Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Ромака Електронна структура термоелектричного матеріалу$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Ромака В. А. Електронна структура термоелектричного матеріалу ZrNi1-xRhxSn [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, Л. П. Ромака, П.-Ф. Рогль, В. В. Ромака, Ю. В. Стадник, А. М. Горинь, І. М. Романів, І. Р. Опірський // Термоелектрика. - 2017. - № 6. - С. 20-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2017_6_5 Досліджено особливості електронної та кристалічної структур термоелектричного матеріалу ZrNi1-xRhxSn, в основі яких одночасне генерування структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Показано механізм генерування структурних дефектів донорної природи та відповідної донорної зони <$Eepsilon sub D sup 2> в n-ZrNiSn як результат зайняття атомами Ni тетраедричних пустот структури (вакансій). Заміщення в ZrNi1-xRhxSn в позиції 4c атомів Ni на Rh генерує структурні дефекти акцепторної природи та породжує у забороненій зоні домішкову акцепторну зону <$Eepsilon sub A sup 1>, що разом з існуючою донорною зоною <$Eepsilon sub D sup 2> робить напівпровідник сильно легованим та сильно компенсованим. Встановлено залежність ширини забороненої зони <$Eepsilon sub g> n-ZrNiSn та ZrNi1-xRhxSn від концентрації атомів Ni у тетраедричних пустотах, а також у випадку появи вакансій у позиції 4а атомів Zr за генерування акцепторної зони <$Eepsilon sub A sup 2>.
|
|
|