Пошуковий запит: (<.>A=Приходько К$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 25
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Сапожніков С. В. Аналіз споживання теплової енергії закладами управління освіти м. Суми [Електронний ресурс] / С. В. Сапожніков, К. А. Приходько // Вісник Сумського державного університету. Сер. : Технічні науки. - 2012. - № 2. - С. 161-168. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VSU_tekh_2012_2_24
|
2. |
Приходько К. В. Предмет і мета судового контролю на стадії досудового розслідування [Електронний ресурс] / К. В. Приходько // Правничий часопис Донецького університету. - 2013. - № 2. - С. 199-207. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pchdu_2013_2_30
|
3. |
Приходько К. О. Здоровье и безопасность труда – основное право человека. Условия труда и продвижение здорового образа жизни [Електронний ресурс] / К. О. Приходько, О. И. Шевченко, Г. Г. Роман // Судовые энергетические установки. - 2014. - Вып. 33. - С. 191-197. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seu_2014_33_25
|
4. |
Боцула О. В. Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько // Радиофизика и электроника. - 2015. - Т. 6(20), № 3. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2015_6(20)_3_11 Отмечено, что источники СВЧ-шума в сантиметровом и миллиметровом диапазонах с высоким уровнем спектральной плотности мощности шума имеют целый ряд важных применений, среди которых системы связи, автомобильной локации и радиометрии. Однако, на сегодняшний день выбор эффективных твердотельных генераторов шума на частотах более 40 ГГц ограничен. Одним из вариантов активного элемента для шумовой генерации являются предлагаемые приборы – диоды с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры. В работе исследованы статические, импедансные и шумовые характеристики структур GaAs-AlGaAs и AlGaAs-GaAs, в которых за счет профиля легирования на гетеропереходе формируется статический домен сильного поля. Характеристики рассматриваемых диодов сравниваются с характеристиками аналогичных приборов на основе GaAs. Исследование показало существование в диодах участков с отрицательным сопротивлением на частотах, близких к 50 ГГц, а наилучшими характеристиками, с точки зрения генерации шума в диапазоне частот 25 - 75 ГГц, обладает гетероструктура GaAs-AlGaAs. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных элементов и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации.Зазначено, що джерела НВЧ-шуму в сантиметровому та міліметровому діапазонах з високим рівнем спектральної густини потужності шуму мають низку важливих застосувань, серед яких системи зв'язку, автомобільної локації та радіометрії. Однак, на цей час вибір ефективних твердотільних генераторів шуму на частотах понад 40 ГГц обмежений. Одним із варіантів активного елемента для генерації шуму є запропоновані прилади - діоди з катодним статичним доменом на основі гетероструктури. У роботі досліджено статичні, імпедансні та шумові характеристики структур GaAs-AlGaAs і AlGaAs-GaAs, в яких за рахунок профілю легування на гетеропереході формується статичний домен сильного поля. Характеристики розглядуваних діодів порівнюються з характеристиками аналогічних приладів на основі GaAs. Дослідження показало існування в діодах ділянок з відємним опором на частотах, близьких до 50 ГГц, а найкращі характеристики, з точки зору генерації шуму в діапазоні частот 25 - 75 ГГц, має гетероструктура GaAs-AlGaAs. Результати дослідження дозволили визначити основні властивості запропонованих діодних елементів і є орієнтиром для подальшого детального аналізу фізичних процесів у них та практичної реалізації.The sources of noise in the microwave and mm-cm bands with high noise power spectral density have a number of important applications, including communications, automotive location and radiomeasurement. However, there is not many efficient solid-state generators of noise at frequencies above 40 GHz. The proposed active element for noise generating (heterostructure-based diodes with the cathode static domain) may be one of them. In these paper the static, impedance and noise characteristics of the GaAs-AlGaAs and AlGaAs-GaAs-based structures were investigated. In this structures the static domain of the strong field is formed due to doping profile at the heterojunction. The characteristics of considered diodes are compared to those of similar GaAs-based devices. The existence of regions in diodes with negative resistance at frequencies close to 50 GHz was shown. The GaAs-AlGaAs-based heterostructure has the best performance for a noise generation in the frequency range of 25 - 75 GHz. The main properties of proposed structures are determined and can be used for further detailed analysis of physical processes of the structures and manufacturing.
