
| 2. | 
Чепугов О. П. Особливості підготовки зонда з напівпровідникового монокристалу алмазу, легованого бором [Електронний ресурс] / О. П. Чепугов, С. О. Івахненко, М. О. Цисар, О. О. Лєщук // Наукові нотатки. - 2013. - Вип. 41(2). - С. 251-255. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nn_2013_41(2)__46 | ||
| 3. | 
Фесенко І. П. Дослідження керамічного матеріалу, одержаного вільним спіканням з порошкової композиції AlN–Y2O3–(SiC–C), за допомогою електронної мікроскопії, раманівської спектроскопії і вимірювання теплопровідності та поглинання мікрохвильового випромінювання [Електронний ресурс] / І. П. Фесенко, В. І. Часник, О. Ф. Коломис, О. М. Кайдаш, Н. К. Давидчук, Т. Б. Сербенюк, Є. Ф. Кузьменко, М. П. Гадзира, О. О. Лєщук, В. В. Стрельчук, В. Б. Галямін, С. В. Ткач, Є. І. Фесенко, Р. С. Шмегера, Ю. І. Азима, Х. Рехт, Х. Фольштедт // Сверхтвердые материалы. - 2015. - № 2. - С. 11-20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2015_2_3 Вільним спіканням з порошкових композицій AlN - Y | ||
| 4. | 
Панасюк Т. С. Комп’ютерне моделювання температурних полів у шестипуансонному апараті високого тиску при зміні складу композитного нагрівача [Електронний ресурс] / Т. С. Панасюк, О. О. Лєщук, П. М. Присяжнюк // Вісник Житомирського державного технологічного університету. Серія : Технічні науки. - 2017. - № 2(2). - С. 119-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vzhdtu_2017_2(2)__23 | ||
| 5. |
Панасюк Т. С. Моделювання температурних полів в ростовому об’ємі комірки високого тиску шестипуансонного АВТ при вирощуванні кристалів алмазу методом Т-градієнта [Електронний ресурс] / Т. С. Панасюк, О. О. Лєщук, В. В. Лисаковський, В. А. Каленчук, О. О. Заневський // Сверхтвердые материалы. - 2017. - № 6. - С. 25-32. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2017_6_3 На основі методу скінченних елементів розроблено комп'ютерну модель для визначення теплового стану шестипуансонного апарата високого тиску з коміркою високого тиску для вирощування структурно досконалих монокристалів алмазу. Проведено розрахунки температурних полів в комірці високого тиску у празі вирощування монокристалів алмазу залежно від значень зовнішнього та внутрішнього діаметрів графітового струмовідводу, що надає змогу змінювати температуру в характерних точках комірки високого тиску на <$E20~-~110~symbol Р roman C>, горизонтальний та вертикальний перепади температури в ростовому об'ємі на <$E3~-~18~symbol Р roman C> і градієнти температури в ньому на 0,17 - 2,0 град/мм. На основі розрахунків температурних полів проведено експерименти й одержано монокристали алмазу розміром до 5 мм. Якість кристалів залежить від місцезнаходження в ростовому обэємі і відповідає розрахунковим даним. | ||
| 6. |
Бовсунівський О. В. Комп’ютерне моделювання напружено-деформованого і граничного станів пірофілітового контейнера та пуансонів шестипуансонного апарата високого тиску [Електронний ресурс] / О. В. Бовсунівський, С. Б. Полотняк, В. В. Лисаковський, О. О. Лєщук, С. О. Івахненко // Надтверді матеріали. - 2020. - № 2. - С. 12-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2020_2_4 | ||
| 7. | 
Панасюк Т. С. Застосування шестипуансонного апарата високого тиску для вирощування монокристалів алмазу інструментального призначення [Електронний ресурс] / Т. С. Панасюк, О. О. Лєщук, В. В. Лисаковський, С. О. Івахненко, О. В Бовсунівський, В. Ю. Клочок // Технічна інженерія. - 2019. - № 2. - С. 43-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tehin_2019_2_9 | ||
| 8. | 
Людвіченко О. П. Скінченноелементний аналіз електрорезистивного нагрівання апарата високого тиску для дослідження розчинності GaN у Fe [Електронний ресурс] / О. П. Людвіченко, О. М. Анісін, О. О. Лєщук, В. І. Щидловский // Mechanics and Advanced Technologies. - 2021. - Vol. 5, no. 3. - С. 302-306. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/madt_2021_5_3_6 | ||
| 9. |
Людвіченко О. П. Комп’ютерне моделювання впливу концентрації складових і розміру нагрівачів на тепловий стан комірки високого тиску для вивчення розчинності нітриду ґалію у залізі [Електронний ресурс] / О. П. Людвіченко, О. О. Лєщук, І. А. Петруша // Надтверді матеріали. - 2023. - № 2. - С. 3-13. | ||
| 10. |
Людвіченко О. П. Моделювання теплового стану комірки апарата високого тиску при вирощуванні кристалів нітриду ґалію [Електронний ресурс] / О. П. Людвіченко, О. О. Лєщук, С. О. Гордєєв // Технічна інженерія. - 2023. - № 1. - С. 57-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tehin_2023_1_10 | ||
| 11. |
Грушко В. І. Анізотропний транспорт заряду в алмазах, вирощених за високих тисків і температур [Електронний ресурс] / В. І. Грушко, Р. Ю. Чаплинський, Ю. С. Ямненко, О. О. Лєщук, Є. І. Міцкевич, C. О. Івахненко, В. В. Лисаковський, О. О. Занєвський, Е. Є. Петросян, Т. В. Микитюк // Надтверді матеріали. - 2024. - № 1. - С. 29-39. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |