![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Сопінський М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Індутний І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом [Електронний ресурс] / І. З. Індутний, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Сопінський, В. М. Ткач, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 49-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_7 Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричні параметри одержаних структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації одержаних структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Одержані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів.
| 2. |
Сопінський М. В. Динаміка після конденсаційної трансформаціі термонапилених плівок бінарних та псевдобінарних халькогенідних склоподібних напівпровідникових сполук As2S3–xSex [Електронний ресурс] / М. В. Сопінський, О. В. Стронський, П. Є. Шепелявий // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2006. - Вип. 303. - С. 37-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2006_303_9
| 3. |
Михайловська К. В. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами [Електронний ресурс] / К. В. Михайловська, В. А. Данько, О. Й. Гудименко, В. П. Кладько, І. З. Індутний, П. Є. Шепелявий, М. В. Сопінський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 169-180. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_11 Досліджено спектральні характеристики фотолюмінесценції (ФЛ) світловипромінюючих багатошарових (nc-Si-SiOx-SiOy)n структур, сформованих на c-Si пластинах за допомогою термічного осадження у вакуумі 30 - 40 пар cуцільних SiOx наношарів і проміжних поруватих SiOy наношарів (<$E x~<<~y~symbol Г~2>) та наступного високотемпературного відпалу і пасивування у парі HF. Встановлено, що положення максимуму та інтенсивність ФЛ таких надграток залежать від двох факторів: товщини робочих шарів і часу пасивації у парі фтористоводневої кислоти. Це надає можливість керувати спектральним складом і інтенсивністю випромінювання, змінюючи як товщину вихідних шарів надгратки, так і час пасивації наноструктури. Останнє досягається за рахунок використання в структурі надгратки в ролі розділяючих шарів поруватих плівок SiOy, крізь які можливе проникнення пари HF до активних SiOx шарів, в яких після високотемпературного відпалу формуються наночастинки кремнію. Проведено дослідження кінетики згасання ФЛ в багатошарових (nc-Si-SiOx-SiOy)n зразках і встановлено, що вона має немоноекспоненційний характер. Виміряна залежність швидкості випромінювальної рекомбінації від енергії випромінювальних квантів. Одержані значення середнього часу життя ФЛ і параметра його дисперсності в зразках надгратки з різними товщинами бішарів. Встановлено залежність цих параметрів від часу фторводневої обробки зразків (nc-Si-SiOx-SiOy)n структури. За допомогою еліпсометричних досліджень було встановлено, що в багатошарових (nc-Si-SiOx-SiOy)n надгратках проявляється ефект конверсії поляризації, що обумовлено наявністю нахилених колон в скісно осаджених проміжних поруватих SiOy наношарах.
| 4. |
Індутний І. З. Дослідження ефективності збудження поверхневих плазмон-поляритонів на алюмінієвих гратках з урахуванням дифрагованого випромінювання [Електронний ресурс] / І. З. Індутний, В. І. Минько, М. В. Сопінський, В. А. Данько, П. М. Литвин // Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. - 2021. - Вип. 56. - С. 71-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2021_56_8 Проведені детальні дослідження ефективності збудження поверхневих плазмон-поляритонів (ППП) на алюмінієвих гратках з періодом а = 694 нм, що перевищує довжину падаючої хвилі <$E lambda> = 632,8 нм, і глибиною рельєфу (h) в інтервалі від 6 до 135 нм. Зразки для досліджень формувалися на плівках халькогенідного фоторезисту As40S30Se30 за допомогою інтерференційної літографії та термічного напилення у вакуумі непрозорого шару алюмінію товщиною біля 80 нм. Дослідження особливостей збудження ППП проводилось на стенді, змонтованому на основі гоніометра Г5М та столика Федорова шляхом вимірювання кутових залежностей інтенсивності дзеркально відбитого і дифрагованого випромінювання He-Ne лазера. При визначенні ефективності збудження ППП було враховано резонансні значення не лише дзеркального відбивання, а і відбивання в мінус першому порядку дифракції (-1ПД). Для визначення форми профілю штрихів і глибини рельєфу гратки використовувався атомно-силовий мікроскоп. Встановлено, що залежність інтегрального плазмонного поглинання від глибини модуляції гратки (h/a) описується дещо асиметричною кривою з широким максимумом, положення якого відповідає значенню h/a близько 0,07, та напівшириною біля 0,123. Це дозволяє збуджувати ППП з ефективністю >> 80 % від максимального значення на гратках з інтервалу h/a від 0,05 до 0,105. Напівширина плазмонного мінімуму відбивання в -1ПД є меншою, ніж в дзеркальному відбиванні, що може забезпечити більшу чутливість сенсорних приладів при реєстрації зміщення мінімуму за кутовими вимірами. Залежність напівширини мінімумів відбивання ППП від глибини модуляції граток близька до квадратичної. В дослідженому діапазоні h/a (від 0,009 до 0,194) максимальний динамічний діапазон зміни коефіцієнта відбиття складає два порядки величини і досягається при дзеркальному відбиванні для граток з h/a = 0,075.
|
|
|