Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Катеринчук Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Катеринчук В. М. Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03032-1-03032-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_34 За допомогою методу термічного окиснення напівпровідникової підкладки створено новий гетероперехід власний оксид - p-In4Se3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудовано його якісну зонну діаграму. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар'єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Наведено також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |