![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Морозовська Г$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
1. |
Зубкова С. М. Кілька безкомпромісних кроків на шляху до сутності фізичних явищ (до 80-річчя члена-кореспондента НАН України М. Д. Глинчук) [Електронний ресурс] / С. М. Зубкова, Г. М. Морозовська // Вісник Національної академії наук України. - 2015. - № 2. - С. 94-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2015_2_18 13 лютого 2015 р. виповнюється 80 років видатному вченому в галузі матеріалознавства і технології матеріалів, лауреату Державної премії України в галузі науки і техніки та премії ім. І. М. Францевича НАН України, доктору фізико-математичних наук, професору, члену-кореспонденту НАН України Майї Давидівні Глинчук.
| 2. |
Єлісєєв Є. А. Полярні властивості та петлі гістерезису у багатошарових тонких плівках типу сегнетоелектрик/віртуальний сегнетоелектрик [Електронний ресурс] / Є. А. Єлісєєв, М. Д. Глинчук, Г. М. Морозовська, Я. В. Яковенко // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 10. - С. 1038-1049. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_10_8 Використовуючи феноменологічну теорію Ландау - Гінзбурга - Девоншира, розраховано вплив деформацій невідповідності, поверхневої енергії та розмірних ефектів на фазові діаграми, полярні властивості та петлі гістерезису у багатошарових тонких плівках (БШТП) типу сегнетоелектрик/віртуальний сегнетоелектрик. Вперше досліджено вплив пружних деформацій, що виникають на межі тонка плівка - підкладка внаслідок невідповідності сталих гратки плівки та підкладки, на фазові діаграми БШТП складу віртуальний сегнетоелектрик SrTiO3/сегнетоелектрик BaTiO3. Виявлено, що у багатошарових плівках складу SrTiO3/BaTiO3 можуть існувати 6 термодинамічно стійких фаз BaTiO3 (параелектрична, тетрагональна FEc, дві моноклінні: FEaac та FEac, дві орторомбічні: FEa та FEaa сегнетоелектричні фази) на відміну від об'ємного BaTiO3, де існують лише 4 фази (кубічна, тетрагональна, орторомбічна та ромбоедрична). Розраховано основні полярні властивості петель гістерезису (форма, коерцитивне поле та спонтанна поляризація) у тонких багатошарових плівках SrTiO3/BaTiO3. Показано, що у системі існує сильна залежність полярних властивостей від товщини шарів SrTiO3 і BaTiO3 і пружних деформацій невідповідності, причому SrTiO3 відіграє роль діелектричного прошарку: чим товщий прошарок, тим сильніше поле деполяризації, яке, у свою чергу, зменшує спонтанну поляризацію плівки BaTiO3.
| 3. |
Яковенко Я. В. Поляризація та піроелектричний коефіцієнт в околі антиферодисторсійних доменних границь (на прикладі SrTiO3) [Електронний ресурс] / Я. В. Яковенко, Є. А. Єлісєєв, С. В. Свєчніков, Г. М. Морозовська // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 12. - С. 1223-1231. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_12_6 Із використанням теорії Ландау - Гінзбурга - Девоншира проведено аналітичні та числові дослідження просторових характеристик і температурних залежностей локальної поляризації і піроелектричного коефіцієнта в околі антиферодисторсійних фазових меж у SrTiO3 за температур, нижчих за температуру антиферодисторсійного структурного фазового переходу. Причиною поляризації пристіночної зони вважається флексоелектричний ефект і ротаційна стрикція (флексоротаційний ефект).
| 4. |
Курчак А. І. Конкурентні механізми гістерезису опору в графеновому каналі [Електронний ресурс] / А. І. Курчак, Г. М. Морозовська, М. В. Стріха // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 5. - С. 473-480. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_5_10
| 5. |
Морозовська Г. М. Дослідження електроміграції та дифузії в скануючій зондовій мікроскопії твердих електролітів [Електронний ресурс] / Г. М. Морозовська, В. В. Обуховський, О. В. Удод, С. В. Калінін, О. Целев // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 10. - С. 1027-1036. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_10_7 Проведено числове моделювання та аналіз локального механо-електро-хімічного відгуку твердих електролітів у наближенні Больцмана - Планка - Нернста - Ейнштейна з урахуванням вегардівського механізму. Розрахована геометрія є типовою для експериментів у галузі сканувальної зондової мікроскопії електрохімічних деформацій (СЗМЕД). Розраховано частотні спектри різних компонент зміщення поверхні електроліту та глибини відгуку СЗМЕД, а також зміни концентрацій донорів, і проведено їх порівняльний аналіз.
| 6. |
Морозовська Г. М. Про стан та перспективи розвитку фізики фероїків в Україні (за матеріалами наукової доповіді на засіданні Президії НАН України 13 грудня 2017 року) [Електронний ресурс] / Г. М. Морозовська // Вісник Національної академії наук України. - 2018. - № 2. - С. 42-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2018_2_10 Доповідь охоплює широке коло питань, що мають важливе значення для вирішення актуальних проблем розвитку фізики фероїків в Україні. Зазначено, що фероїки є унікальними об'єктами для фундаментальних фізичних досліджень складних нелінійних процесів і явищ, які відбуваються в цих речовинах у мікро- і наномасштабі. Завдяки можливості керування фізичними властивостями фероїків за допомогою розмірних ефектів наноструктури на їх основі є одними з найперспективніших для застосувань у наноелектроніці, наноелектромеханіці, оптоелектроніці, нелінійній оптиці та інформаційних технологіях. У НАН України сформувалася наукова школа з фізики фероїків, характерною ознакою якої є глибока інтегрованість у міжнародну наукову спільноту. Українські вчені отримали ряд пріоритетних результатів, які мають фундаментальне значення для розуміння нелінійних фізичних процесів у нанофероїках, а також є важливими для їх новітніх застосувань у наноелектроніці.
| 7. |
Стріха М. В. Про неможливість одержання стабільної негативної ємності в транзисторах mosfet з ізоляторами на основі тонких шарів діелектрика та сегнетоелектрика [Електронний ресурс] / М. В. Стріха, Г. М. Морозовська // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2022. - Т. 19, № 1-2. - С. 19-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2022_19_1-2_4 Розглянуто кремнієвий МOSFET, у якому ізолятор під затвором сформовано з тонких шарів діелектрика SiO2 та слабкого сегнетоелектрика HfO2. Досліджено можливість реалізації в такій системі стійкої негативної ємності ізолятора, що відкрило б можливість для зниження підпорогового розкиду до величин, нижчих від порового значення, 60 мВ/дек. для кімнатної температури, та напруги живлення до значень, нижчих від фундаментальної Больцманівської межі, 0,5 В, і тому стало б важливим кроком на шляху до дальшої мініатюризації MOSFET. Показано, що теоретично можливо досягнути перехідної негативної ємності сегнетоелектрика, якщо заряд на пластинах конденсатора збільшується в часі повільніше, аніж поляризація сегнетоелектрика. Але така негативна ємність принципово має перехідний характер. Спроба стабілізувати її в часі в системах тонких шарів діелектрика і сегнетоелектрика потребує стабільно додатної вільної енергії та ємності всієї системи. А тому ефект негативної ємності окремо сегнетоелектрика ніяк не виявлятиметься "назовні" (у т.ч. у транзисторних застосуваннях).
|
|
|