Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Журнали та продовжувані видання (3)Реферативна база даних (36)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Sizov F$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 21
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Sakhno M. V. 
Simulated properties of printed antennas on silicon substrates for THz/sub-THz arrays [Електронний ресурс] / M. V. Sakhno, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 55-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_10
Some properties of printed antennas and arrays for uncooled silicon plasmon detector arrays based on field effect transistors are shortly discussed. Antenna geometry has been optimised for maximising gain at 300 GHz. It is shown that for bow-tie antennas in the arrays in diffraction limit approximation, there are almost no cross-talks between the neighbour antennas. It is shown that the gain for one antenna is higher than that for antenna, in the array.
Попередній перегляд:   Завантажити - 202.122 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Sizov F. F. 
IR region challenges: Photon or thermal detectors? Outlook and means [Електронний ресурс] / F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 183-199. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.746 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Sizov F. F. 
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector [Електронний ресурс] / F. F. Sizov, A. B. Smirnov, R. K. Savkina, V. A. Deriglazov, M. V. Yakushev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 65-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.525 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Melezhik E. O. 
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 85-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_18
Electron relaxation processes at nitrogen temperatures in CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe quantum well (QW) with an inverted band structure is modelled. In this structure, scattering by longitudinal optical phonons, charged impurities, acoustic phonons and interfaces were taken into account. It was found that for undoped and lightly doped QWs (concentration of background n-type charged impurities in the well is 10<^>14 - 10<^>16 cm<^>-3 or less), for x close to the band inversion value 0,16, the electron mobility grows considerably when the QW width decreases. This mobility is higher for samples with smaller concentrations of charged impurities.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.601 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Golenkov A. G. 
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs [Електронний ресурс] / A. G. Golenkov, K. S. Zhuravlev, J. V. Gumenjuk-Sichevska, I. O. Lysiuk, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_9
Un-cooled AlGaN/GaN-based heterojunction field-effect transistors (HFET) designed on sapphire (0001) substrates were considered as 140 GHz direct detection detectors without any specially attached antennas. The noise equivalent power (NEP) of these detectors was ~ 10<^>-10 W/Hz<^>1/2 in the observed radiation frequency range at ambient temperatures. It has been shown that the ultimate value for the AlGaN/GaN HFET detectors (in 0,25-<$Emu>m technology) can reach <$ENEP sub roman opt ~symbol Ы~6~cdot~10 sup -12> W/Hz<^>1/2, and it is 3-fold lower than that for Si MOSFET (in 0,35-<$Emu>m technology).
Попередній перегляд:   Завантажити - 508.187 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Sizov F. 
HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region [Електронний ресурс] / F. Sizov, Z. Tsybrii, M. Vuichyk, К. Andreyeva, М. Apatsка, S. Bunchuk, N. Dmytruk, М. Smolii // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 1. - С. 49-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_1_7
Изготовлены фотодиоды HgCdTe средневолнового инфракрасного (ИК) диапазона спектра большой площади (∅ = 0,5 мм) с длинноволновой границей фотоответа λco ≈ 5 мкм и исследованы их характеристики на структурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Оценены характеристики таких фотодиодов, необходимые для их функционирования в режимах, ограниченных флуктуациями потока фотонов фонового излучения (BLIP режим, BLIP-background limited performance).
Попередній перегляд:   Завантажити - 701.056 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Smirnov A. B. 
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions [Електронний ресурс] / A. B. Smirnov, O. S. Lytvyn, V. A. Morozhenko, R. K. Savkina, M. I. Smoliy, R. S. Udovytska, F. F. Sizov // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 9. - С. 872-880. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_9_12
Надано результати систематичних досліджень структурних, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетероструктур <$E n- {roman Cd} sub x {roman Hg> sub 1-x roman {Te "/" CdZnTe}> (x ~ 0,223) до та після опромінення іонами B<^>+ і Ag<^>+ (100 кeВ, доза імплантації <$E Q~=~3~cdot~10 sup 13> см<^>-2). Здійснено математичне моделювання процесу іонної імплантації із застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результаті опромінення на поверхні досліджуваних зразків відбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневій області - шару з відмінними від матриці оптичними характеристиками. В результаті імплантації епітаксійних шарів CdxHg1-xTe іонами бору та срібла з однаковою енергією та дозою утворюється суттєво відмінний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механічними напруженнями, що відрізняються на 2 порядки величини. Одержано значення коефіцієнта стискання <$E beta> кристалічної гратки та механічних напружень <$E sigma sub maks> в області радіаційного розупорядкування твердого розчину. Обговорено роль механічних напружень легованого шару у перерозподілі дефектів і формуванні постімплантаційних властивостей Cd0,223Hg0,777Te.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.098 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Sizov F. 
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor [Електронний ресурс] / F. Sizov // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 2. - С. 114-119. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_2_5
Обговорено результати досліджень, які пов'язані з розвитком та використанням інфрачервоних (ІЧ) та суб-терагерцових (ТГц) приймачів випромінювання, що базуються на напівпровіднику HgCdTe. Показано, що напівпровідник КРТ (кадмій-ртуть-телур) може бути застосованим для створення "двокольорового" детектора, який працює у ІЧ та суб-ТГц діапазонах спектра.
Попередній перегляд:   Завантажити - 661.161 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Shapovalov A. P. 
Structure and optical properties of AlN films obtained using the cathodic arc plasma deposition technique [Електронний ресурс] / A. P. Shapovalov, I. V. Korotash, E. M. Rudenko, F. F. Sizov, D. S. Dubyna, L. S. Osipov, D. Yu. Polotskiy, Z. F. Tsybrii, A. A. Korchovyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 2. - С. 117-122. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_2_3
Aluminum nitride (AlN) film coatings have been obtained by a new technique of hybrid helikon-arc ion-plasma deposition. Possibility to combine the magnetic-filtered arc plasma deposition technique with a treatment in RF plasma of helicon discharge allowed us to deposit AlN coatings on thermolabile substrates, significantly increasing the deposition rate. A study of spectral properties of AlN films (reflection and transmission spectra within the range 2 - 25 µm) has been carried out by using the infrared Fourier spectrometer Spectrum BX-II. It has been shown that the obtained composite structures (AlN coatings on teflon and mylar substrates) could be used as passive filters in the infrared spectral range.
Попередній перегляд:   Завантажити - 429.139 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Golenkov A. G. 
Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection [Електронний ресурс] / A. G. Golenkov, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 129-138. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_3
Performance limits of uncooled unbiased field effect transistors (FETs) and Schottky-barrier diodes (SBDs) as direct detection rectifying terahertz (THz) detectors operating in the broadband regime have been considered in this paper. Some basic extrinsic parasitics and detector-antenna impedance matching were taken into account. It has been concluded that, in dependence on radiation frequency, detector and antenna parameters, the ultimate optical responsivity (Ropt) and optical noise equivalent power (NEPopt) of FETs in the broadband detection regime can achieve Ropt ~ 23 kV/W and NEPopt ~ · 10-12 W/Hz1/2, respectively. At low radiation frequency Ʋ in the THz spectral region the NEPopt of SBD detectors can be better by a factor of ~ 1,75 as compared to that of Si MOSFETs (metal oxide semiconductor FETs) and GaAlN/GaN HFETs (heterojunction FETs) with comparable device impedances.
Попередній перегляд:   Завантажити - 332.438 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Sizov F. F. 
Detection of IR and sub/THz radiation using MCT thin layer structures: design of the chip, optical elements and antenna pattern [Електронний ресурс] / F. F. Sizov, Z. F. Tsybrii, V. V. Zabudsky, M. V. Sakhno, A. V. Shevchik-Shekera, S. Ye. Dukhnin, A. G. Golenkov, E. Dieguez, S. A. Dvoretsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 149-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_5
Two-color un-cooled narrow-gap MCT (mercury-cadmium-telluride) semiconductor thin layers, grown by liquid phase epitaxy or molecular beam epitaxy methods on high resistivity CdZnTe or GaAs substrates, with bow-type antennas were considered both as sub-terahertz direct detection bolometers and 3 - 10-micrometer infrared photoconductors. Optical system with aspheric THz lenses were designed and manufactured. An antenna pattern of structures on the thick substrate was discussed, and sensitivity of detector in both IR and sub-THz regions was measured.
Попередній перегляд:   Завантажити - 571.028 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Melezhik E. O. 
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, J. V. Gumenjuk-Sichevska, F. F. Sizov // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 297-301. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_12
Modeled in this work is the electron mobility in the n-type Hg0,32Cd0,68Te/Hg1-xCdxTe/Hg0,32Cd0,68Te quantum well being in the semi-metal state at T = 77 K. Calculations take into account longitudinal polar optical phonon scattering, charged impurities scattering and electron-hole scattering. The Boltzmann transport equation has been solved directly to account the inelasticity of optical phonon scattering. Numerical modeling showed that the intrinsic electron mobility at liquid nitrogen temperature is sufficiently low. This mobility can be increased up to the values close to 10<^>5 - 10<^>6 cm<^>2/(<$Eroman {V~cdot~s}>) by increasing the electron concentration in the well. A higher electron concentration could be reached by doping the barriers or by applying the top gate voltage. The effect of mobility growth could be explained by the enhancement of 2DEG screening and the decrease of holes concentration.
Попередній перегляд:   Завантажити - 200.877 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Smirnov A. B. 
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation [Електронний ресурс] / A. B. Smirnov, A. A. Korchovyi, N. M. Krolevec, V. A. Morozhenko, R. K. Savkina, R. S. Udovytska, F. F. Sizov // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 10. - С. 1055-1061. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_10_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.07 Mb    Зміст випуску     Цитування
14.

Sizov F. 
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor [Електронний ресурс] / F. Sizov // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 2. - С. 114-119. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_2_5
Обговорено результати досліджень, які пов'язані з розвитком та використанням інфрачервоних (ІЧ) та суб-терагерцових (ТГц) приймачів випромінювання, що базуються на напівпровіднику HgCdTe. Показано, що напівпровідник КРТ (кадмій-ртуть-телур) може бути застосованим для створення "двокольорового" детектора, який працює у ІЧ та суб-ТГц діапазонах спектра.
Попередній перегляд:   Завантажити - 665.081 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Kukhtaruk N. I. 
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection [Електронний ресурс] / N. I. Kukhtaruk, V. V. Zabudsky, A. V. Shevchik-Shekera, N. N. Mikhailov, F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 173-178. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 187.167 Kb    Зміст випуску     Цитування
16.

Sizov F. F. 
Infrared and terahertz in biomedicine [Електронний ресурс] / F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 273-283. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_3
A number of potential advances of infrared and terahertz technologies in application mainly to biomedicine is shortly discussed. In spite of the fact that there are a number well established imaging and spectroscopic techniques in application to biomedicine there exists some problems where IR and THz technologies are the challenging technologies that can provide information not available from other techniques. E.g., they can be applied in the cases where there is a need of improving the surgical removal of cancer, strictly locating tumor margins when conservation of normal tissue is needed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 470.857 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Melezhik E. O. 
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures [Електронний ресурс] / E. O. Melezhik, F. F. Sizov, N. N. Mikhailov, J. V. Gumenjuk-Sichevska // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 2. - С. 187-194. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_2_14
The dynamical screening function of two-dimensional electron gas in a wide HgTe quantum well (QW) has been numerically modeled in this work. Calculations were performed in the Random Phase Approximation (RPA) framework and were based on the Lindhard equation. Our simulations directly incorporated non-parabolicity of bulk 2D carriers' spectrum, which was obtained by full 8-band k.p method. Known from literature are the data that transport properties of HgTe QWs can be explained by graphene-like screening. We carried out the comparison of the screening function for the Schrodinger fermions in the inverted bands HgTe QW with the appropriate screening function for graphene monolayer with the Dirac fermions. In addition, the dependences of HgTe-specific screening function on temperature, scattering wave-vector and frequency have been studied with the purpose to ascertain the transport properties under high frequency radiation for the QW structures to be used as THz detectors. Plasmon frequencies of 2DEG in HgTe quantum well under study were calculated in the long-wave limit for T = 77 K.
Попередній перегляд:   Завантажити - 839.798 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Sizov F. F. 
Brief history of THz and IR technologies [Електронний ресурс] / F. F. Sizov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 1. - С. 67-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_1_13
Brief history of terahertz (THz) and infrared (IR) science and technology, for learning lessons by historical evolution is presented and discussed identifying important (from Author's point of view) steps for their development. THz still is the not well-known region of electro-magnetic science, even it has been lightened by starting of scientific and technological knowledge, since the end of 19<^>th century. As concerning history of IR science and technology, it took many years since 1800 (W. Hershel) to reach the level of use that is recognized today. The link between IR and thermal science and applications was so strong that IR was for a long time synonymous of thermography. THz science and technology are showing a rapid growth. IR and, especially THz technologies, now have become one of the major fields of applied research. Nowadays, they become widely spread in their use in astrophysics, security, biomedicine, detection of hidden objects, food and art inspection, etc. The increasing requirements for fast transmission of large amounts of data will lead to the extension of operation frequencies in communications toward the THz frequency range. IR and THz medical imaging can provide guidance for surgeons in delimiting the tumor margins, help clinicians visualize diseased area, etc. A few decades ago, IR technologies were mainly the domain of military ones. In recent two decades, due to widespread of low-cost thermal uncooled arrays there were realized many IR technology advances in civil and military applications. A large amount of THz technologies mass-market applications can't be highlighted, as these technologies do not meet yet the user requirements, especially in easiness of use and costs. Still, many of THz applications that we have now are emerging and showing their applicability in some implementations, where other methods can't give any comprehensive information, e.g., in dry food inspection for dielectric inclusions, skin tumour margins control, THz astronomy, package and envelope inspection, etc. The brief lessons given by historical highlights in THz and IR science and applications can be important for the future developments in these directions as history frequently opens routes for new thinking. In this brief review, the missed important steps can happen. Author apologizes for these possible faults.
Попередній перегляд:   Завантажити - 285.717 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Tsybrii Z. F. 
Infrared blocking materials [Електронний ресурс] / Z. F. Tsybrii, F. F. Sizov, A. G. Golenkov // Доповіді Національної академії наук України. - 2020. - № 2. - С. 24-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2020_2_6
Тонкі плівки AlN на гнучких полімерних підкладках тефлону та майлару характеризуються властивостями ефективних інфрачервоних (ІЧ) блокуючих фільтрів. Вони можуть придушувати теплові потоки від гарячих частин об'єктів (T ~ 300 - 500 K) і блокувати ІЧ випромінювання від них, але є прозорими у видимому, мікрохвильовому та ТГц спектральних діапазонах на відміну від спеціальних фарб, що демонструють відносно високу випромінювальну здатність в ІЧ області спектра.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.327 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
20.

Staryi S. 
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations [Електронний ресурс] / S. Staryi, I. Lysjuk, O. Golenkov, Z. Tsybrii, S. Danilov, J. Gumenjuk-Sichevska, K. Andrieieva, M. Smolii, F. Sizov // Ukrainian journal of physics. - 2023. - Vol. 68, № 8. - С. 543-548. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2023_68_8_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 802.365 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського