Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Aleinikov A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Aleinikov A. B. 
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown [Електронний ресурс] / A. B. Aleinikov, V. A. Berezovets, V. L. Borblik, M. M. Shwarts, Yu. M. Shwarts // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 288-293. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_20
Effect of magnetic field (up to 14 T) on current-voltage characteristics of silicon n<^>+-p diodes which manifests hysteresis loops related with low-temperature impurity breakdown has been studied. With growth of magnetic field, the hysteresis loops are narrowed and decreased in amplitude and then disappear, but the breakdown continues in a soft form. Planar design of the diode has allowed separating the influence of magnetic field on mobility of the carriers executing impact ionization of the impurities and on the ionization energy itself. Theoretical analysis of the experimental data permitted us to determine the dependence of the ionization energy on the magnetic field. As in other investigated semiconductors, our results demonstrate the dependence of <^>B<^>1/3-type. A model capable to explain qualitatively the mechanism of suppression of the hysteresis loops by magnetic field is proposed as well.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.426 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Borblik V. L. 
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures [Електронний ресурс] / V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, A. B. Aleinikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 195-198. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_10
The new experimental data concerning the effect of magnetic field on electric properties of silicon diodes with high doping levels both in the emitter and base (conduction of which at low temperatures is determined by the excess tunnel current) has been analyzed. In addition to previous investigations of the influence of magnetic fields up to 9,4 T on this tunnel current at 4,2 K, now the measurements have been carried out up to 14 T at temperatures lower than the liquid helium temperature. Under these conditions, the transfer to saturation of the diode magnetoresistance was observed, which agrees with the results predicted theoretically for the hopping conduction via impurity centers in high magnetic fields.
Попередній перегляд:   Завантажити - 246.458 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського