![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Пагава Т$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
1. |
Пагава Т. А. Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами [Електронний ресурс] / Т. А. Пагава, Д. З. Хочолава, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 5. - С. 525-530. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_5_8 Исследованы образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. По температурным зависимостям параметров при изохорном отжиге облученных образцов проведена идентификация различных радиационных дефектов. На основании анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tотж выявлены особенности отжига muH и p. Определено, какие радиационные дефекты являются рекомбинационными центрами. По кривым изохронного отжига, проведенным при различных интервалах времени, определены энергии активации отжига Eотж некоторых радиационных дефектов.
| 2. |
Пагава Т. А. Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений [Електронний ресурс] / Т. А. Пагава, М. Г. Беридзе, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили, И. Г. Каландадзе // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 8. - С. 775-781. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_8_12
| 3. |
Пагава Т. А. Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si [Електронний ресурс] / Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе, Д. З. Хочолава // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 6. - С. 522-529. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_6_7 Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов <$EN~=~6~times~10 sup 13 ~roman см sup -3> облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры.
|
|
|