Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Маланич Формирование полированной поверхности полупроводниковых$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Маланич Г. П. Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, В. Н. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 254-260. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_19 Исследовано взаимодействие монокристаллических пластин PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe с бромвыделяющими травителями (H2O2-HBr-этиленгликоль)/этиленгликоль (ЭГ), разработаны и оптимизированы составы травильных композиций, а также методики химической обработки для формирования высококачественной поверхности. Изучены зависимости скоростей химико-механического полирования (ХМП) от разбавления базового полирующего травителя органическим компонентом. Определен характер растворения исследуемых материалов в растворах (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ, построены графические зависимости "состав травителя - скорость травления". Установлены концентрационные границы областей полирующих и неполирующих растворов. Показано, что увеличение количества ЭГ в составе травильной смеси уменьшает скорость травления полупроводниковых подложек PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe и улучшает полирующие свойства травильных композиций. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (60 об. %). Микроструктурным и профилографическим анализами установлено влияние количественного и качественного состава травителей, а также способов химической обработки на параметры шероховатости поверхностей PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe. Установлено, что ХМП монокристаллических полупроводников травильными растворами состава H2O2-ЭГ способствует уменьшению структурных нарушений подложек и получению качественной полированной поверхности. Оптимизированы составы полирующих травильных композиций (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ и технологические режимы ХМП для снятия нарушенного слоя, быстрого контролированного утонения пластины до заданной толщины, снятия поверхностных пленок и финишного полирования поверхности монокристаллических образцов PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe.
|
|
|