Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Реферативна база даних (10) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Першин Ю$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Першин Ю. П. Исследование границ раздела фаз в периодических многослойных структурах Mo/Si с использованием метода масс-спектрометрии нейтральных частиц [Електронний ресурс] / Ю. П. Першин, В. А. Севрюкова, Е. Н. Зубарев, А. С. Оберемок, В. П. Мельник, Б. Н. Романюк, В. Г. Попов, П. М. Литвин // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - Т. 35, № 12. - С. 1617-1627. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2013_35_12_5 Исследованы многослойные периодические структуры Mo/Si методами малоугловой рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии и масс-спектрометрии постионизированных нейтральных частиц. Из спектров дифракции рентгеновских лучей определены скорости нанесения слоёв при различных техноогических условиях. Моделирование спектров дифракции многослойных структур и сопоставление их с экспериментальными результатами показали, что на границах раздела фаз формируется силицид молибдена. Измерения распределения примесей по толщине подтвердили наличие слоев силицида на границе раздела фаз, а также обнаружили слои оксидов; проведены оценки толщин последних. Найдены оптимальные режимы распыления структур при послойном примесном масс-спектрометрическом анализе, которые позволили получить разрешающую способность метода по глубине не хуже 1,0 нм при профилировании до глубины 100 нм. Показано, что разрешение этого метода ограничивается формой и шероховатостью дна кратера при ионном травлении и зависит от энергии ионов плазмы и режимов травления. | ||
| 2. | 
Першин Ю. П. Структура, фазовый состав и модель роста аморфных многослойных рентгеновских зеркал W-Si, изготовленных методом магнетронного разпыливания [Електронний ресурс] / Ю. П. Першин, А. Ю. Девизенко, В. В. Мамон, В. С. Чумак, В. В. Кондратенко // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 1. - С. 27-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_1_7 | ||
| 3. | 
Севрюкова В. А. Эволюция структуры пленок Mo, полученных методом магнетронного распылении на a-Si [Електронний ресурс] / В. А. Севрюкова, Е. Н. Зубарев, В. В. Кондратенко, Ю. П. Першин, В. О. Цебенко // Фізична інженерія поверхні. - 2011. - Т. 9, № 2. - С. 102-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2011_9_2_3 | ||
| 4. |
Журавель И. А. Исследование структуры межслоевых границ раздела в многослойных периодических композициях Cr/Sc и Co/C методом рентгеновского диффузного рассеяния [Електронний ресурс] / И. А. Журавель, Е. А. Бугаев, А. Ю. Девизенко, Ю. П. Першин, В. В. Кондратенко // Фізична інженерія поверхні. - 2011. - Т. 9, № 2. - С. 134-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2011_9_2_6 | ||
| 5. | 
Першин Ю. П. Структура и фазовый состав многослойных рентгеновских зеркал W-Si [Електронний ресурс] / Ю. П. Першин, И. Г. Шипкова, А. Ю. Девизенко, В. В. Мамон, В. С. Чумак, В. В. Кондратенко // East european journal of physics. - 2018. - Vol. 5, Num. 3. - С. 32-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2018_5_3_6 С помощью методов рентгеновской дифрактометрии (<$Elambda> ~ 0,154 нм) исследована фазовая структура, состав и строение многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) W/Si с толщиной слоев вольфрама <$Et sub W ~<<~10> нм, полученных с помощью метода прямоточного магнетронного распыления. Исследованы две серии образцов, изготовленных с различными скоростями осаждения вольфрама, которые отличаются примерно в 4 раза: ~0,60 и ~0,15 нм/с. Показано, что при толщине <$Et sub W ~>>~2,7> нм слои вольфрама имеют поликристаллическую (ОЦК) структуру, а при <$Et sub W ~<<~1,9> нм они аморфны. При помощи <$Esin sup 2 PSI>-метода установлено, что в тонких кристаллических слоях вольфрама (<$Et sub W ~<<~10> нм) может содержаться более 3 ат.% Si. Растягивающие напряжения в слоях кристаллического вольфрама не превышают 1,1 ГПа. Построение функций радиального распределения атомов позволило установить, что аморфные слон вольфрама имеют расположение атомов, близкое к <$Ebeta>W всех образцах за счет взаимодействия на межфазных границах наблюдается формирование силицидных прослоек, в результате чего реальная толщина слоев вольфрама меньше номинальной. Аморфные силицидные прослойки, обязательно формирующиеся на стадии изготовления МРЗ, содержат дисилицид вольфрама. В зависимости от скорости осаждения дисилицид может иметь расположение атомов, близкое либо к тетрагональной фазе, t-WSi | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |