Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>AT=Fodchuk Structural changes in Cz-Si$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Fodchuk І. М. 
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry [Електронний ресурс] / І. М. Fodchuk, V. V. Dovganyuk, Т. V. Litvinchuk, V. P. Kladko, М. V. Slobodian, O. Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 209-213. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_21
Structural changes in silicon single crystals irradiated with high-energy electrons (E = 18 MeV) were studied. The peculiarities of diffraction reflection curve behaviour and changes in the profiles of isodiffusion lines in high-resolution reciprocal space maps (HR-RSMs) were found as a function of the radiation dose. The generalized dynamic theory of X-ray Bragg-diffraction in crystals comprising defects of several types (spherical and disc-shaped clusters as well as dislocation loops) and a damaged near-surface layer was used for explanation.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.132 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського