Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Прохоров Импеданс и эффективность генерации$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Прохоров Э. Д. 
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Радиофизика и электроника. - 2013. - Т. 4(18), № 1. - С. 86-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2013_4(18)_1_16
В настоящее время активно исследуются приборы, которые могут работать в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах. Для освоения данного диапазона используют твердотельные генераторы, работающие на частотах 100 - 150 ГГц, с последующим умножением с помощью умножителей частоты этих относительно низких частот до необходимого уровня (реально, пока, до 1 - 2 ТГц). Предложены полупроводниковые приборы, которые могут применяться как генераторы, усилители. Они представляют собой диоды с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая возникает за счет боковых туннельной или резонансно-туннельной границ (РТГ). В исследовании рассмотрены электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определены зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду.
Попередній перегляд:   Завантажити - 489.527 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського