Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Масол И$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
1. |
Масол И. В. Становление и перспективы развития производства компакт-дисков в Украине [Електронний ресурс] / И. В. Масол // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2012. - Т. 14, № 1. - С. 75-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2012_14_1_10 Приведен анализ технологий изготовления подложек компакт-дисков (КД). Представлены результаты анализа влияния параметров инжекционного литья поликарбоната на качество подложек КД. Определены основные параметры процесса инжекционного литья, позволяющие получать КД высокого качества.
| 2. |
Осинский В. И. Температурные и концентрационные свойства [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, П. В. Деминский, Н. Н. Ляхова, А. П. Моторный, И. В. Масол, Н. О. Суховий // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2012. - № 2. - С. 50-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2012_2_11 На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/A<^>IIIB<^>V RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450 - 455, 525 - 535, 600 - 615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.
| 3. |
Осинский В. И. Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии ІІІ-нитридных структур [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, Н. Н. Ляхова, И. В. Масол, В. П. Грунянская, П. В. Деминский, Н. О. Суховий, В. В. Стонис, М. С. Оначенко // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2012. - № 1. - С. 62-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2012_1_11 Рассмотрена возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (T = 1050 градусов по Цельсию, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 - 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (T = 1000 градусов по Цельсию, газ-носитель азот, t = 1 мин).
| 4. |
Осинский В. И. Декогерентизация ІІІ-N низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, И. В. Масол, М. С. Оначенко, А. В. Суший // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2014. - № 1. - С. 62-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2014_1_9
| 5. |
Осинский В. И. Композиционная поляризация многокомпонентных тринитридов для приборных наноструктур [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, И. В. Масол, Н. Н. Ляхова, А. В. Осинский, А. В. Дягилев, М. С. Оначенко // Electronics and communications. - 2016. - Т. 21, № 6. - С. 10-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2016_21_6_4 Рассмотрены структурные и технологические аспекты поляризации многокомпонентных твердых растворов соединений A3B5, в частности, тринитридов галлия, индия и алюминия. Показано, что при замещении в решетках бинарных соединений множества атомов различных размеров, ионных и электронных наноструктур образуются локальные электрические поля, квантово- и оптически размерные потенциальные ямы и барьеры, которые могут объединяться в кластеры с преимущественными направлениями векторов электрического поля. С позиций новых сред накопления энергии проводится сравнительный анализ поляризации в многокомпонентных твердых растворах полупроводников и сегнетоэлектриков. Впервые многокомпонентные твердые растворы полупроводников A3B5 рассматриваются как неупорядоченные системы атомов в отличие от упорядоченного кристаллического распределения с трансляционной инвариантностью и симметрией. Предложены гетерогенные структуры четырехкомпонентных твердых растворов AlInNSb и BInNSb, как перспективные для излучающих систем с преобразованием и накоплением энергии.
|
|
|