Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (5)Журнали та продовжувані видання (1)Автореферати дисертацій (1)Реферативна база даних (14)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Притчин С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18
1.

Притчин С. Э. 
Математическое моделирование влияния остаточных напряжений на механические свойства подложек арсенида галлия [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, В. В. Артамонов // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 4. - С. 31-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 286.715 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Андрусенко А. М. 
Информационная технология построения рейтинга преподавателей на основе анализа иерархии [Електронний ресурс] / А. М. Андрусенко, С. Э. Притчин, Н. В. Рылова, В. А. Самоляк // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 4. - С. 41-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 268.445 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Оксанич А. П. 
Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, В. Р. Петренко, В. А. Тербан // Прикладная радиоэлектроника. - 2012. - Т. 11, № 1. - С. 54-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prre_2012_11_1_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.6 Mb    Зміст випуску     Цитування
4.

Андрусенко А. М. 
Математическое моделирование резки слитка арсенида галлия по критерию распределения удельного сопротивления [Електронний ресурс] / А. М. Андрусенко, С. Э. Притчин, В. А. Самоляк, А. П. Черный // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 5. - С. 22-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_5_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 257.643 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Притчин С. Э. 
Усовершенствование математической модели влияния кристаллографических направлений подложек арсенида галлия на плотность дислокаций [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 5. - С. 27-32. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_5_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 508.485 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Оксанич А.П. 
Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки [Електронний ресурс] / А.П. Оксанич, С.Е. Притчин, В.А. Тербан // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Сер. : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2013. - Вип. 54. - С. 136-143 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2013_54_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 520.138 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Притчин С. Э. 
Автоматический комплекс контроля параметров полупроводниковых материалов [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, А. П. Чорный // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 6. - С. 19-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_6_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 251.845 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Притчин С. Э. 
Уменьшение погрешности оптического тракта автоматизированного комплекса измерения остаточных напряжений [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, К. В. Макаров, А. П. Юрченко // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 1. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_1_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 409.023 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Притчин С. Э. 
Разработка методики измерения остаточных напряжений в подложках арсенида галлия [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 2. - С. 21-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_2_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 345.986 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Левінзон Д. І. 
Математичне моделювання процесу легування напівпровідникових структур домішками методом високоенергетичної імплантації [Електронний ресурс] / Д. І. Левінзон, С. Е. Притчин, А. Ю. Ніконов // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 3. - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_3_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 360.218 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Оксанич А. П. 
Разработка устройства высокоинтенсивной импульсной акупунктурной магнитотерапии [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, М. Г. Когдась, М. А. Мащенко, А. В. Федорченко // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2015. - Вип. 6(1). - С. 9-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2015_6(1)__3
Попередній перегляд:   Завантажити - 699.083 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Притчин С. Э. 
Разработка математической модели влияния точечных дефектов монокристаллов арсенида галлия на его упругие характеристики [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 1. - С. 23-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_1_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 955.433 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Оксанич А. П. 
Усовершенствование технологии и аппаратуры отжига слитков и подложек арсенида галлия для изделий микронаноэлектроники и фотовольтаики [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 2. - С. 14-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_2_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 459.929 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Притчин С. Э. 
Усовершенствование технологии подготовки подложек арсенида галлия [Електронний ресурс] / С. Э. Притчин, В. И. Орел, В. А. Тербан, Н. В. Рылова // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2013. - Вип. 3. - С. 25-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2013_3_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 362.717 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Клюй М. І. 
Вплив телуру на деградаційну стійкість кристалів напівізолюючого арсеніду галію [Електронний ресурс] / М. І. Клюй, А. І. Ліптуга, В. Б. Лозінський, А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, Ф. В. Фомовський, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 11. - С. 1094-1098. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_11_10
Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 598.565 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Оксанич А. П. 
Удосконалення методу отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, О. Г. Холод, М. А. Мащенко // Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія : Технічні науки. - 2018. - Т. 29(68), № 6(2). - С. 228-234. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2018_29(68)_6(2)__44
Попередній перегляд:   Завантажити - 321.133 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Оксанич А. П. 
Разработка математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки [Електронний ресурс] / А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, М. Г. Когдась, А. Г. Холод // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2018. - Вип. 4. - С. 49-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2018_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 827.464 Kb    Зміст випуску     Цитування
18.

Притчин С. Е. 
Мікроконтролерний комплекс підготовки підкладок арсеніду галію [Електронний ресурс] / С. Е. Притчин // Комп'ютерно-інтегровані технології: освіта, наука, виробництво. - 2013. - № 12. - С. 134-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Kitonv_2013_12_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 304.194 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського