Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Вовчук Альтернативні джерела живлення та$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Вовчук Т. С. Альтернативні джерела живлення та іх деградаційна стійкість в умовах надзвичайних ситуацій техногенного характеру [Електронний ресурс] / Т. С. Вовчук, Н. В. Дейнеко, О. О. Кірєєв, О. А. Лєвтєров, Р. І. Шевченко // Інженерія природокористування. - 2020. - № 4. - С. 7-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Iprk_2020_4_3 Досліджено актуальну науково-практичну задачу (НПЗ) сфери цивільного захисту, а саме можливість безперебійного функціонування систем аварійної протидії (САПД) в умовах обмеженого електропостачання за рахунок використання альтернативних джерел живлення. В ході рішення поставленої НПЗ проведено аналіз сучасного стану сонячних елементів (СЕ) для використання як резервного електроживлення (РЕЖ) САПД. Встановлено що тонкоплівкові СЕ на основі телуриду кадмію (CdTe) p-типу провідності є перспективними СЕ в умовах наземного застосування. Вони мають найвищий серед одноперехідних фотоелектричних перетворювачів теоретичний ккд - 29 %. Для встановлення тривалості їх використання як РЕЖ САПД проведено аналіз деградаційної стійкості СЕ на основі телуриду кадмію (CdTe) p-типу провідності. Шляхом аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик проаналізовано вихідні та світлові діодні характеристики СЕ на основі CdS/CdTe придатних для використання як джерела електроживлення САПД. Аналіз світлових діодних характеристик досліджуваних СЕ спочатку експлуатації поліпшуються, а після 7 - 8 років погіршуються і повертаються майже до своїх значень у початковому стані. Встановлено, що після 8 років експлуатації величина ккд СЕ SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO практично збігається з вихідним значенням, що свідчить про високу деградаційної стійкість отриманих гетеросистем. Виявлені відмінності у вихідних параметрах і світлових діодних характеристиках СЕ SnO2:F/CdS/CdTe/Cu/ITO при освітленні з боку скляної підкладки і з боку прозорого тильного електрода, обумовлені впливом тильного діода на ефективність фотоелектричних процесів у базовому шарі.
|
|
|