Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (7)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Пагава Т$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Пагава Т. А. 
Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами [Електронний ресурс] / Т. А. Пагава, Д. З. Хочолава, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 5. - С. 525-530. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_5_8
Исследованы образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. По температурным зависимостям параметров при изохорном отжиге облученных образцов проведена идентификация различных радиационных дефектов. На основании анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tотж выявлены особенности отжига muH и p. Определено, какие радиационные дефекты являются рекомбинационными центрами. По кривым изохронного отжига, проведенным при различных интервалах времени, определены энергии активации отжига Eотж некоторых радиационных дефектов.
Попередній перегляд:   Завантажити - 644.32 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Пагава Т. А. 
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений [Електронний ресурс] / Т. А. Пагава, М. Г. Беридзе, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили, И. Г. Каландадзе // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 8. - С. 775-781. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_8_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 622.455 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Пагава Т. А. 
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si [Електронний ресурс] / Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе, Д. З. Хочолава // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 6. - С. 522-529. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_6_7
Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов <$EN~=~6~times~10 sup 13 ~roman см sup -3> облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры.
Попередній перегляд:   Завантажити - 713.229 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського