Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Kostylyov Influence of surface centers$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Kostylyov V. P. Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells [Електронний ресурс] / V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, I. O. Sokolovskyi, V. V. Chernenko, T. V. Slusar, A. V. Sushyi // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 4. - С. 362-369. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_4_10 Наведено результати дослідження впливу рекомбінаційних експоненціально розподілених поверхневих центрів на процеси поверхневої рекомбінації та характеристики кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Під час розрахунках вважалося, що система акцепторних поверхневих станів розташована в верхній половині забороненої зони кремнію, а донорних поверхневих станів - у нижній. Враховувалось також, що біля середини забороненої зони знаходиться дискретний поверхневий рівень. Показано, що у випадку, коли інтегральна концентрація неперервно розподілених центрів порівняна з концентрацією глибокого поверхневого рівня, вони впливають на характеристики кремнієвих СЕ лише завдяки рекомбінації. У другому випадку, коли їх концентрація порядку більша за концентрацію, яка характеризує вбудований у діелектрику заряд, вони безпосередньо впливають на величину поверхневого вигину зон і значення фотоерс. В результаті комп'ютерного моделювання встановлено умови, за яких швидкість рекомбінації через неперервно розподілені поверхневі центри є більшою за швидкість рекомбінації через глибокий дискретний рівень. Розраховано зменшення напруги розімкненого кола в кремнієвих інверсійних СЕ, пов'язане з рекомбінацією через неперервно розподілені центри. Розвинену теорію порівняно з експериментом. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |