Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>AT=Маланич Формирование полированной поверхности полупроводниковых$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Маланич Г. П. 
Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, В. Н. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 254-260. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_19
Исследовано взаимодействие монокристаллических пластин PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe с бромвыделяющими травителями (H2O2-HBr-этиленгликоль)/этиленгликоль (ЭГ), разработаны и оптимизированы составы травильных композиций, а также методики химической обработки для формирования высококачественной поверхности. Изучены зависимости скоростей химико-механического полирования (ХМП) от разбавления базового полирующего травителя органическим компонентом. Определен характер растворения исследуемых материалов в растворах (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ, построены графические зависимости "состав травителя - скорость травления". Установлены концентрационные границы областей полирующих и неполирующих растворов. Показано, что увеличение количества ЭГ в составе травильной смеси уменьшает скорость травления полупроводниковых подложек PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe и улучшает полирующие свойства травильных композиций. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (60 об. %). Микроструктурным и профилографическим анализами установлено влияние количественного и качественного состава травителей, а также способов химической обработки на параметры шероховатости поверхностей PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe. Установлено, что ХМП монокристаллических полупроводников травильными растворами состава H2O2-ЭГ способствует уменьшению структурных нарушений подложек и получению качественной полированной поверхности. Оптимизированы составы полирующих травильных композиций (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ и технологические режимы ХМП для снятия нарушенного слоя, быстрого контролированного утонения пластины до заданной толщины, снятия поверхностных пленок и финишного полирования поверхности монокристаллических образцов PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 295.554 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського