Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Паюк А$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
1. |
Акимова Е. А. Запись голограммных дифракционных решеток на карбазолсодержащих тонких полимерных пленках [Електронний ресурс] / Е. А. Акимова, А. В. Стронский, А. П. Паюк, А. Ю. Мешалкин, Ю. Ю. Бояринов, А. М. Присакарь, С. В. Робу, П. Ф. Олексенко, О. С. Литвин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 31-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_5 Работа посвящена получению карбазолсодержащих тонких полимерных пленок методом нанесения из растворов и использованию их в качестве регистрирующих сред для записи голограммных дифракционных решеток. В качестве исследуемого полимерного материала был выбран полиэпоксипропилкарбазол (ПЭПК). Исследования морфологии поверхности пленок с помощью атомносиловой спектроскопии показали хорошее качество поверхности полученных пленок. Дифракционная эффективность полученных после селективного травления решеток (-900 лин/мм) составляла ~18 %. Полимерные пленки на основе полиэпоксипропилкарбазола обеспечивают высокое качество рельефа при записи голограммных дифракционных решеток.
| 2. |
Паюк А. П. Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge5As37S58–Se как регистрирующих сред [Електронний ресурс] / А. П. Паюк, А. Ю. Мешалкин, А. В. Стронский, Е. А. Акимова, С. А. Сергеев, В. Г. Абашкин, О. С. Литвин, П. Ф. Олексенко, А. М. Присакарь, Г. М. Тридух, Е. В. Сенченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2015. - Вып. 50. - С. 79-86. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2015_50_8 Исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностнорельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge5As37S58 - Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge5As37S58, Se и многослойных наноструктур Ge5As37S58 - Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge5As37S58, Se и многослойных наноструктур Ge5As37S58 - Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge5As37S58 - Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512 x 512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~ 2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge5As37S58 - Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов.
| 3. |
Мешалкин А. Прямая записьповерхностного рельефа дифракционных решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред [Електронний ресурс] / А. Мешалкин, А. П. Паюк, Л. А. Ревуцкая, Е. Акимова, А. В. Стронский, А. Присакарь, Г. Тридух, В. Абашкин, А. Корчевой, В. Ю. Горонескуль // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 240-247. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_17
|
|
|