|
5. |
Веселов М. Правосуб’єктність учасників кримінального провадження: проблеми законодавчого врегулювання [Електронний ресурс] / М. Веселов, В. Гайденко, К. Приходько // Підприємництво, господарство і право. - 2016. - № 6. - С. 171-176. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pgip_2016_6_35
|
6. |
Моторин Р. М. Методологічні підходи щодо вимірювання глобальних ланцюгів доданої вартості в міжнародній торгівлі [Електронний ресурс] / Р. М. Моторин, К. Р. Приходько // Зовнішня торгівля: економіка, фінанси, право. - 2015. - № 5-6. - С. 25–36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/uazt_2015_5-6_5
|
7. |
Приходько К. В. Генеза судового контролю в кримінальному судочинстві України [Електронний ресурс] / К. В. Приходько // Правничий часопис Донецького університету. - 2014. - № 1-2. - С. 42-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pchdu_2014_1-2_9
|
8. |
Боцула О. В. Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько, В. А. Зозуля // Радиофизика и электроника. - 2016. - Т. 7(21), № 4. - С. 83-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2016_7(21)_4_13
|
9. |
Приходько К. Проблеми застосування iндексiв цiн для оцінки ВВП та його компонентів в постійних цінах згідно методології СНР [Електронний ресурс] / К. Приходько // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Економіка. - 2014. - Вип. 7. - С. 64-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Ekon_2014_7_15
|
10. |
Приходько К. Ю. Розслідування злочинів, вчинених з особливою жорстокістю: кримінально-психологічні аспекти [Електронний ресурс] / К. Ю. Приходько // Вісник Національного університету оборони України. - 2014. - Вип. 5. - С. 320-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vnaou_2014_5_59
|
11. |
Моторин Р. М. Нові тренди в міжнародній статистиці [Електронний ресурс] / Р. М. Моторин, Т. М. Моторина, К. Р. Приходько // Статистика України. - 2017. - № 3. - С. 98-105. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/su_2017_3_15
|
12. |
Приходько К. Р. Статистичний аналіз впливу факторів мікро- та макросередовища та продажі продукції дитячого харчування [Електронний ресурс] / К. Р. Приходько, А.-Н. Я. Фаталієва // Науковий вісник Національної академії статистики, обліку та аудиту. - 2018. - № 1-2. - С. 19-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvhastat_2018_1-2_5
|
13. |
Хаджай Г. Я. Кристалохімічна структура і електрична провідність ВТНП – купратів в умовах варіювання дефектного складу і впливу високоенергетичного опромінення (літературний огляд) [Електронний ресурс] / Г. Я. Хаджай, Ю. В. Литвинов, Р. В. Вовк, Н. М. Завгородня, В. Ю. Гресь, К. А. Котвицька, І. М. Чурсіна, О. В. Боцула, К. Г. Приходько, С. М. Камчатна // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Фізика. - 2019. - Вип. 30. - С. 45-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIF_2019_30_8
|
14. |
Боцула О. В. Вольтамперные характеристики диодов с катодным статическим доменом, варизонным слоем и гетеропереходом [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Радіофізика та електроніка. - 2016. - Вип. 25. - С. 66-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIPE_2016_25_13 Рассмотрены короткие диоды, в которых формируются катодные статические домены и возникает ударная ионизация. Особенностью рассматриваемых диодов является наличие гетероперехода на катодном контакте и области варизонного полупроводника. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло. Исследовано влияние профиля легирования на вольтамперные характеристики диодов. Получены распределения концентрации носителей и электрического поля, определены зависимости параметров катодного статического домена от структуры диода и напряжения смещения. Показано, что определяющее влияние на параметры домена и вольтамперные характеристики оказывает ширина обедненной области на катоде. Продемонстрировано роль ударной ионизации, как механизма релаксации энергии электронов.
|
15. |
Боцула О. В. Влияние ударной ионизации на генерацию диодов на основе нитридов [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Радіофізика та електроніка. - 2017. - Вип. 26. - С. 71-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIPE_2017_26_13 Рассмотрена работа диодов на основе соединений AlGaN и InGaN в режиме с ограничением накопления объемного заряда. Проанализирована эффективность генерации диодов с учетом возможности возникновения ударной ионизации. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло в приближении локальной зависимости скорости ударной ионизации от электрического поля. Определены максимальные эффективности генерации диодов на заданной частоте и частотный диапазон их работы. Получены энергетические характеристики диодов с различной длиной и составом материала. Молярная доля алюминия и индия менялась от 0 до 0,4. Показано, что ударная ионизация оказывает наибольшее влияние на работу InGaN - диодов и приводит к уменьшению эффективности их генерации.
|
16. |
Боцула О. В. Частотні можливості варизонних структур з ударною іонізацією на основі GaInAs [Електронний ресурс] / О. В. Боцула, К. Г. Приходько, О. Р. Шевченко // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Радіофізика та електроніка. - 2017. - Вип. 27. - С. 85-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIPE_2017_27_18 Рассмотрены кинетические процессы в тройном полупроводниковом соединение GazIn1-zAs в условиях возникновения инициированной электронами ударной ионизации. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло с учетом зависимости всех параметров полупроводника от координаты. Определены параметры ударной ионизации в однородных соединениях GazIn1-zAs в зависимости от содержания Ga и неоднородных структурах с различным законом его пространственного распределения и произведен их сравнительный анализ. Показано, что промежутки времени задержки развития ударной ионизации соответствуют частотам терагерцового диапазона, а ударную ионизацию в варизонных полупроводниках возможно использовать для получения генерации в этом диапазоне.
|
17. |
Приходько К. О. Специфіка інтер’єру середовища сучасних коворкінг-центрів [Електронний ресурс] / К. О. Приходько // Вісник КНУКіМ. Серія : Мистецтвознавство. - 2020. - Вип. 43. - С. 197-203. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vknukim_myst_2020_43_30
|
18. |
Литвиненко О. М. Проблеми підбору та утримання покоління Z у реаліях кадрового голоду в Україні [Електронний ресурс] / О. М. Литвиненко, К. В. Приходько // Нобелівський вісник. - 2020. - № 1. - С. 65–74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bmef_2020_1_10
|
19. |
Приходько К. О. Дизайн інтер’єру коворкінг-центру [Електронний ресурс] / К. О. Приходько // Вісник КНУКіМ. Серія : Мистецтвознавство. - 2021. - Вип. 44. - С. 214-220. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vknukim_myst_2021_44_29
|
20. |
Моторин Р. М. Як структура ВВП України зреагувала на COVID-19 [Електронний ресурс] / Р. М. Моторин, Т. М. Моторина, К. Р. Приходько // Статистика України. - 2021. - № 1. - С. 16-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/su_2021_1_4
|
| |