Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Журнали та продовжувані видання (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>K=IATSUNSKYI<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Iatsunskyi I. R. 
Detection of ammonia molecules using optical reflectance from nanostructured silicon surface [Електронний ресурс] / I. R. Iatsunskyi, V. A. Smyntyna, M. M. Pavlenko // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_12
The reflectance properties of various porous silicon structures after ammonia adsorption were investigated. It was shown that increasing of ammonia concentration in the measurement chamber leads to an increase of the optical reflectance. The most sensitive structures for ammonia detection are porous silicon having approximately size of pores - 10 - 15 <$E mu>m.
Попередній перегляд:   Завантажити - 739.956 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Iatsunskyi I. R. 
Evolution of structural defects in silicon caused by high-temperature oxidation [Електронний ресурс] / I. R. Iatsunskyi // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 43-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 625.521 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Iatsunskyi I. R. 
One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon [Електронний ресурс] / I. R. Iatsunskyi, G Nowaczyk, M. M. Pavlenko, V. V. Fedorenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_7
Надано дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію, одержаного за допомогою методу хімічного неелектролітичного травлення. Надано інтерпретацію спостережуваних одно- та двофононних піків КРС. Виявлено, що піки КРС першого та другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об'ємного кремнію. Дане явище проаналізовано в межах фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900 - 1100 см<^>-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2TO (X), 2TO (W) і 2TO (L).
Попередній перегляд:   Завантажити - 279.798 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського