Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (5)Журнали та продовжувані видання (1)Реферативна база даних (22)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Конакова Р$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Саченко А. В. 
Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) [Електронний ресурс] / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, В. Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 5-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_2
Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления <$E rho sub c ( T )> омических контактов к широкозонным полупроводникам A<^>3B<^>5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа <$E rho sub ( T )> предложен новый способ увеличения <$E rho sub c> с повышением температуры измерения. В нем учитывается токопрохождение по металлическим шунтам, совмещенным с перпендикулярными к границе раздела металл - полупроводник дислокациями. Показано, что малое поперечное сечение металлических шунтов обусловливает реализацию большого потенциала сил зеркального изображения, превышающего исходную величину барьера Шоттки. В результате этого возникают обогащающие изгибы зон у торцов шунтов, реализуются диффузионная теория токопрохождения в контакте, а также зависимость величины <$E rho sub c> от подвижности электронов. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей <$E rho sub c ( T )> для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, совмещенных с металлическими шунтами. Показана возможность уменьшения <$E rho sub c> омических контактов к соединениям A<^>3B<^>5 и Si, подвергнутых атермической микроволновой обработке.
Попередній перегляд:   Завантажити - 751.514 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Мілєнін В. В. 
Модифікація оптичних параметрів епітаксійних структур на основі арсеніду галію та фосфіду індію слабким магнітним полем [Електронний ресурс] / В. В. Мілєнін, М. С. Заяць, Р. А. Редько, Р. В. Конакова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 609-611. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_13
кспериментально встановлено, що вплив імпульсних магнітних полів на епітаксійні структури на основі GaAs та InP призводить до зміни їх оптичних характеристик. Зроблено припущення, що ці зміни зумовлені структурними неоднорідностями поверхонь і меж поділу епішарів, які виникають після магнітопольової обробки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 129.407 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Будзуляк С. И. 
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения [Електронний ресурс] / С. И. Будзуляк, Д. В. Корбутяк, А. П. Лоцько, Н. Д. Вахняк, С. М. Калитчук, Л. А. Демчина, Р. В. Конакова, В. В. Шинкаренко, А. В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 45-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_4_9
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd-СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга-Рис) от времени облучения.Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd-СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга-Рис) в залежності від часу опромінення.High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uniformity of chlorine impurity distribution over crystal. It is known that low-dose microwave irradiation can homogenize impurity distribution in a specimen. In the present work, we made an attempt to improve the detector material quality by using such post-technological treatment, as well as to study state variation for impurity-defect complexes. To this end, the effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of ClTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VCd–ClTe) defect centers at which excitons are bound. Detailed investigations of the band form for donor-acceptor pairs (DAPs) in CdTe:Cl single crystals made it possible to determine the Huang-Rhys factor (that characterizes electron-phonon interaction in CdTe:Cl DAPs) as a function of microwave treatment duration. It is shown for single crystals with NCl = 5?1017 cm–3 and 5?1019 cm–3 that the Huang-Rhys factor grows with microwave irradiation dose. This is related to both homogenization of donor and acceptor centers distribution and increase of donor-acceptor spacing. Itis shown that microwave irradiation of CdTe:Cl single crystals results in concentration reduction for separate cadmium vacancies VCd because of formation of (VCd-ClTe) defect centers at which excitons are bound.
Попередній перегляд:   Завантажити - 420.888 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Охрименко О. Б. 
Оценка автоэмиссионных свойств наноструктур на основе карбида кремния и графена [Електронний ресурс] / О. Б. Охрименко, Р. В. Конакова, А. М. Светличный, О. Б. Спиридонов, Е. Ю. Волков // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2012. - Т. 10, Вип. 2. - С. 335-342. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2012_10_2_10
Выполнена оценка автоэмиссионных свойств катода, представляющего собой структуру, изготовленную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой пленкой графена. Рассчитаны вольтамперные характеристики для катодного острия, изготовленного из графена и карбида кремния. Показано, что при одинаковой разности потенциалов ток автоэмиссии больше для катода, сделанного из графена. Оценка показывает, что автоэмиссионные острия на основе графена обладают лучшими эмиссионными характеристиками и их можно использовать в современных приборах наноэлектроники.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.732 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Конакова Р. В. 
Автоэмиссионные свойства острийных катодов на основе пленок графена на SiC [Електронний ресурс] / Р. В. Конакова, О. Б. Охрименко, А. Ф. Коломыс, В. В. Стрельчук, А. М. Светличный, О. А. Агеев, Е. Ю. Волков, А. С. Коломийцев, И. Л. Житяев, О. Б. Спиридонов // Сверхтвердые материалы. - 2016. - № 4. - С. 23-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2016_4_4
Рассмотрены электрические свойства низкопороговых автоэмиссионных катодов, сформированных путем выращивания нанокластерных пленок графена на острийной поверхности сильнолегированного n+SiC методом сублимационной эпитаксии. Качество графенового покрытия оценено на основании морфологических исследований и спектроскопии комбинационного рассеяния света. На основе вольтамперной характеристики рассчитана работа выхода (~ 0,76 эВ) из острийного катода с графеновым покрытием. Такое низкое значение работы выхода объяснено в рамках предположения о нанокластерной природе пленки графена и тем, что источником автоэмиссии являются нанокластеры графена.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.562 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Бєляєв А. Є. 
Оптичні властивості епітаксійних плівок GaN, що перебували під дією мікрохвильового опромінення [Електронний ресурс] / А. Є. Бєляєв, М. І. Клюй, Р. В. Конакова, А. М. Лук’янов, Ю. М. Свешніков, А. М. Клюй // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 1. - С. 34-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_1_6
Досліджено вплив мікрохвильових обробок (МХО) на оптичні властивості епітаксійних плівок GaN гексагональної модифікації. Для діагностики рівня внутрішніх механічних напружень і структурної досконалості тонкого приповерхневого шару плівки використано метод електровідбивання (ЕВ). Спектри ЕВ виміряно в області локалізації перших прямих зона-зонних переходів. Показано, що внаслідок МХО в опромінених плівках спостерігається релаксація внутрішніх механічних напружень і поліпшення структурної досконалості приповерхневого шару. Запропоновано механізм виявлених ефектів, що враховує резонансні ефекти та локальний розігрів дефектних областей плівки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 333.038 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Будзуляк С. И. 
Влияние СВЧ-облучения на спектры фотолюминесценции монокристаллов CdTe: Cl при Т = 2k [Електронний ресурс] / С. И. Будзуляк, Н. Д. Вахняк, Л. А. Демчина, Д. В. Корбутяк, Р. В. Конакова, А. П. Лоцько, О. Б. Охрименко, Р. А. Редько, Н. И. Березовская, Ю. В. Быков // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 2. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_2_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.12 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського