![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Kozinetz Amorphous submicron layer in$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
1. |
Kozinetz A. V. Amorphous submicron layer in depletion region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 37-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_7 Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області.
| 2. |
Kozinetz A. V. Amorphous submicron layer in depletion region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 1. - С. 38-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_1_7 Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області.
|
|
|