Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (5)

Автореферати дисертацій (1)

Реферативна база даних (13)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Стребежев В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 15 Представлено документи з 1 до 15
1.	Обедзинский Ю. К. Эпитаксиальные структуры на базе Cd1-xZnxSb и лазерная оптимизация их свойств [Електронний ресурс] / Ю. К. Обедзинский, А. И. Савчук, В. Н. Стребежев, И. Н. Юрийчук // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 6(12). - С. 103-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_6(12)__25 Методом жидкофазной эпитаксии получены фоточувствительные элементы на основе базовых монокристаллов CdSb и Cd1-xZnxSb, легированных примесями Te, In, Ga. При оптимальных режимах обработки лазером ступенчатая поверхность слоев CdSb приобретает упорядоченную планарную морфологию, уменьшается плотность структурных дефектов в области гетерограницы и ширина переходной области. Оптимальный уровень фоточувствительности эпитаксиальных структур достигается при легировании подложек примесью Te. Попередній перегляд: Завантажити - 444.419 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Стребежев В. В. Властивості оптичних і фотоелектричних елементів на основі кристалів In4Se3, In4(Se3)1-х(Te3)х [Електронний ресурс] / В. В. Стребежев, В. М. Стребежев, С. В. Нічий, І. М. Юрійчук // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 6(12). - С. 113-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_6(12)__28 Розроблено інтерференційно-абсорбційні відрізаючі фільтри на базі кристалів In4(Se3)1-xTe3x з різним положенням межі відрізання залежно від складу x твердого розчину. Ожержано фоточутливі елементи на базі епітаксійних гомо- та гетеропереходів на In4Se3 і In4(Se3)1-xTe3x, проведено лазерну корекцію температурних залежностей їх фоточутливості. Досліджено механічну міцність і стабільність спектральних характеристик фільтрів і фоточутливих елементів у процесі охолодження до низьких температур. Попередній перегляд: Завантажити - 237.293 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Стрєбєжєв В. В. Розробка інтерференційно-абсорбційних світлофільтрів на базових кристалах In4(Se3)1-х Te3х та CdSb [Електронний ресурс] / В. В. Стрєбєжєв, С. В. Нічий, I. M. Юрійчук, В. М. Стребежев // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2014. - № 6(9). - С. 55-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2014_6(9)__11 Створено інтерференційно-абсорбційні світлофільтри на базі кристалів In4(Se3)1-xTe3x і CdSb для функціонування у близькій і середній ІЧ-області. Досліджено оптичні властивості та дефекти кристалів-підкладок, їх вплив на характеристики світлофільтра. Розроблено плівкові інтерференційні системи для різних конструкцій і робочих діапазонів. Виміряно спектральні характеристики, вивчено умови забезпечення механічної стійкості та відтворюваності параметрів світлофільтрів. Попередній перегляд: Завантажити - 849.78 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Галочкін О. В. Вплив потужного мілісекундного лазерного випромінювання на глибину проплавленого шару в кристалах CdTe та Cd0,8Mn0,2Te [Електронний ресурс] / О. В. Галочкін, В. М. Жихаревич, Г. І. Раренко, В. М. Стребежев, Я. Д. Захарук, С. Г. Дремлюженко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 224-229. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_39 Наведено експериментальні дані та теоретичні розрахунки глибини проплаву поверхні пластин CdTe і Cd0,8Mn0,2Te в результаті дії на неї потужного моноімпульсного лазерного випромінювання. Визначено значення густини енергії лазерного випромінювання, за яких процес випаровування речовини стає істотним. Для досягнення максимальної глибини проплаву поверхневого шару пластин доцільно проводити лазерне опромінення у відновлювальній (інертній) атмосфері підвищеного тиску. Попередній перегляд: Завантажити - 295.255 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Волянська Т. А. Особливості фотоелектричних властивостей анізотропних кристалів радіаційно-стійкої групи In4(Se3)1-xTe3x, пов’язані з умовами вирощування і структурою [Електронний ресурс] / Т. А. Волянська, Т. С. Мошкова, А. Д. Огородник, І. М. Раренко, В. М. Стребежев // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. - 1998. - Вип. 30. - С. 200-205. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_30_39 Попередній перегляд: Завантажити - 92.215 Kb Зміст випуску Цитування
6.	Грицюк Б. М. Вплив умов отримання на стабільність інтерференційних фільтрів на кристалах In4Se3 та In4Te3 [Електронний ресурс] / Б. М. Грицюк, В. В. Стрєбєжєв, І. М. Юрійчук, В. М. Стребежев // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 69-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_13 Попередній перегляд: Завантажити - 547.875 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Стребежев В. М. Властивості шарів CdSb, отриманих електрорідинною епітаксією [Електронний ресурс] / В. М. Стребежев, В. В. Стрєбєжєв, І. М. Юрійчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 2. - С. 86-91. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_2_16 Попередній перегляд: Завантажити - 2.958 Mb Зміст випуску Цитування
8.	Грицюк Б. М. Епітаксійні гетероструктури In4Se3–In4Te3 та In4Se3–Ge [Електронний ресурс] / Б. М. Грицюк, В. М. Стребежев, І. М. Юрійчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2012. - Т. 2, Вип. 1. - С. 34-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2012_2_1_8 Попередній перегляд: Завантажити - 2.995 Mb Зміст випуску Цитування
9.	Обедзинський Ю. К. Елементи з гетеропереходами на основі тонких плівок і епітаксійних шарів CdSb, Cd1-xZnxSb, модифікованих лазерною обробкою [Електронний ресурс] / Ю. К. Обедзинський, А. Й. Савчук, Т. А. Мельничук, В. М. Стребежев, Б. М. Грицюк, І. М. Юрійчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2011. - Т. 1, Вип. 1. - С. 92-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2011_1_1_21 Попередній перегляд: Завантажити - 1.023 Mb Зміст випуску Цитування
10.	Галочкін О. В. Бар'єрні структури на CdTe та Cd0,8Mn0,2Te, отримані лазерною перекристалізацією поверхні [Електронний ресурс] / О. В. Галочкін, М. М. Рижук, Б. М. Грицюк, З. І. Захарук, В. М. Стребежев, І. М. Раренко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 268. - С. 54-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_268_11 Шляхом лазерної перекристалізації поверхні монокристалічних підкладок CdTe та Cd0,8Mn0,2Te рубіновим мілісекундним лазером одержано бар'єрні структури. Досліджено морфологію перекристалізованого шару, вольтамперні та фотоелектричні характеристики одержаних структур. Попередній перегляд: Завантажити - 247.007 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
11.	Раренко І. М. Особливості структури плівок InBixSb1-x, отриманих лазерним випаровуванням [Електронний ресурс] / І. М. Раренко, Б. М. Грицюк, С. В. Нічий, В. М. Стребежев, Т. І. Тунь // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 98-100. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_23 Попередній перегляд: Завантажити - 240.049 Kb Зміст випуску Цитування
12.	Грицюк Б. М. Кристалічна структура і електричні властивості плівок телуру [Електронний ресурс] / Б. М. Грицюк, М. В. Дереворіз, В. М. Стребежев, З. П. Цалий // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2001. - Вип. 112. - С. 86-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2001_112_18 Попередній перегляд: Завантажити - 408.977 Kb Зміст випуску Цитування
13.	Грицюк Б. М. Плівкове просвітлююче покриття на монокристалах In4Se3 [Електронний ресурс] / Б. М. Грицюк, Т. С. Мошкова, В. М. Стребежев // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1998. - Вип. 40. - С. 27-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_40_13 Попередній перегляд: Завантажити - 226.111 Kb Зміст випуску Цитування
14.	Волянська Т. А. Фотоелектричні властивості епітаксійних гомо- і гетероструктур на основі In4(Se3)1-xTe3x [Електронний ресурс] / Т. А. Волянська, Б. М. Грицюк, Т. С. Мошкова, І. М. Раренко, В. М. Стребежев, Т. В. Паламар // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 19-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_6 Попередній перегляд: Завантажити - 231.781 Kb Зміст випуску Цитування
15.	Стребежев В. М. Вплив умов отримання на стабільність багатошарових інтерференційних покриттів на базі CdSb [Електронний ресурс] / В. М. Стребежев, І. М. Раренко, С. М. Куликовська, С. Г. Дремлюженко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 22-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_7 Попередній перегляд: Завантажити - 570.787 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського