![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Лобанов В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 60
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Філоненко О. В. Квантовохімічне дослідження утворення сферичних молекул діоксиду кремнію при полімеризації ортокремнієвої кислоти [Електронний ресурс] / О. В. Філоненко, В. В. Лобанов // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2013. - Т. 4, № 3. - С. 260-265. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2013_4_3_5
| 2. |
Ткачук О. И. Структура и свойства первичных поверхностных образований германия на грани Si(001): квантовохимические исследования [Електронний ресурс] / О. И. Ткачук, М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 3. - С. 256-274. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_3_4 Проведен сравнительный анализ применимости методов квантовой химии различной степени сложности к описанию структуры и свойств чистой грани Si(001), содержащей на поверхности атомы германия. Установлено что наиболее рациональным с точки зрения как воспроизводимости экспериментально установленных результатов и предсказания неизвестных фактов, так и умеренности затрат вычислительного времени и машинных ресурсов является метод теории функционала плотности в кластерном приближении с привлечением обменно-корреляционного функционала B3LYP и базиса 6-31 G<^>**. Показано, что именно в этом приближении квантовохимические расчеты правильно передают длину поверхностных димерных связей >>Si - Si<<, >>Si - Ge<< и >>Ge - Ge<< и воспроизводят экспериментально установленный факт их буклирования.
| 3. |
Дем’яненко Є. М. Квантовохімічне дослідження структурних перетворень акридинового оранжового в умовах лазерної десорбції/іонізації на поверхні терморозширеного графіту [Електронний ресурс] / Є. М. Дем’яненко, А. Г. Гребенюк, В. В. Лобанов, В. О. Габович, В. О. Покровський // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 3. - С. 284-290. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_3_6
| 4. |
Лобанов В. И. Водоснабжение и водоотведение на ферросплавных заводах [Електронний ресурс] / В. И. Лобанов, Л. Н. Кузнецова, С. И. Эпштейн, З. С Музыкина, И. В. Нестеренко // Экология и промышленность. - 2011. - № 1. - С. 10-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2011_1_4 Рассмотрены особенности водоснабжения и водоотведения ферросплавных заводов, представлена качественная характеристика сточных вод ферросплавного производства.
| 5. |
Сидоренко И. Г. Разработка технологии переработки шламов гальванических производств [Електронний ресурс] / И. Г. Сидоренко, Г. М. Загоровский, В. В. Лобанов // Экология и промышленность. - 2010. - № 3. - С. 34-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2010_3_9 Приведены результаты исследований по извлечению цветных металлов из шламов гальванических производств. Показана возможность раздельного выделения меди, никеля и хрома на трехмерных электродах из терморасширенного графита. Предложена гидроэлектрометаллургическая технологическая схема получения цветных металлов из шламов гальванических производств.
| 6. |
Сталинский Д. В. Актуальность разработки новых нормативных документов для проектирования современных систем оборотного водоснабжения металлургических предприятий [Електронний ресурс] / Д. В. Сталинский, В. И. Лобанов, С. И. Эпштейн, З. С. Музыкина // Экология и промышленность. - 2010. - № 3. - С. 99-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2010_3_22 Обоснована необходимость пересмотра имеющихся и разработки новых нормативных документов для проектирования объектов водоснабжения в связи с появлением новых технических решений по обработке и очистке воды, а также с изменением требований к ее качеству.
| 7. |
Сидоренко І. Г. Використання відпрацьованих розчинів активації діелектриків для одержання катодної маси паливних елементів [Електронний ресурс] / І. Г. Сидоренко, Г. М. Загоровський, В. В. Лобанов // Экология и промышленность. - 2011. - № 3. - С. 63-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2011_3_13 Наведено результати дослідження з електрохімічного вилучення паладію з відпрацьованих розчинів активації пластмас перед хімічною металізацією. Встановлено наявність каталітичної активності нанокомпозита паладій - терморозширений графіт в реакції електровідновлення молекулярного кисню. Показано можливість використання одержаного матеріалу як катодної маси паливних елементів.
| 8. |
Числов В. И. Природоохранные аспекты работы систем водоснабжения металлургических производств [Електронний ресурс] / В. И. Числов, В. И. Лобанов, И. П. Логвинов, В. М. Овчаренко // Экология и промышленность. - 2008. - № 1. - С. 12-16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2008_1_5 Отмечено повышение требований к качеству воды, подаваемой на охлаждение производственных агрегатов, и связанная с этим необходимость организации использования двухконтурных систем охлаждения. Указаны возможные способы предотвращения сброса продувочных вод оборотных систем водоснабжения в водоемы. Дано краткое описание бессточной системы водоснабжения прокатного стана.
| 9. |
Кравченко А. А. Квантовохімічне моделювання катіонної форми силанольної групи кремнезему [Електронний ресурс] / А. А. Кравченко, А. Г. Гребенюк, В. В. Лобанов, Є. М. Дем’яненко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 810-814. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_23
| 10. |
Філоненко О. В. Теоретичне дослідження фулереноподібних кремнеземних молекул і їх комплексів із С60 [Електронний ресурс] / О. В. Філоненко, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 122-128. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_20 За допомогою методу функціонала густини (обмінно-кореляційний функціонал B3LYP, базис 6-31 G<^>**) досліджено геометричні та енергетичні характеристики двох типів сфероподібних кремнеземних молекул: гідроксильованих (SiO2)N(H2O)N/2 і повністю координованих (SiO2)N. Показано можливість використання молекули C60 як темплату для синтезу кремнеземної фулереноподібної молекули (SiO2)60(H2O)30.
| 11. |
Каурковська В. М. Вплив об’ємної фази на електронну cтруктуру поверхні діоксиду ванадію: квантово-хімічні розрахунки [Електронний ресурс] / В. М. Каурковська, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 403-406. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_19
| 12. |
Лобанов В. К. Исследование сопротивления усталости ЦАПФ задних мостов специальных транспортных средств [Електронний ресурс] / В. К. Лобанов, Г. И. Пашкова // Високі технології в машинобудуванні. - 2014. - № 1. - С. 100-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vtmb_2014_1_14
| 13. |
Яворовський О. П. Квантовохімічне моделювання взаємодії метилтретбутилового ефіру з ліпідним шаром плазматичної мембрани [Електронний ресурс] / О. П. Яворовський, В. В. Лобанов, О. Г. Мінченко, Ю. О. Паустовський, О. В. Філоненко // Український журнал з проблем медицини праці. - 2015. - № 2. - С. 32-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ujpmp_2015_2_6
| 14. |
Ильченко Л. Г. О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник–вакуум–металл [Електронний ресурс] / Л. Г. Ильченко, В. В. Ильченко, В. В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 1. - С. 55-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_1_9 В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник - вакуум - металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала <$E V sub i (x ,~DELTA PHI )> при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов <$E DELTA PHI> и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике <$E DELTA V sub 1 sup sigma~( x ,~DELTA PHI )> от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты <$E h ( DELTA PHI )~=~DELTA V sub 1 sup sigma~(x~=~0 ,~DELTA PHI )> запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера <$E V sub 2 ( x ,~DELTA PHI )> внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения <$E V sub 2 sup 0 ( x )> в ней.
| 15. |
Ильченко Л. Г. Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника [Електронний ресурс] / Л. Г. Ильченко, В. В. Ильченко, В. В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 2. - С. 313-324. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_2_7 В рамках метода диэлектрического формализма для системы трех сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал <$E DELTA V sub j sup st> (r) в системе полупроводник - вакуум - металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при <$E L~<<~10> нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины <$E L~<<~0,1> нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал <$E DELTA V sub j sup st> (r), который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала <$E V sub j> (r) на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области.
| 16. |
Каурковська В. М. Моделювання індукованого тиском структурного фазового переходу ванадій діоксиду в межах кластерної моделі [Електронний ресурс] / В. М. Каурковська, А. Г. Гребенюк, В. В. Лобанов // Математичні методи в хімії і біології. - 2014. - Т. 2, № 1. - С. 86-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Jmm_2014_2_1_12
| 17. |
Дем’яненко Є. М. Термоліз гістаміну на поверхні кремнезему [Електронний ресурс] / Є. М. Дем’яненко, А. Г. Гребенюк, В. В. Лобанов, Б. Б. Паляниця, Т. В. Кулик // Поверхность. - 2012. - Вып. 4. - С. 36-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2012_4_5
| 18. |
Кравченко А. А. Квантовохімічне моделювання протолітичної рівноваги гістаміну при взаємодії з поверхнею кремнезему [Електронний ресурс] / А. А. Кравченко, А. Г. Гребенюк, В. В. Лобанов, Є. М. Дем’яненко // Поверхность. - 2012. - Вып. 4. - С. 57-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2012_4_7
| 19. |
Карпенко О. С. Строение и свойства углеродных нанокластеров гексагональной формы, содержащих одну и две моновакансии [Електронний ресурс] / О. С. Карпенко, В. В. Лобанов, Н. Т. Картель // Поверхность. - 2013. - Вып. 5. - С. 14-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2013_5_4 Методом теории функционала плотности (B3LYP, базис 6-31 G<^>**) рассчитаны равновесные пространственные структуры и электронное строение углеродных нанокластеров (УНК), получаемых из нанокластера С96 гексагональной формы удалением из него одного или двух атомов. Для сравнения проведены расчеты аналогичных структур, образуемых при изъятии из полиароматической молекулы (ПАМ) С96H24 также соотвествующих одного или двух атомов углерода. Показано: основное электронное состояние углеродных нанокластеров, содержащих одну С96-1(1) и две изолированные моновакансии С96-2(1), а также системы С96-1(1)Н24, - триплетное, в то время как системы С96-2(1)H24 - квинтетное; - локализация моновакансии в центральном гексагоне углеродного нанокластера не нарушает обособленности сопряженной цепи периферийных атомов углерода, как это имеет место для бездефектного УНК С96 гексагонального строения; - спектр одноэлектронных уровней энергии кластеров, содержащих вакансии, характеризуется тем, что энергии нескольких фронтальных вакантных МО, распределенных по связям краевой циклической цепи, попадают в интервал энергий высших занятых МО; - удаление атома из центрального гексагона УНК С96 приводит к "разрыхлению" структуры образованного кластера УНК С96-1(1), что находит свое отражение в уменьшении энергии образования второй моновакансии в УНК С96; - удаление атома углерода из ПАМ С96H24 стабилизирует образованную структуру, доказательством чего есть увеличение энергии образования моновакансии в системе С96-(1)H24 по сравнению с энергией образования моновакансии в ПАМ C96H24; - свойства углеродных нанокластеров, содержащих вакансии, отличаются от аналогичных свойств систем, получаемых из ПАМ удалением из нее атомов углерода.
| 20. |
Ткачук О. І. Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) [Електронний ресурс] / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Поверхность. - 2013. - Вып. 5. - С. 26-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2013_5_5 Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G<^>**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si96H84, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4 x 2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge2 на грані Si(001). Визначено типи активних центрів грані Si(001)(4 x 2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge2, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук.
| | |
|
|