Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Luniov S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Luniov S. V. 
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect [Електронний ресурс] / S. V. Luniov, L. I. Panasiuk, S. A. Fedosov // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 6. - С. 636-641. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_6_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 338.001 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Luniov S. V. 
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band [Електронний ресурс] / S. V. Luniov, O. V. Burban, P. F. Nazarchuk // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 10. - С. 1022-1026. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_10_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 558.052 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Luniov S. 
Specific features of defect formation in the n-Si <Ρ> single crystals at electron irradiation [Електронний ресурс] / S. Luniov, A. Zimych, M. Khvyshchun, M. Yevsiuk, V. Maslyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 6(12). - С. 35-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_6(12)__6
На підставі вимірювань інфрачервоної Фур'є-спектроскопії, ефекту Холла та тензохолл-ефекту встановлено природу та визначено концентрацію основних типів радіаційних дефектів у монокристалах n-Si <

>, опромінених різними потоками електронів з енергією 12 МеВ. Показано, що для досліджуваних монокристалів кремнію у процесі електронного опроміненя є досить ефективним утворення нового типу радіаційних дефектів, що належать комплексам VOiP (А-центр, модифікований домішкою фосфору). З розв'язків рівняння електронейтральності отримано залежності енергії активації для глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ, що належить комплексу VOiP, від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100] і [111]. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. За орієнтації осі деформації вздовж кристалографічного напрямку [100] глибокий рівень E1 = EC - 0,107 еВ буде розщеплюватись на дві компоненти з різною енергією активації. Це пояснює нелінійні залежності енергії активації глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ від одновісного тиску P <<= 0,4 ГПа. Для тисків P >> 0,4 ГПа розщеплення даного глибокого рівня буде значним і можна вважати, що глибокий рівень комплексу VOiP взаємодіятиме тільки з двома мінімумами зони провідності кремнію, а зміна енергії активації буде лінійною за деформацією. Для випадку одновісного тиску P <<= 0,4 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [111] зміна енергії активації для комплексу VOiP описується квадратичною залежністю. Відповідно зміщення глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ для даного випадку теж є квадратичною функцією за деформацією. Різні залежності енергії активації комплексу VOiP від орієнтації осі деформації відносно різних кристалографічних напрямків можуть свідчити про анізотропні характеристики даного дефекту. Встановленні особливості дефектоутворення в опромінених електронами монокристалах n-Si <

> можуть бути використані у процесі розробки на основі даних монокристалів різних приладів функціональної електроніки.

Попередній перегляд:   Завантажити - 506.114 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Luniov S. V. 
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons [Електронний ресурс] / S. V. Luniov, A. I. Zimych, M. V. Khvyshchun, V. T. Maslyuk, I. G. Megela // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 2. - С. 151-156. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_2_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 669.265 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Luniov S. V. 
Calculation of Electron Mobility for the Strained Germanium Nanofilm [Електронний ресурс] / S. V. Luniov // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02023-1-02023-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_25
На основі теорії пружності було проведено розрахунки величин відносних деформацій, які виникають в наноплівці германію, вирощеній на підкладці Ge(x)Si(1-x) (001), залежноі від її компонентного складу. Для такої орієнтації підкладки наноплівка германію в кристалографічних напрямках [100], [010] (в площині підкладки) зазнає двохосьового стиску, а в кристалографічному напрямку [001] - одновісного розтягу. Показано, що у випадку підкладки з кремнію величини внутрішніх механічних напружень досягають 4 %. Проведені розрахунки зонної структури для напруженої наноплівки германію показали, що за збільшеня величини внутрішніх механічних напружень (за рахунок збільшення вмісту Si в підкладці) 4 мінімуми <$EDELTA sub 1> зони провідності будуть опускатися вниз, а мінімуми L1 підніматимуться вгору за шкалою енергій. При цьому валентна зона зазнає розщеплення на дві гілки, верхньою з яких стає валентна зона "важких" дірок. За вмісту Ge в підкладці менше як 60 % в енергетичному спектрі напруженої наноплівки германію найнижчими стають 4 мінімуми <$EDELTA sub 1> зони провідності. Проведені на основі теорії анізотропного розсіяння на акустичних фононах розрахунки рухливості електронів показали, що збільшення відносного вмісту германію у підкладці призводить до зростання рухливості електронів в наноплівці. Це пояснює деформаційний перерозподіл електронів між чотирма мінімумами L1 з більшою рухливістю та чотирма мінімумами <$EDELTA sub 1> з меншою рухливістю. Встановлено, що для наноплівок германію товщиною d >> 7 нм рухливість електронів не залежить від їх товщини. Одержані результати можуть бути використані під час моделювання електричних властивостей напружених наноплівок германію, на основі яких можуть бути створені різні електронні прилади сучасної наноелектроніки з прогнозованими робочими характеристиками.
Попередній перегляд:   Завантажити - 465.192 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Luniov S. 
Tensoelectrical Properties of Electron-Irradiated N-Si Single Crystals [Електронний ресурс] / S. Luniov, P. Nazarchuk, V. Maslyuk // East european journal of physics. - 2021. - No 3. - С. 37-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2021_3_7
Досліджено тензоопір за одновісного тиску для опромінених електронами монокристалів n-Si за кімнатної температури. Досліджувані монокристали кремнію леговано домішкою фосфору, концентрацією Nd = 2,2 x 10<^>16 см<^>3, та опромінювались потоками електронів 5 x 10<^>16 ел./см<^>2, 1 x 10<^>17 ел./см<^>2 і 2 x 10<^>17 ел./см<^>2 з енергією 12 МеВ. Вимірювання питомого опору та сталої Холла проводились для одновісно деформованих уздовж кристалографічних напрямків [100] і [111] монокристалів n-Si. На підставі вимірювань тензо-холл-ефекту та інфрачервоної Фур'є-спектроскопiї встановлено механізми виникнення тензорезистивного ефекту для досліджуваних монокристалів n-Si. Показано, що тензоопір для даних монокристалів визначається лише змінами рухливості електронів у разі деформації. У цьому випадку концентрація електронів не залежить від одновісного тиску, оскільки глибокі рівні радіаційних дефектів, що належать комплексам VOi VOiP, будуть повністю іонізованими. Іонізація глибокого рівня EV + 0,35 еВ, що належить дефекту CiOi, за рахунок деформації не буде проявлятися та впливати на тензоопір n-Si. Встановлено, що анізотропією розсіяння електронів на утворених радіаційних дефектах, яка виникає за одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку [100], є причиною різної величини тензоопору опромінених різними потоками електронів монокристалів n-Si. Залежність величини тензоопору одновісно деформованих уздовж кристалографічного напрямку [111] монокристалів n-Si від потоку електронного опромінення пов'язана зі змінами радіуса екранування за рахунок зростання ефективної маси електронів. Уперше одержане за кімнатної температури зростання величини тензоопору монокристалів n-Si за рахунок опромінення потоками електронів <$EPHI~symbol У~1~cdot~10 sup 17> ел./см<^>2 може бути використане для конструювання сенсорів високого одновісного тиску на основі таких монокристалів n-Si з більшим значенням коефіцієнта тензочутливості відносно наявних аналогів. Такі сенсори матимуть підвищену радіаційну стійкість і широку сферу експлуатації.
Попередній перегляд:   Завантажити - 371.736 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Luniov S. V. 
Radiation-stimulated growth of the electron mobility in silicon single crystals [Електронний ресурс] / S. V. Luniov, M. V. Khvyshchun, P. F. Nazarchuk, V. T. Maslyuk // Наукові нотатки. - 2022. - Вип. 74. - С. 84-86. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nn_2022_74_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 389.014 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського