Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Николаенко Автолокализация поверхностных электронов над$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Николаенко В. А. 
Автолокализация поверхностных электронов над структурированной подложкой, покрытой гелием [Електронний ресурс] / В. А. Николаенко, А. В. Смородин, С. С. Соколов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2014. - Т. 12, Вип. 1. - С. 1-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2014_12_1_3
Экспериментально исследована проводимость поверхностных электронов над пленкой жидкого гелия, которая покрывает структурированную подложку из кремния, содержащую регулярную систему микропор, в температурном интервале Т = 1,5 - 2,7 К. Установлено, что в области <$ET~symbol У~2,5> К проводимость резко падает, что можно объяснить образованием автолокализованного поляронного состояния электрона над гелиевой пленкой. Для проверки предположения о возникновении поляронного состояния поверхностного электрона в плотном паре гелия выполнен теоретический расчет свободной энергии полярона, минимум которой появляется при повышении температуры до некоторого критического значения. А зависимость от прижимающего поля находится в качественном согласии с экспериментальными данными по температуре резкого падения проводимости. Расчет предсказывает зависимость критической температуры от параметров потенциала, действующего в плоскости поверхности гелия и связанного с искажением формы поверхности гелия из-за структуры подложки. Это способствует появлению локализованного заряда над пленкой гелия. Результаты сравниваются с данными по автолокализации квазиодномерных электронов в паровой фазе над гелием.
Попередній перегляд:   Завантажити - 638.009 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського