Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (12)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Snopok B$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Avramenko K. A. 
Raman and Photoluminescence Study of ZnO Films Grown by Chemical Method [Електронний ресурс] / K. A. Avramenko, А. S. Romanyuk, N. N. Roshina, V. V. Strelchuk, O. F. Kolomys, L. V. Zavyalova, S. V. Svechnikov, B. A. Snopok // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03TF12-03TF12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 309.273 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Burlachenko Yu. V. 
Methods of cluster analysis in sensor engineering: advantages and faults [Електронний ресурс] / Yu. V. Burlachenko, B. A. Snopok // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 393-397. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_15
We consider the crisp and fuzzy partitioning techniques of cluster analysis bearing in mind their application for classification of data obtained with chemical sensor arrays. The advantage of the cluster analysis techniques is existence of a parameter S(i). This parameter gives quantitative efficiency of classification and can be used as optimization criterion for sensor system as a whole as well as the measurement procedure. The crisp and fuzzy techniques give practically the same result when analyzing the data that cluster uniquely. It is shown that big value of the parameter S(i) is not sufficient for adequate data partitioning into cluster in more complicated cases, and the results of clusterization for the above techniques may diverge. In this case, one should apply both techniques concurrently, checking the correctness of partitioning into clusters against the principal component analysis.
Попередній перегляд:   Завантажити - 148.806 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Pusenkova A. S. 
SrTiO3:Eu3+ phosphors prepared by sol-gel synthesis: Structural characterization, magnetic properties and luminescence spectroscopy study [Електронний ресурс] / A. S. Pusenkova, O. N. Marchylo, L. V. Zavyalova, I. S. Golovina, S. V. Svechnikov, B. A. Snopok // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 4. - С. 343-351. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_4_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 317.067 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Manoilov E. G. 
Features of near-surface layer at monomolecular isotropic adsorption: Nonequilibrium molecular dynamics simulation [Електронний ресурс] / E. G. Manoilov, S. A. Kravchenko, B. A. Snopok // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 8. - С. 717-726. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_8_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.147 Mb    Зміст випуску     Цитування
5.

Tatyanenko N. P. 
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface [Електронний ресурс] / N. P. Tatyanenko, N. N. Roshchina, V. L. Gromashevskii, G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, B. A. Snopok // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 263-272. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_9
The effect of illumination in the visible spectral range on the magnitude of transverse acoustoelectric effect (TAE) in ZnS/Si structures was studied using a noncontact surface acoustic wave device based on the acoustoelectronic structure with an air gap. ZnS films were obtained using pyrolysis of the chelate organometallic complex, zinc diethyldithiocarbamate, on Si substrates within the temperature range 220 to <$E260~symbol Р roman C>. It has been established that the charge of the adsorption origin on the external surface of the ZnS film strongly influences the photo-processes in the structure under consideration. For the samples with a small surface charge, the value of TAE decreases rapidly with the increase in illumination power due to an increase in the concentration of non-equilibrium carriers. For the samples with a large surface charge, the barrier-trap mechanism of photogeneration is observed, in which the appearance of non-equilibrium carriers is accompanied by their capture and subsequent thermalization. This compensating mechanism explains well both stabilization of the magnitude of TAE by a distributed system of traps with rather large capacitance, and the specific shape of dependence of the TAE magnitude on illumination power. The technique developed by us on the basis of the transverse acoustoelectric effect in the layered piezodielectric/air-gap/semiconductor structure is a powerful tool for non-contact determination of the charge state of film structures, depending on their deposition parameters and various external conditions.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.043 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського