Пошуковий запит: (<.>A=Притчин С$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18
|
1. |
Притчин С. Э. Математическое моделирование влияния остаточных напряжений на механические свойства подложек арсенида галлия [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, В. В. Артамонов // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 4. - С. 31-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_4_7
|
2. |
Андрусенко А. М. Информационная технология построения рейтинга преподавателей на основе анализа иерархии [Електронний ресурс] / А. М. Андрусенко, С. Э. Притчин, Н. В. Рылова, В. А. Самоляк // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 4. - С. 41-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_4_9
|
3. |
Оксанич А. П. Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, В. Р. Петренко, В. А. Тербан // Прикладная радиоэлектроника. - 2012. - Т. 11, № 1. - С. 54-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prre_2012_11_1_9
|
4. |
Андрусенко А. М. Математическое моделирование резки слитка арсенида галлия по критерию распределения удельного сопротивления [Електронний ресурс] / А. М. Андрусенко, С. Э. Притчин, В. А. Самоляк, А. П. Черный // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 5. - С. 22-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_5_5
|
5. |
Притчин С. Э. Усовершенствование математической модели влияния кристаллографических направлений подложек арсенида галлия на плотность дислокаций [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 5. - С. 27-32. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_5_6
|
6. |
Оксанич А.П. Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки [Електронний ресурс] / А.П. Оксанич, С.Е. Притчин, В.А. Тербан // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Сер. : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2013. - Вип. 54. - С. 136-143 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2013_54_17
|
7. |
Притчин С. Э. Автоматический комплекс контроля параметров полупроводниковых материалов [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, А. П. Чорный // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 6. - С. 19-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_6_5
|
8. |
Притчин С. Э. Уменьшение погрешности оптического тракта автоматизированного комплекса измерения остаточных напряжений [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, К. В. Макаров, А. П. Юрченко // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 1. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_1_6
|
9. |
Притчин С. Э. Разработка методики измерения остаточных напряжений в подложках арсенида галлия [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 2. - С. 21-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_2_5
|
10. |
Левінзон Д. І. Математичне моделювання процесу легування напівпровідникових структур домішками методом високоенергетичної імплантації [Електронний ресурс] / Д. І. Левінзон, С. Е. Притчин, А. Ю. Ніконов // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 3. - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_3_4
|
11. |
Оксанич А. П. Разработка устройства высокоинтенсивной импульсной акупунктурной магнитотерапии [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, М. Г. Когдась, М. А. Мащенко, А. В. Федорченко // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2015. - Вип. 6(1). - С. 9-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2015_6(1)__3
|
12. |
Притчин С. Э. Разработка математической модели влияния точечных дефектов монокристаллов арсенида галлия на его упругие характеристики [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 1. - С. 23-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_1_5
|
13. |
Оксанич А. П. Усовершенствование технологии и аппаратуры отжига слитков и подложек арсенида галлия для изделий микронаноэлектроники и фотовольтаики [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 2. - С. 14-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_2_4
|
14. |
Притчин С. Э. Усовершенствование технологии подготовки подложек арсенида галлия [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, В. И. Орел, В. А. Тербан, Н. В. Рылова // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 3. - С. 25-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_3_6
|
15. |
Клюй М. І. Вплив телуру на деградаційну стійкість кристалів напівізолюючого арсеніду галію [Електронний ресурс] / М. І. Клюй, А. І. Ліптуга, В. Б. Лозінський, А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, Ф. В. Фомовський, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 11. - С. 1094-1098. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_11_10 Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.
|
16. |
Оксанич А. П. Удосконалення методу отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенко // Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія : Технічні науки. - 2018. - Т. 29(68), № 6(2). - С. 228-234. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2018_29(68)_6(2)__44
|
17. |
Оксанич А. П. Разработка математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, А. Г. Холод // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2018. - Вип. 4. - С. 49-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2018_4_9
|
18. |
Притчин С. Е. Мікроконтролерний комплекс підготовки підкладок арсеніду галію [Електронний ресурс] / С. Е. Притчин // Комп'ютерно-інтегровані технології: освіта, наука, виробництво. - 2013. - № 12. - С. 134-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Kitonv_2013_12_28
|