Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Журнали та продовжувані видання (1)Реферативна база даних (44)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Lysenko V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Lysenko V. 
Economical criterion for selecting control strategy of biotechnical objects [Електронний ресурс] / V. Lysenko // Біоресурси і природокористування. - 2014. - Т. 6, № 3-4. - С. 173-178. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bpc_2014_6_3-4_29
Попередній перегляд:   Завантажити - 640.924 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Lozovski V. 
Can nanoparticles be useful for antiviral therapy? [Електронний ресурс] / V. Lozovski, V. Lysenko, V. Pyatnitsia, M. Spivak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 489-491. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_23
In this paper, optical properties of the system consisting of mesoparticles (small dielectric particles) and nanoparticles (quantum dots) of various shapes have been considered. This system can be characterized by resonant absorption of electromagnetic waves and used for developing the new approach to antiviral therapy.
Попередній перегляд:   Завантажити - 916.042 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Lozovski V. 
Interaction between viral particles and structured metal surface under surface plasmon propagation [Електронний ресурс] / V. Lozovski, V. Lysenko, M. Spivak, V. Sterligov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 80-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_20
Попередній перегляд:   Завантажити - 921.261 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Lozovski V. 
The interaction between two nonpoint nanoparticles: Implementation to biology and medicine [Електронний ресурс] / V. Lozovski, V. Lysenko, V. Piatnytsia, M. Spivak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 393-400. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_19
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.39 Mb    Зміст випуску     Цитування
5.

Rudenko T. 
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs [Електронний ресурс] / T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 300-309. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.954 Mb    Зміст випуску     Цитування
6.

Nazarov A. N. 
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor [Електронний ресурс] / A. N. Nazarov, A. V. Vasin, S. O. Gordienko, P. M. Lytvyn, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, A. S. Hirov, A. V. Rusavsky, V. P. Popov, V. S. Lysenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 332-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_4
This paper considers a synthesis of graphene flakes on the Ni surface by vacuum long and nitrogen rapid thermal treatment of the "sandwich" amorphous (a) SiC/Ni multilayer deposited on silicon wafer by magnetron sputtering technique. The lateral size of graphene flakes was estimated to be about hundreds of micrometers while the thickness estimated using Raman scattering varied from one to few layers in case of vacuum annealing. Rapid thermal annealing in nitrogen ambient results in formation of multilayer graphene with surface covering up to 80 %. The graphene layers synthesized on Ni during CVD process was used as reference samples. Atomic force microscopy is not able to detect graphene flakes in regime of surface topology examination because of large roughness of Ni surface. Employment of scanning Kelvin probe force microscopy (SKPFM) demonstrates correlation of the surface potential and graphene flakes visible in optical microscopy. Using the KPFM method, potential differences between Ni and graphene were determined.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.071 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Tiagulskyi S. I. 
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide [Електронний ресурс] / S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_9
An electroluminescent device utilizing a heterostructure of amorphous terbium doped carbon-rich SiOx (a-SiOx:C:Tb) on silicon has been developed. The a-SiOx:C:Tb active layer was formed by RF magnetron sputtering of a-SiO1-x:Cx:H(:Tb) film followed by high-temperature oxidation. It was shown that, depending on the polarity of the applied voltage, the electroluminescence is either green or white, which can be attributed to different mechanisms of current transport through the oxide film - space charge limited bipolar double injection current for green electroluminescence and trap assisted tunneling or Fowler-Nordheim tunneling for white electroluminescence.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.357 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Melnichuk Ye. Ye. 
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface [Електронний ресурс] / Ye. Ye. Melnichuk, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, Yu. N. Kozyrev, V. S. Lysenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 4. - С. 331-335 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_4_5
Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that electron transitions from the ground state of the valence band in a quantum dot to the conduction band of Si surrounding make the main contribution into monopolar photoconductivity below the fundamental absorption edge of crystalline Si. Photoexcited holes were found to be localized in Ge nanoislands inducing the lateral conductivity changes in the near-surface depletion layer of p-Si substrate due to the field-effect.
Попередній перегляд:   Завантажити - 292.427 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Vasin A. V. 
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films [Електронний ресурс] / A. V. Vasin, Y. Ishikawa, A. V. Rusavsky, A. N. Nazarov, A. A. Konchitz, V. S. Lysenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 63-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_13
Near-stochiometric and carbon-rich a-Si1-xCx:H thin films were deposited using the magnetron sputtering of Si target in Ar/CH4 gas mixture. As-deposited nearstochimetric (x = 0,5) sample showed weak blue photoluminescence (PL), while PL of as-deposited carbon-rich (x = 0,7) sample was 20 times stronger and white in color. The films were annealed in pure argon, wet argon, and dry oxygen at <$E450~symbol Р roman C> for 30 min. The intensity of PL in a-Si1-xCx:H layers were enhanced by the factor from 2 to 12 after annealing in dependence on the annealing atmosphere. The strongest oxidation and strongest light emission were observed in carbon-rich series (x = 0,7) after annealing in oxidizing atmosphere. Structural properties of the films were characterized by infra-red absorption spectroscopy, ellipsometry and electron paramagnetic resonance. The effect of carbon enrichment of a-Si1-xCx:H films and annealing atmosphere on the evolution of photoluminescence and local interatomic bonding structure in annealed material were studied and analyzed. It has been found that main effects of thermal treatments is strong enhancement of photoluminescence accompanied by formation of Si:C-Hn and Si-OxCy bonding. The strongest oxidation effect as well as strongest photoluminescence were observed in carbon-rich a-SiC:H films.
Попередній перегляд:   Завантажити - 490.64 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Nazarova T. M. 
Hydrogen as a Source of High-Temperature Charge Instability in Silicon-on-Insulator Structures and Field Effect Transistors [Електронний ресурс] / T. M. Nazarova, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, V. M. Tomashik, D. Flandre // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 521-525. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_43
Досліджено явище високотемпературної нестабільності заряду в приповерхневому оксиді n-МОН структури з повністю виснаженою інверсною модою в кремнії-на-ізоляторі та високотемпературну динаміку носіїв струму в конденсаторах, виготовлених із використанням кремнію, імплантованого киснем, і кремнію за присутності SiO2. Показано, що природа процесу високотемпературної нестабільності заряду зумовлена генерацією протонів в порушеній зоні поблизу межі приповерхневий оксид - кремнієва підкладка за температур вищих за 200 градусів за Цельсієм. Визначено значення енергії активації процесу генерації протонів (1,2 еВ для SIMOX і від 0,9 до 1,5 еВ для UNIBOND матеріалів) і розраховано коефіцієнт дифузії протонів у приповерхневому оксиді.
Попередній перегляд:   Завантажити - 183.261 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Lysenko V. S. 
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures [Електронний ресурс] / V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Ye. Ye. Melnichuk, M. I. Terebinska, O. I. Tkachuk, Yu. N. Kozyrev, V. V. Lobanov // Поверхность. - 2015. - Вып. 7. - С. 285-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2015_7_32
Досліджено фотогенерацію і транспорт нерівноважних носіїв заряду і визначений механізм фотовідповіді в напівпровідникових SiGe/Si і SiGe/SiO2/Siр-гетероструктурах з наноострівцями. Зразки були вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних, оптичних та електричних властивостей гетероструктур з нанорозмірними об'єктами - квантовими точками і квантовими ямами. Показано, що фотопровідність наногетероструктури SiGe/Si в інфрачервоному діапазоні в залежності від компонентного складу, розмірів і величини механічних напружень в наноострівців Si1-xGex визначається міжзонними і внутрішньозонними переходами за участю локалізованих станів валентної зони Ge нанорозмірних об'єктів. Встановлено ефекти фото- довгострокового розпаду і оптичного затухання провідності в SiGe/SiO2/n-Si гетероструктур з SiGe нанокластерами, які викликані змінами електростатичного потенціалу в приповерхневій зоні p-Si підкладки і оптично-індукованого просторового перерозподілу захоплених позитивних зарядів між рівнями межі поділу SiO2/Si і локалізованих станів Ge наноострівців. Вивчено адсорбційні комплекси германію на реконструйованій грані Si (001) (<$E 4~times~2>) на прикладі кластера Si96Ge2H84. Для атомів Ge, локалізованих в приповерхневому шарі кластера, результати розрахунків методом ТФГ (B3LYP, 6-31G<^>**) положення їх 3d-остовних рівнів свідчить про кореляцію між хімічним зсувом Ge (3d) і хімічним оточенням атомів германію.
Попередній перегляд:   Завантажити - 810.644 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Lysenko V. 
Drones camera calibration for the leaf research [Електронний ресурс] / V. Lysenko, O. Opryshko, D. Komarchyk, N. Pasichnik // Науковий вісник Національного університету біоресурсів і природокористування України. Серія : Техніка та енергетика АПК. - 2016. - Вип. 252. - С. 61-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvnau_tech_2016_252_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 506.631 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Lysenko V. S. 
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces [Електронний ресурс] / V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Yu. N. Kozyrev, M. Yu. Rubezhanska, V. P. Kladko, Yu. V. Gomeniuk, O. Y. Gudymenko, Ye. Ye. Melnichuk, G. Grenet, N. B. Blanchard // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 11. - С. 1132-1140. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_11_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.377 Mb    Зміст випуску     Цитування
14.

Lysenko V. 
Nanophysics and antiviral therapy [Електронний ресурс] / V. Lysenko, V. Lozovski, M. Spivak // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 1. - С. 77-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_1_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 781.421 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Shapar V. M. 
Analysis of multichannel optical rotary connectors based on the compensation operating principle with mirror and prismatic optical compensators (Part 1) [Електронний ресурс] / V. M. Shapar, V. S. Lysenko, A. V. Savchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 1-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_3
Performed in this work is a comprehensive theoretical computer analysis of performances inherent to two types of multichannel optical rotary connectors (ORC) of compensation operation based on mirror and prismatic compensators. This analysis relies on exact analytical expressions obtained for light ray paths in ORC models with a mirror compensator made in the form of bilateral mirror placed between two optical hemispheres and with prismatic compensator made in the form of Dove prism placed between two non-aberrational elliptic lenses. Found in ORC with the mirror compensator is the essential deficiency inherent to all these constructions, which is related with considerable rotary oscillations in the value of optical signals in mirror angular positions when the mirror halves the input light beam. In these mirror positions, the amplitude value of optical signal oscillations exceeds 95 %, and optical losses are higher than - 13 dB, when the rotor turns. One deficiency more in these constructions is also strict technical requirements to the accuracy of making the optical components and mechanisms at the level of 1 - 2 mu m. Concerning the ORC construction with a prismatic compensator as well as collimator and focusing lenses common for all the channels, one should note the inadmissibly high optical losses of the signal value (higher than -30 - 40 dB) in the case of construction with fiber-optic interfaces, and large dimensions and mass in the case of active construction with optoelectronic transducers at the inputs and outputs of ORC. For example, when the number of channels N = 10 the longitudinal dimension of optical transfer channel (prism and lenses) exceeds 300 mm, and this dimension increases with increasing the number of channels. When this dimension is lower than 100 mm, the facility can be equipped with only one optical communication channel containing one LED and one photodiode located on the rotation axis. Optical losses in these constructions cannot be also considered as the satisfactory ones, since the respective loss value is higher than -18 dB for the number of channels N = 10.
Попередній перегляд:   Завантажити - 883.514 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Iliash S. A. 
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films [Електронний ресурс] / S. A. Iliash, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, V. S. Lysenko, Yu. M. Kozyrev, V. V. Lendel // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 259-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_22
The paper focuses on experimental study of the photovoltage time decay in ITO - Ge - Si heterojunction with Ge nanostructured thin film. Kinetics under 650 nm excitation within the temperature range 80 to 290 K are successfully described by a single exponential function with temperature-dependent decay constants. Photovoltage relaxation is modeled taking into account the hopping nature of electron transport in the band of localized states.
Попередній перегляд:   Завантажити - 191.524 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Garas M. N. 
Features of severe bronchial asthma in children with exercise-induced bronchospasm [Електронний ресурс] / M. N. Garas, H. V. Lekhkun, V. V. Lysenko, N. V. Basіuk // Буковинський медичний вісник. - 2017. - Т. 21, № 2(2). - С. 25-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bumv_2017_21_2(2)__8
На підставі комплексного обстеження 46 школярів, які хворіють на тяжку персистувальну бронхіальну астму (БА), установлено, що більшість дітей із фенотипом астми фізичної напруги характеризувалася гіпереозинофілією мукоспіну (середній вміст еозинофілів індукованого мокротиння більше 8 %), у порівнянні з пацієнтами, що хворіють на тяжку БА без ознак бронхоспазму фізичної напруги. Також встановлено виразнішу гіперчутливість дихальних шляхів до гістаміну у школярів, хворих на тяжку БА фізичної напруги, що підтверджується вірогідно більшою часткою пацієнтів із тяжкою гіперчутливістю дихальних шляхів до гістаміну (ПК20Г << 0,5 мг/мл) серед школярів з ознаками бронхоспазму фізичної напруги, ніж серед дітей без явищ конструкції фізичного зусилля.
Попередній перегляд:   Завантажити - 253.941 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Davydov O. N. 
Species Diversity of Carp, Cyprinus carpio (Cypriniformes, Cyprinidae), Parasites in Some Cultivation Regions [Електронний ресурс] / O. N. Davydov, V. N. Lysenko, L. Ya. Kurovskaya // Вестник зоологии. - 2011. - Т. 45, № 6. - С. 491–502. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vzl_2011_45_6_3
Проведено зоогеографическое сравнение особенностей видового разнообразия паразитов карпа из разных регионов разведения, включая водные экосистемы Украины, Узбекистана, России, Вьетнама. Всего у карпа в пределах этих регионов зарегистрировано 160 видов паразитов. Отмечены специфические и имеющие эпизоотологическое и медико-ветеринарное значения виды паразитов с прямым и сложным циклом развития.
Попередній перегляд:   Завантажити - 120.015 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Lysenko V. 
The estimation of the economic efficiency of remote monitoring with uav usage in agrarian sector [Електронний ресурс] / V. Lysenko, N. Pasichnyk, D. Komarchuk, O. Opryshko // Енергетика і автоматика. - 2017. - № 4. - С. 106-113. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eia_2017_4_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 233.592 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Lysenko V. 
The optimization of power consumption of mobile robots [Електронний ресурс] / V. Lysenko, І. Bolbot, І. Chernov // Системні технології. - 2015. - Вип. 6. - С. 58-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/st_2015_6_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.708 Mb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського