Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (13)Реферативна база даних (22)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Махній В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 32
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Герман І. І. 
Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O [Електронний ресурс] / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 88-91. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_15
Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар'єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики за низьких обернених напруг визначаються тунельними процесами, а за великих - помноженням носіїв у результаті ударної іонізації.
Попередній перегляд:   Завантажити - 200.782 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Кінзерська О. В. 
Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn [Електронний ресурс] / О. В. Кінзерська, В. П. Махній, В. Д. Погребенник, А. В. Пашук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 95-97. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_17
Досліджено вплив відпалів у насиченій парі Zn і Se на електропровідність і люмінесцентні характеристики дифузійних шарів ZnSe з домішкою Mn. Показано, що надлишковий Zn спричиняє збільшення електронної провідності та інтенсивності крайової смуги випромінювання, а надлишковий Se призводить до інверсії типу провідності та практично повного гасіння крайової смуги.
Попередній перегляд:   Завантажити - 194.803 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Махній В. П. 
Моделювання процесів дефектоутворення в кристалах ZnSe з ізовалентною домішкою Mg [Електронний ресурс] / В. П. Махній, І. В. Ткаченко, О. І. Черних, М. Ф. Павлюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 3. - С. 548-551. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_3_17
За допомогою методу квазіхімічних реакцій проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у кристалах ZnSe, легованих ізовалентною домішкою Mg. Встановлено, що у кристалах ZnSe:Mg домінують однозарядні вакансії цинку і селену, а також міжвузловинний селен. Провідність у цьому випадку залишається дірковою за зміни температури легування Ta у межах 373 - 1273 K, а концентрація дірок зростає у разі зменшення Ta і збільшення концентрації введеного Mg.
Попередній перегляд:   Завантажити - 138.693 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Махній В. П. 
Фотолюмінесценція кристалів p-ZnSe/Sb/ [Електронний ресурс] / В. П. Махній, М. М. Сльотов, Б. М. Собіщанський, Ю. Я. Чабан // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 29. - С. 133-137. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_29_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 78.164 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Демич М. В. 
Вплив параметрів підкладки та умов виготовлення контактів Au-CdTe на їх фотоелектричні властивості [Електронний ресурс] / М. В. Демич, П. М. Горлей, В. П. Махній, К. С. Ульяницький // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 30. - С. 124-127. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_30_25
Попередній перегляд:   Завантажити - 60.843 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Конев С. В. 
Властивості фотодіодів Ni-ZnSe [Електронний ресурс] / С. В. Конев, В. П. Махній, В. В. Мельник // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 30. - С. 135-137. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_30_27
Попередній перегляд:   Завантажити - 63.715 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Баранюк В. Є. 
Спектральні та дозиметричні характеристики рентгеночутливих гетеропереходів сульфід–телурид кадмію [Електронний ресурс] / В. Є. Баранюк, Я. М. Барасюк, В. П. Махній, І. В. Малімон // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 30. - С. 138-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_30_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 82.762 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Махній В. П. 
Оптичні властивості гетерошарів альфа-ZnSe [Електронний ресурс] / В. П. Махній, О. С. Гавалешко, О. М. Сльотов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 60-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 222.216 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Махній В. П. 
Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію [Електронний ресурс] / В. П. Махній, Г. І. Бодюл, І. І. Герман, М. Ф. Павлюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 74-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 242.173 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Махній В. П. 
Властивості та перспективи використання селеніду цинку, легованого 3D-елементами з парової фази [Електронний ресурс] / В. П. Махній, О. В. Кінзерська, Е. В. Майструк, І. М. Сенко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 87-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 257.489 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Махній В. П. 
Люмінесцентні властивості кристалів ZnSe:Yb з модифікованою поверхнею [Електронний ресурс] / В. П. Махній, О. В. Кінзерська, І. М. Сенко, А. А. Ащеулов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 112-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_22
Попередній перегляд:   Завантажити - 116.145 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Махній В. П. 
Особливості структурних властивостей гетерошарів оксиду цинку [Електронний ресурс] / В. П. Махній, М. Ф. Павлюк, М. Д. Раранський, С. В. Хуснутдінов // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 2. - С. 54-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_2_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 962.893 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Махній В. П. 
Перспективи методу ізовалентного заміщення для синтезу шарів ZnO з магнітними домішками [Електронний ресурс] / В. П. Махній, О. В. Кінзерська // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2011. - Т. 1, Вип. 2. - С. 101-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2011_1_2_22
Попередній перегляд:   Завантажити - 229.211 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Гривул В. І. 
Оптичні властивості CdTe-гетерошарів із самоорганізованою поверхневою структурою [Електронний ресурс] / В. І. Гривул, М. В. Демич, В. П. Махній // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 237. - С. 67-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_237_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 259.794 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Махній В. П. 
Аналіз механізмів дефектоутворення у нелегованому селеніді цинку [Електронний ресурс] / В. П. Махній, І. В. Малімон, І. В. Ткаченко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 53-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_13
За допомогою методу квазіхімічних реакцій розраховано концентрації рівноважних дефектів у кристалах ZnSe, легованих ізовалентною домішкою Mg з парової фази. Встановлено, що у зразках, відпалених за температури 1200 K, домінують вакансії селену та міжвузловинний селен, які відповідальні за формування інтенсивної блакитної смуги люмінесценції.
Попередній перегляд:   Завантажити - 213.067 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Демич М. В. 
Фізичні властивості шарів CdTe [Електронний ресурс] / М. В. Демич, О. С. Литвин, В. П. Махній, І. В. Прокопенко, О. В. Стець // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2001. - Вип. 102. - С. 36-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2001_102_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 255.03 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Баранюк В. Є. 
Фотоелектричні властивості контактів ІТО-pCdTe [Електронний ресурс] / В. Є. Баранюк, М. В. Демич, В. П. Махній, П. М. Горлей, К. С. Уляницький, О. В. Стець, Р. Цях, О. Ю. Салюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2001. - Вип. 102. - С. 39-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2001_102_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 266.013 Kb    Зміст випуску     Цитування
18.

Махній В. П. 
Дослідження природи оранжевої смуги люмінесценції кристалів ZnSe [Електронний ресурс] / В. П. Махній, М. М. Сльотов, О. В. Стець, І. В. Ткаченко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2001. - Вип. 112. - С. 75-77. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2001_112_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 215.599 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Барасюк Я. М. 
Механізми формування оберненого струму у фотодіодах на основі гетеропереходу pCdTe-nCdS [Електронний ресурс] / Я. М. Барасюк, В. Є. Баранюк, М. В. Демич, В. П. Махній, Б. М. Собіщанський // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2001. - Вип. 112. - С. 78-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2001_112_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 228.07 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Махній В. П. 
Аналіз поведінки ізовалентних домішок у селеніді цинку [Електронний ресурс] / В. П. Махній, О. В. Стець, І. В. Ткаченко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2002. - Вип. 133. - С. 34-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2002_133_8
На підставі аналізу впливу ізовалентних домішок на фізичні властивості халькогенідів свинцю розглянуто можливості практичного використання таких матеріалів у напівпровідниковій електроніці.
Попередній перегляд:   Завантажити - 179.064 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського