Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Сизов Ф$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13
|
1. |
Сизов Ф. Інфрачервона мікрофотоелектроніка: тенденції розвитку [Електронний ресурс] / Ф. Сизов // Вісник Національної академії наук України. - 2001. - № 5. - С. 33-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2001_5_7
| 2. |
Сизов Ф. Володарі світла [Електронний ресурс] / Ф. Сизов // Вісник Національної академії наук України. - 2009. - № 12. - С. 32-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2009_12_8 Коли в Стокгольмі виголошують імена лауреатів Нобелівської премії з фізики, більшість людей на планеті довідується про це тієї ж миті. Новина облітає земну кулю майже зі швидкістю світла. Тексти, зображення, мова і відео "течуть" по оптичних волокнах і в безпровідному просторі, їх миттєво реєструють мініатюрні детектори. Саме за цей винахід - "Дві революційні оптичні технології" - Нобелівську премію з фізики 6 жовтня 2009 року отримало троє вчених: Чарльз Куен Као (Charles Kuen Као), Віллард Стерлінг Бойль (Willard Sterling Boyle) і Джордж Елвуд Сміт (George Elwood Smith).
| 3. |
Сизов Ф. Ф. Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs [Електронний ресурс] / Ф. Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. І. Круковський, В. Я. Опилат, І. В. Петренко, Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2009. - № 5. - С. 87-93. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2009_5_16 Досліджено вплив швидких нейтронів на зразки світловипромінювальних діодних структур <$E n sup + -n-p-{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}> (<$E x~=~0,27~symbol Ш~0,31>). Вольт-амперні характеристики виміряно в інтервалі температур 77 - 300 K до та після опромінення нейтронами з флюенсом <$E (10 sup 14~-~5~cdot~10 sup 16 )> см<^>-2. Установлено, що відбувається радіаційно стимульоване зростання прямого струму діодів внаслідок зменшення концентрації основних носіїв заряду та часу життя неосновних носіїв заряду. Причиною зміни параметрів є радіаційне введення пасток.
| 4. |
Литовченко Н. М. Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами [Електронний ресурс] / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 54-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_6
| 5. |
Сизов Ф. Ф. ИК-фотоэлектроника: фотонные или тепловые детекторы? Перспективы [Електронний ресурс] / Ф. Ф. Сизов // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 1. - С. 26-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_1_6
| 6. |
Руденко Е. М. Теплофiзичнi та спектральнi характеристики квазiоптичних фiльтруючих пристроїв для крiоелектронних приймальних систем [Електронний ресурс] / Е. М. Руденко, І. В. Короташ, А. П. Шаповалов, З. Ф. Цибрій, М. О. Білоголовський, Д. Ю. Полоцький, Ю. В. Шлапак, В. М. Чміль, Е. М. Глушеченко, В. В. Чмiль, А. М. Пилипенко, Ф. Ф. Сизов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 12. - С. 49-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2015_12_9
| 7. |
Рева В. П. ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением [Електронний ресурс] / В. П. Рева, С. В. Коринец, А. Г. Голенков, С. В. Сапон, А. М. Торчинский, В. В. Забудский, Ф. Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2017. - № 1-2. - С. 33-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2017_1-2_8 Описаны принципы работы фотоматриц видимого излучения и ближнего инфракрасного диапазона, спроектированных на основе приборов с зарядовой связью с электронным умножением (ПЗС-ЭУ), и обсуждена архитектура построения таких матриц. Приведено краткое описание технологии изготовления фотоматриц ПЗС-ЭУ, а также некоторые параметры спроектированных и изготовленных экспериментальных образцов фотоматриц формата 640 х 512.Описано принципи роботи фотоматриці видимого випромінювання і ближнього інфрачервоного діапазона, спроектованих на основі приладів із зарядним зв'язком з електронним множенням (ПЗЗ-ЕМ), та обговорено архітектуру побудови таких матриць. Наведено стислий опис технології виготовлення фотоматриці ПЗЗ-ЕМ, а також деякі параметри спроектованих і виготовлених експериментальних зразків фотоматриці формату 640 х 512.Electron multiplication charge coupled devices (EMCCD) technology is an innovation first introduced slightly more than a decade ago. The EMCCD is an image sensor that is capable of detecting an isolated photon without an image intensifier. It is achieved by electron multiplication circuit that is built in the chip of ordinary CCD. Cameras with EMCCD arrays overcome limitations of getting high sensitivity with high frame rate. Traditional CCD cameras can be highly sensitive in the visible part of spectrum but at the expense of low frame rate. EMCCD can operate at very faint illumination conditions both in visible and near infrared regions. The paper presents a short technological description of EMCCD 640?512 arrays manufacturing and some parameters of the arrays that were designed and manufactured. It was shown that multiplication coefficient depends much on applied amplification voltage and can achieve 1000. Also it is shown that images can be obtained at low illumination conditions (illumination at EMCCD is near 5•10–4 lx).
| 8. |
Смірнов О. Б. Роль механічних напружень при іонній імплантації твердих розчинів CdHgTe [Електронний ресурс] / О. Б. Смірнов, О. С. Литвин, В. О. Мороженко, Р. К. Савкіна, М. І. Смолій, Р. С. Удовицька, Ф. Ф. Сизов // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 9. - С. 874-882. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_9_12
| 9. |
Смірнов О. Б. Дослідження морфології шарів p-CdHgTe структурованих ковзним опроміненням іонами срібла [Електронний ресурс] / О. Б. Смірнов, А. А. Корчовий, М. М. Кролевець, В. О. Мороженко, Р. К. Савкіна, Р. С. Удовицька, Ф. Ф. Сизов // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 10. - С. 1056-1062. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_10_11 Вивчено "top - down" процес одержання наноструктурованого шару на поверхні напівпровідникового матеріалу за допомогою методу іонної імплантації. У результаті опромінення гетероструктур p-CdxHg1-xTe (x = 0,223)/CdZnTe іонами срібла з енергією 100 еВ на поверхні зразків відбувається утворення масиву наноструктур. Зменшення кута падіння іонного пучка до 40o призводить до того, що наноструктурування набуває впорядкованого характеру. У цьому випадку наслідком стабілізації активованого імплантацією стану системи є утворення поліфункціональної системи оксид металу - напівпровідник Ag2O - p-CdxHg1-xTe (x = 0,2), що є розмірно-залежним відгуком на опромінення ковзним опроміненням та, що надає можливість сумістити функціональні властивості оксиду Ag2O (Eg = 1,41 еВ) і напівпровідника CdHgTe (Eg = 0,123 еВ), як основи для створення оптичних перетворювачів і масивів із НВЧ граток.
| 10. |
Лысюк И. А. Одноэлементное приемное устройство для регистрации излучения суб-ТГц/ТГц диапазона на основе кремниевого полевого транзистора [Електронний ресурс] / И. А. Лысюк, А. Г. Голенков, С. Е. Духнин, В. П. Рева, А. В. Шевчик-Шекера, Ф. Ф. Сизов // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2017. - Т. 14, № 3. - С. 38-46. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2017_14_3_5 Рассмотрено приемное устройство для регистрации электромагнитного излучения суб-ТГц/ТГц диапазона спектра, чувствительным элементом которого есть кремниевый полевой транзистор, подключенный к антенне затвором и истоком. Описано геометрию чувствительного элемента, принцип работы приемного устройства, методику измерения чувствительности и мощности эквивалентной шуму (NEP). Для приемного устройства разработана и изготовлена съёмная система асферических линз, приведена измеренная функция рассеяния точки на частоте излучения 140 ГГц. На этой же частоте излучения протестирована работа приемного устройства, измерена чувствительность S = 2,8x10<^>5 В/Вт и мощность эквивалентная шуму NEP = 4,3x10<^>-10 Вт (Гц)<^>-1/2.
| 11. |
Сизов Ф. Ф. Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением [Електронний ресурс] / Ф. Ф. Сизов, А. Г. Голенков, В. П. Рева, В. В. Забудский, С. В. Коринец, А. М. Торчинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2018. - № 2. - С. 9-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2018_2_4
| 12. |
Цибрий З. Ф. Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe [Електронний ресурс] / З. Ф. Цибрий, Е. В. Андреева, М. В. Апатская, С. Г. Бунчук, Н. В. Вуйчик, А. Г. Голенков, Н. В. Дмитрук, В. В. Забудский, И. А. Лысюк, Е. В. Свеженцова, М. И. Смолий, Ф. Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2017. - № 6. - С. 8-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2017_6_4
| 13. |
Мележик Е. А. Методики численного моделирования ИК излучения газотурбинных двигателей для оценки возможностей снижения заметности летательных аппаратов [Електронний ресурс] / Е. А. Мележик, Ф. Ф. Сизов, О. В. Шевчук, Ж. В. Гуменюк-Сычевская // Доповіді Національної академії наук України. - 2020. - № 4. - С. 43-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2020_4_8 Исследованы существующие в мировой научной литературе методики расчета ИК-излучения газотурбинных двигателей (ГТД). Описан состав газов в выхлопе ГТД и приведены данные об основных спектральных свойствах таких газов, которые необходимо учитывать при моделировании ИК-излучения двигателя. Составлен обзор существующих численных методов расчета взаимодействия ИК-излучения с газом внутри ГТД, и приведены литературные данные о точности таких методов. Поданы преимущества и недостатки line-by-line, зональных и глобальных методов моделирования газа для применения в инженерных расчетах авиаконструкторами, и установлены наиболее приемлемые по точности, простоте реализации и скорости счета методы из приведенного перечня. Поданы основные методы численного решения уравнения переноса ИК-излучения в ГТД между его внутренними стенками и газом внутри двигателя. Показаны особенности реализации численного алгоритма на основе метода Монте-Карло для различных постановок задачи расчета ИК-заметности ГТД и выбран наиболее оптимальный метод для численного моделирования углового распределения ИК излучения в задней полусфере за срезом сопла двигателя.
|
|
|