Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (10)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Маланич Г$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
1.

Томашик З. Ф. 
Формирование полированных поверхностей монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe бромвыделяющими травителями H2O–HBr-этиленгликоль [Електронний ресурс] / З. Ф. Томашик, Г. П. Маланич, В. Н. Томашик, И. Б. Стратийчук, Г. А. Пащенко, А. С. Кравцова // Вопросы химии и химической технологии. - 2012. - № 4. - С. 120-125. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchem_2012_4_25
Попередній перегляд:   Завантажити - 225.203 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Томашик З. Ф. 
Застосування бромвиділяючих травників для хімічного полірування поверхні PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe [Електронний ресурс] / З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, І. Б. Стратійчук, Г. П. Маланич, І. І. Павлович // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 1007-1012. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_31
За відтворюваних гідродинамічних умов вперше вивчено характер фізико-хімічної взаємодії монокристалів PbTe і твердих розчинів Pb1-xSnxTe з бромвиділяючими травильними сумішами H2O2 - HBr. Встановлено залежності швидкості їх травлення від складу травників, температури, перемішування, часу їх зберігання та вплив складу твердих розчинів на параметри хімічного полірування. Оптимізовано склади травників і режими проведення процесу хіміко-динамічного полірування досліджуваних монокристалів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 806.343 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Маланич Г. П. 
Хіміко-механічне полірування монокристалів PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe в травильних композиціях H2O2–HBr–етиленгліколь [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, І. Б. Стратійчук, Н. В. Сафрюк, В. П. Кладько // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2013. - Вип. 640. - С. 72-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2013_640_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.04 Mb    Зміст випуску     Цитування
4.

Маланич Г. П. 
Напівпровідникові монокристали PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe: природа, технологія обробки та застосування (огляд) [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2016. - Вип. 771. - С. 38-46. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2016_771_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 255.801 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Левченко І. В. 
Хімічне травлення поверхні InAs, InSb, GaAs та GaSb [Електронний ресурс] / І. В. Левченко, І. Б. Стратійчук, В. М. Томашик, Г. П. Маланич, М. Ю. Кравецький, А. А. Корчовий // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2016. - Вип. 781. - С. 60-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2016_781_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.081 Mb    Зміст випуску     Цитування
6.

Левченко І. В. 
Хімічне розчинення InSb, InSb, GaAs та GaSb в травильних композиціях NH4)2Cr2O7-HBr-H2O [Електронний ресурс] / І. В. Левченко, І. Б. Стратійчук, В. М. Томашик, Г. П. Маланич, А. А. Корчовий // Вісник Одеського національного університету. Хімія. - 2017. - Т. 22, Вип. 3. - С. 63-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vonu_chem_2017_22_3_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 957.434 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Чайка М. В. 
Особливості хімічного розчинення монокристалів CdTe, ZnxCd1–xTe та CdxHg1–xTe у водних розчинах K2Cr2O7–HBr–C4H6O6 [Електронний ресурс] / М. В. Чайка, З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, Г. П. Маланич, А. А. Корчовий // Вопросы химии и химической технологии. - 2018. - № 6. - С. 99-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchem_2018_6_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 576.39 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Левченко І. В. 
Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7 -HBr -C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV [Електронний ресурс] / І. В. Левченко, І. Б. Стратійчук, В. М. Томашик, Г. П. Маланич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 604-610. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.777 Mb    Зміст випуску     Цитування
9.

Маланич Г. П. 
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HB [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, В. М. Томашик, И. Б. Стратийчук, З. Ф. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2015. - Вып. 50. - С. 94-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2015_50_10
Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H2O2 - HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава растворов, их температуры и перемешивания, а также влияние исходной концентрации HBr на концентрационный интервал полирующих травителей и качество полученной поверхности. Оптимизированы составы травителей и режимы проведения химико-динамического полирования поверхности PbTe и Pb1-xSnxTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 289.671 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Маланич Г. П. 
Формирование полированной поверхности полупроводниковых пластин PbTe И Pb1–XSnXTe [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, В. Н. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 254-260. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_19
Исследовано взаимодействие монокристаллических пластин PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe с бромвыделяющими травителями (H2O2-HBr-этиленгликоль)/этиленгликоль (ЭГ), разработаны и оптимизированы составы травильных композиций, а также методики химической обработки для формирования высококачественной поверхности. Изучены зависимости скоростей химико-механического полирования (ХМП) от разбавления базового полирующего травителя органическим компонентом. Определен характер растворения исследуемых материалов в растворах (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ, построены графические зависимости "состав травителя - скорость травления". Установлены концентрационные границы областей полирующих и неполирующих растворов. Показано, что увеличение количества ЭГ в составе травильной смеси уменьшает скорость травления полупроводниковых подложек PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe и улучшает полирующие свойства травильных композиций. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (60 об. %). Микроструктурным и профилографическим анализами установлено влияние количественного и качественного состава травителей, а также способов химической обработки на параметры шероховатости поверхностей PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe. Установлено, что ХМП монокристаллических полупроводников травильными растворами состава H2O2-ЭГ способствует уменьшению структурных нарушений подложек и получению качественной полированной поверхности. Оптимизированы составы полирующих травильных композиций (H2O2-HBr-ЭГ)/ЭГ и технологические режимы ХМП для снятия нарушенного слоя, быстрого контролированного утонения пластины до заданной толщины, снятия поверхностных пленок и финишного полирования поверхности монокристаллических образцов PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 295.554 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Чайка М. В. 
Фізико-хімічна взаємодія монокристалів CdTe та ZnxCd1–xTe з водними розчинами К2Cr2O7–HBr–оксалатна кислота [Електронний ресурс] / М. В. Чайка, З. Ф. Томашик, Г. П. Маланич, В. М. Томашик, Д. Ю. Панасюк, О. М. Камінський // Питання хімії та хімічної технології. - 2020. - № 4. - С. 187-193. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchem_2020_4_26
Встановлено закономірності фізико-хімічної взаємодії монокристалів СdТе та твердих розчинів ZnxСd1-xТе і СdxНg1-xТе з водними розчинами систем К2Сr2О7 - мінеральна кислота - розчинник. Визначено вплив органічного компонента та природи напівпровідників на швидкість і характер розчинення, стан обробленої поверхні цих монокристалів. Виявлено, що їх взаємодія з полірувальними розчинами лімітується стадією дифузії. Із аналізу залежностей швидкості полірування від температури підтверджено існування компенсаційного ефекту в кінетиці хімічного розчинення СdТе, ZnxСd1-xТе і СdxНg1-xТе у бромвиділяючих розчинах К2Сг2O7 - НВг - розчинник. Досліджено процес хіміко-механічного полірування поверхні напівпровідників травильними композиціями К2Сг2O7 - НВr - ЕГ (С4Н6O6) і встановлено вплив природи модифікаторів в'язкості на швидкість розчинення та стан поверхні. Створено серію нових повільних полірувальних травників з контрольованою швидкістю розчинення досліджуваних матеріалів (0,1 -10,3 мкм/хв), що дозволяє використовувати їх для потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких шарів матеріалу та фінішної обробки поверхні монокристалів і плівок.
Попередній перегляд:   Завантажити - 369.06 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Маланич Г. П. 
Електричні властивості структур In/p-pbte [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. Т. Ворощенко, М. Ю. Кравецький, І. І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2012. - Вып. 47. - С. 84-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2012_47_11
Досліджено механізми формування бар'єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p - n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77 - 146 К за напруг зворотного зміщення <$E symbol Г~150> мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150 - 220 К - дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Одержані результати слід враховувати під час виготовлення омічних контактів до p-PbTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.537 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського