Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Ромака Електронна структура термоелектричного матеріалу$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Ромака В. А. 
Електронна структура термоелектричного матеріалу ZrNi1-xRhxSn [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, Л. П. Ромака, П.-Ф. Рогль, В. В. Ромака, Ю. В. Стадник, А. М. Горинь, І. М. Романів, І. Р. Опірський // Термоелектрика. - 2017. - № 6. - С. 20-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2017_6_5
Досліджено особливості електронної та кристалічної структур термоелектричного матеріалу ZrNi1-xRhxSn, в основі яких одночасне генерування структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Показано механізм генерування структурних дефектів донорної природи та відповідної донорної зони <$Eepsilon sub D sup 2> в n-ZrNiSn як результат зайняття атомами Ni тетраедричних пустот структури (вакансій). Заміщення в ZrNi1-xRhxSn в позиції 4c атомів Ni на Rh генерує структурні дефекти акцепторної природи та породжує у забороненій зоні домішкову акцепторну зону <$Eepsilon sub A sup 1>, що разом з існуючою донорною зоною <$Eepsilon sub D sup 2> робить напівпровідник сильно легованим та сильно компенсованим. Встановлено залежність ширини забороненої зони <$Eepsilon sub g> n-ZrNiSn та ZrNi1-xRhxSn від концентрації атомів Ni у тетраедричних пустотах, а також у випадку появи вакансій у позиції 4а атомів Zr за генерування акцепторної зони <$Eepsilon sub A sup 2>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 898.091 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського