Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (58)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Нищенко М$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Васильев М. А. 
Лазерная модификация поверхности титановых имплантатов [Електронний ресурс] / М. А. Васильев, М. М. Нищенко, П. А. Гурин // Успехи физики металлов. - 2010. - Т. 11, № 2. - С. 209-247. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhM_2010_11_2_4
Основными материалами для изготовления дентальных и ортопедических имплантатов являются технически чистый титан и его сплавы. В настоящее время развиваются различные методы обработки металлических поверхностей с целью улучшения их биосовместимых свойств и ускорения процесса заживления титановых имплантатов. В последние годы возникло новое перспективное направление, связанное с применением лазерной технологии для обработки металлических материалов с целью улучшения биосовместимых, трибологических и коррозионных свойств поверхности металлических имплантатов. С помощью такой технологии можно решить задачи модификации комплекса поверхностных свойств, в частности, титановых имплантатов. В настоящем обзоре проведен анализ работ, посвященных исследованиям влияния лазерной обработки поверхности титановых имплантатов с точки зрения различных аспектов проблемы биосовместимости (эксперименты in vitro и in vivo). Целью обзора является ознакомление читателей с некоторыми работами последних лет, выполненными зарубежными авторами в области лазерной модификации структуры, физико-химических и физико-механических свойств поверхности титановых имплантатов, а также исследования их влияния на поведение клеточных культур и взаимодействия с костными тканями.
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.555 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Сидорченко И. М. 
Формирование эффективных эмиттеров электронов при лазерном испарении ориентированных углеродных нанотрубок [Електронний ресурс] / И. М. Сидорченко, Д. В. Щур, М. М. Нищенко, Н. А. Шевченко, В. А. Боголепов, А. Г. Дубовой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2012. - Т. 10, Вип. 1. - С. 169-176. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2012_10_1_22
Исследованы процессы эмиссии электронов с поверхности ориентированных углеродных нанотрубок на Ni-подложке под действием импульсного лазерного излучения миллисекундной длительности. При значении энергии лазерного импульса <$E E~symbol У~0,3> Дж происходит испарение углеродных нанотрубок с поверхности Ni-подложки и осаждение углерода на молибденовом аноде в виде слоя, состоящего из сферических наночастиц размерами от 50 до 500 нм. Это приводит к смене знака эмиссионного тока (эмиссия с анода на катод). Образовавшаяся на Mo-аноде структура является более эффективным эмиттером по сравнению с эмиттером из плотноупакованных ориентированных многослойных нанотрубок на Ni-подложке.
Попередній перегляд:   Завантажити - 585.926 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Нищенко М. М. 
Позитронна спектроскопія композитів політетрафторетилен—вуглецеві нанотрубки [Електронний ресурс] / М. М. Нищенко, Є. А. Цапко, В. Ю. Кода, В. С. Михаленков, Г. П. Приходько, Ю. І. Семенцов, Р. В. Мазуренко, С. М. Махно // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - Т. 35, № 9. - С. 1167-1174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2013_35_9_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 261.963 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Нищенко М. М. 
Отражение медленных электронов от графена на грани (110)W [Електронний ресурс] / М. М. Нищенко, С. В. Смольник, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 1. - С. 67-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_1_7
С помощью методов спектроскопии полного тока и контактной разницы потенциалов в варианте Андерсона изучалось влияние ступенчатого нагрева в диапазоне 1300 - 2800 К в вакууме до <$E5~cdot~10 sup -10> Па на работу выхода <$Ephi> и отражение медленных электронов (Е = 0 - 50 эВ) от грани (110)W. Установлено, что при 2400 К на ней формируется монослой углерода (графен) с <$Ephi~=~5,08~symbol С~0,02> эВ в результате сегрегации его из объема. Повышение температуры до 2800 К и обработка в кислороде удаляют углерод, и образуется атомарно-чистая грань (110)W с <$Ephi~=~5,30> эВ. Наблюдаются пики коэффициента отражения электронов от этих поверхностей. Установлено, что их энергетическое положение (E) пропорционально квадрату порядкового номера (n) пика, что объясняется квантово-размерными эффектами при надбарьерном отражении электронов. Для грани (110)W наблюдается 3 пика, интенсивности которых с ростом n убывают от 45 до 18 %, а для графена на ней - 6 пиков (при этом интенсивности первых двух падают до 10 %).Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Mo(110) на отражение медленных (0 - 50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода <$E phi> методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Tотж = 1400 - 2000 K величина <$E phi> плавно снижается на <$E DELTA phi~=~0,18> эВ (до 4,82 +- 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на <$E DELTA E~=~1,2> эВ до значений E = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в <$E pi>-зоне проводимости и (<$E pi~+~sigma>)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии <$E pi>-зоны проводимости вверх, а <$E sigma>-валентной зоны - вниз. Отжиг при Tотж = 2200 - 2700 K не изменяет значение <$E phi> и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Mo(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трех до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении E.
Попередній перегляд:   Завантажити - 281.955 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Васильев М. А. 
Влияние импульсного лазерного излучения на состав поверхностных слоёв титанового сплава ВТ6 [Електронний ресурс] / М. А. Васильев, С. П. Ченакин, М. М. Нищенко, Л. Ф. Яценко // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 7. - С. 861-870. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_7_3
С помощью метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследован состав приповерхностного слоя титанового сплава ВТ6 после импульсной лазерной (Nd:YAG) обработки на воздухе. Полученные данные свидетельствуют об интенсивном окислении поверхности с образованием слоя, содержащего смесь оксидов TiO2, Ti2O3, Al2O3, VO1+x и поверхностные карбиды Ti - C, Al - С, V - С. Установлено, что лазерное облучение сплава ВТ6 на воздухе приводит к существенному изменению поверхностного электрохимического потенциала сплава в растворе искусственной слюны, обусловленному повышением коррозионной стойкости модифицированной поверхности.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.02 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Нищенко М. М. 
Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo [Електронний ресурс] / М. М. Нищенко, С. В. Смольник, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 9. - С. 1183-1201. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_9_5
С помощью методов спектроскопии полного тока и контактной разницы потенциалов в варианте Андерсона изучалось влияние ступенчатого нагрева в диапазоне 1300 - 2800 К в вакууме до <$E5~cdot~10 sup -10> Па на работу выхода <$Ephi> и отражение медленных электронов (Е = 0 - 50 эВ) от грани (110)W. Установлено, что при 2400 К на ней формируется монослой углерода (графен) с <$Ephi~=~5,08~symbol С~0,02> эВ в результате сегрегации его из объема. Повышение температуры до 2800 К и обработка в кислороде удаляют углерод, и образуется атомарно-чистая грань (110)W с <$Ephi~=~5,30> эВ. Наблюдаются пики коэффициента отражения электронов от этих поверхностей. Установлено, что их энергетическое положение (E) пропорционально квадрату порядкового номера (n) пика, что объясняется квантово-размерными эффектами при надбарьерном отражении электронов. Для грани (110)W наблюдается 3 пика, интенсивности которых с ростом n убывают от 45 до 18 %, а для графена на ней - 6 пиков (при этом интенсивности первых двух падают до 10 %).Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Mo(110) на отражение медленных (0 - 50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода <$E phi> методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Tотж = 1400 - 2000 K величина <$E phi> плавно снижается на <$E DELTA phi~=~0,18> эВ (до 4,82 +- 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на <$E DELTA E~=~1,2> эВ до значений E = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в <$E pi>-зоне проводимости и (<$E pi~+~sigma>)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии <$E pi>-зоны проводимости вверх, а <$E sigma>-валентной зоны - вниз. Отжиг при Tотж = 2200 - 2700 K не изменяет значение <$E phi> и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Mo(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трех до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении E.
Попередній перегляд:   Завантажити - 431.976 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Дудник С. Ф. 
Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда [Електронний ресурс] / С. Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М. М. Нищенко, С. В. Смольник, В. Е. Стрельницкий, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 11. - С. 1487-1501. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_11_6
Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне <$E2,3~cdot~10 sup 4 ~-~4~cdot~10 sup 1 ~roman {Ом~cdot~см}>, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603 - 818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую с помощью метода контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением <$E2,4~cdot~10 sup 2 ~roman {Ом~cdot~см}> получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см<^>2 при 963 К.
Попередній перегляд:   Завантажити - 529.308 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського