Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Ульяницький К$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Сльотов М. М. 
Сенсори на основі ZnMgSe [Електронний ресурс] / М. М. Сльотов, О. М. Сльотов, А. Г. Шахматова, К. С. Ульяницький // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 1. - С. 95-99. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_1_12
Досліджено вплив дифузії Mg на фотоелектричні і люмінесцентні властивості Zn0,88Mg0,12Se. Встановлено, що легуюча речовина проявляє властивості ізовалентної домішки. Вона зумовлює інверсію типу електропровідності й одержання pіn-переходів з високою фоточутливістю. Леговані Mg дифузійні шари характеризуються інтенсивною люмінесценцією у крайовій області з квантовою ефективністю 15 - 18 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 624.939 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Сльотов М. М. 
Використання CdxMg1-xTe у фотосенсорах [Електронний ресурс] / М. М. Сльотов, О. М. Сльотов, К. С. Ульяницький // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 36-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 542.299 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Оліх Я. М. 
Вплив ультразвуку на протікання струму в низькоомних кристалах CdTe:Cl [Електронний ресурс] / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко, М. І. Ілащук, О. А. Парфенюк, К. С. Ульяницький // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 1. - С. 56-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_1_8
В низькоомних кристалах CdTe:Cl n-типу (NCl ≈10 24 m-3) вперше спостережено динамічні (in-situ, повністю зворотні) акустостимульовані (АС) зміни провідності σ. Для визначення механізму АС явищ проведено дослідження температурних залежностей (77 ÷ 300 К) концентрації і рухливості електронів в умовах дії ультразвуку (УЗ) (f US ~ 10 MHz, WUS ~ (0,1 ÷ 2,0 ) · 104 Wt/m2) та кінетики релаксації σ(t) при ввімкненні та вимкненні УЗ. Запропоновано акусто-дислокаційний механізм, який пов'язує: "миттєві" (t < 1 sec) зміни σ(t) з додатковим розсіюванням носіїв заряду на дислокаціях та кластерах точкових дефектів, які коливаються в УЗ полі; довготривалі (50 ÷ 500 sec) температурно-залежні релаксації σ(t) є результатом дифузійної перебудови точково-дефектної структури в об'ємі кластера, включаючи перетворення акцепторного комплексу [(VCd2-ClTe+)-] в нейтральний - [(VCd2-2ClTe+)0].
Попередній перегляд:   Завантажити - 702.316 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Савицький А. В. 
Рівноважні характеристики кристалів CdTe, легованих елементами групи заліза [Електронний ресурс] / А. В. Савицький, М. І. Ілащук, О. А. ПарфенюК, К. С. Ульяницький, В. Р. Бурачек, Д. В. Кадельник // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 29. - С. 79-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_29_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 74.987 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Демич М. В. 
Вплив параметрів підкладки та умов виготовлення контактів Au-CdTe на їх фотоелектричні властивості [Електронний ресурс] / М. В. Демич, П. М. Горлей, В. П. Махній, К. С. Ульяницький // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 30. - С. 124-127. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_30_25
Попередній перегляд:   Завантажити - 60.843 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Горлей П. М. 
Фотоелектричні властивості контактів метал-телурид кадмію з модифікованою поверхнею [Електронний ресурс] / П. М. Горлей, М. В. Демич, В. П. Махній, 3. Свянтек, К. С. Ульяницький, Р. Цях // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 63. - С. 82-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_63_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 239.897 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Горлей П. М. 
Електричні і фотоелектричні властивості діодів на основі CdxZn1-xTe [Електронний ресурс] / П. М. Горлей, М. В. Демич, В. П. Махній, К. С. Ульяницький, Ж. Хорват // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 30-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 536.827 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Брус В. В. 
Електричні властивості анізотипних гетеропереходів n-ТіО2/p-CdTe [Електронний ресурс] / В. В. Брус, М. І. Ілащук, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук, К. С. Ульяницький, А. М. Кафанов // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2011. - № 2(5). - С. 4-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2011_2(5)__2
Досліджено електричні властивості гетероструктур n-TiO2/p-CdTe, виготовлених напиленням тонких плівок діоксиду титану на свіжосколоті монокристалічні підкладки телуриду кадмію. Встановлено, що основну роль у протіканні струму через досліджувані гетеропереходи відіграють генераційно-рекомбінаційні процеси у збідненій області та тунелювання носіїв заряду.
Попередній перегляд:   Завантажити - 379.102 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Склярчук В. М. 
Механізми переносу заряду в поверхнево–бар’єрних структурах на р–CdTe [Електронний ресурс] / В. М. Склярчук, О. Ф. Склярчук, С. М. Палагнюк, К. С. Ульяницький // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 32. - С. 78-85. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_32_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 93.763 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського