Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (7) | Автореферати дисертацій (1) | Реферативна база даних (31) | Авторитетний файл імен осіб (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Хрипунов Г$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 26 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | 
Хрипунов Г. С. Влияние технологических параметров на воспроизводимость электрических свойств пленок SnO2, полученных методом магнетронного распыления [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, В. А. Новиков, А. Л. Хрипунова // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2014. - Т. 11, № 3. - С. 42-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2014_11_3_7 Для создания промышленных технологий изготовления газовых датчиков и фронтальных электродов пленочных солнечных элементов исследовано влияние мощности магнетронного распыления и концентрации кислорода в рабочем газе на воспроизводимость электрической проводимости пленок диоксида олова. Экспериментально показано, что для повышения воспроизводимости электрических свойств необходимо снизить электрическую мощность до 10 Вт и повысить концентрацию кислорода до 50 %. | |||
| 2. | 
Хрипунов Г. С. Разработка экономичных токопроводящих контактов для газочувствительных пленочных слоев диоксида олова [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, В. А. Новиков, Р. В. Зайцев // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 2. - С. 02016(5). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_2_18 Для снижения себестоимости перспективных для широкомасштабного применения газовых датчиков на основе пленок диоксида олова за счет использования в качестве токопроводящих покрытий пленок алюминия, проведены исследования влияния режимов работы на морфологию поверхности и кристаллическую структуру пленочных гетеросистем Al / SnO | |||
| 3. |
Клочко Н. П. Управление морфологией и свойствами наноструктур оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электрохимического осаждения [Електронний ресурс] / Н. П. Клочко, Г. С. Хрипунов, Ю. А. Мягченко, Е. Е. Мельничук, В. Р. Копач, Е. С. Клепикова, В. Н. Любов, А. В. Копач // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04030-1-04030-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_32 Изучены способы управления морфологией и свойствами наноструктур оксида цинка, изготавливаемых с помощью метода импульсного электрохимического осаждения. Продемонстрировано воздействие перемешивания электролита, изменения формы прямоугольных импульсов потенциала катода-подложки, а также состава электролита и длительности процесса импульсного электроосаждении на морфологию, кристаллическую структуру и оптические свойства наноструктурированных массивов ZnO. Проанализированы причины формирования посредством импульсного катодного электроосаждения без введения в электролит поверхностно-активных модификаторов роста массивов ZnO, состоящих из правильных шестигранных нанопластин и их стопок с вертикальным или горизонтальным расположением относительно подложек, слоев из параболоидных наноструктур ZnO, а также одномерных массивов оксида цинка, ориентированных перпендикулярно к подложке. С применением метода атомной силовой микроскопии продемонстрировано изготовление указанных наноструктурированных массивов оксида цинка. Посредством рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии изучены структура и свойства наноструктур ZnO, изготовленных по методу импульсного электрохимического осаждения. | |||
| 4. |
Зайцева Л. В. Дослідження структури ємнісних перетворювачів на основі тонкоплівкової структури Al/ITO/Polyimide/Al2O3 [Електронний ресурс] / Л. В. Зайцева, Г. С. Хрипунов, Р. В. Зайцев, Б. М. Горкунов, А. Л. Хрипунова // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 42-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_6 Розглянуто ключову проблему безрідинного акустичного контролю металевих виробів та запропоноване новітнє рішення для дефектоскопії в умовах промислового виробництва. Основною особливістю рішення є використання тонкоплівкових гнучких шарів у ємнісних перетворювачах на основі структури Al/ITO/поліімід/Al | |||
| 5. | 
Зайцев Р. В. Розрахунок робочих параметрів високовольтної системи відбору потужності фотоелектричної станції [Електронний ресурс] / Р. В. Зайцев, М. В. Кіріченко, А. В. Холод, Л. В. Зайцева, Д. С. Прокопенко, Г. С. Хрипунов // Електротехніка і електромеханіка. - 2016. - № 4. - С. 63-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/elem_2016_4_11 Проведено аналіз роботи системи відбору потужності фотоелектричної станції з використанням підвищувального перетворювача. Показано, що коефіцієнт корисної дії такої системи в широкому діапазоні освітленості фотоелектричного модуля знаходиться на рівні 0,92, тоді як ефективність класичних систем відбору потужності не перевищує 0,70. Розроблено принципову електричну схему регульованого мостового резонансного підвищувального перетворювача з цифровим керуванням, що забезпечує надійність роботи, швидке і точне знаходження точки максимальної потужності і ефективність перетворення до 0,96. | |||
| 6. |
Клочко Н. П. Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова [Електронний ресурс] / Н. П. Клочко, А. В. Момотенко, В. Н. Любов, Н. Д. Волкова, В. Р. Копач, Г. С. Хрипунов, М. В. Кириченко, Р. В. Зайцев // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01014-1-01014-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_16 Разработана экономически выгодная и пригодная для широкомасштабного производства методика получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения, оптимальными для использования в солнечных элементах. | |||
| 7. |
Хрипунов Г. С. Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, Д. А. Кудий, Р. В. Зайцев, А. Л. Хрипунова, В. А. Геворкян, П. П. Гладышев // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01016-1-01016-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_18 Исследовано влияние толщины наноразмерной прослойки на эффективность фотоэлектрических процессов в солнечных элементах (СЭ) ITO / SnO | |||
| 8. |
Горкунов Б. М. Разработка физических основ емкостного акустического метода дефектоскопии металлов [Електронний ресурс] / Б. М. Горкунов, И. В. Тюпа, Л. В. Зайцева, Г. С. Хрипунов, Р. В. Зайцев, А. Л. Хрипунова // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01038-1-01038-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_40 Разработана физическая модель процесса возбуждения с помощью конденсатора длинноволновых продольных и поверхностных акустических волн в металлах. Показано, что модель позволяет проводить расчет выходного сигнала и осуществлять выбор методов и средств для приема данных акустических колебаний при проведении дефектоскопии металлов. Установлена возможность возбуждения и приема длинноволновых акустических колебаний емкостными преобразователями. Разработано схемотехническое решение электронного устройства для реализации оригинального емкостного акустического метода дефектоскопии металлов. | |||
| 9. |
Хрипунов Г. С. Структура і оптичні властивості плівок CdTe, отриманих методом магнетронного розпилення [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, Г. І. Копач, М. М. Харченко, А. І. Доброжан // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 3. - С. 58-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_3_7 Для створення промислової технології одержання тонких плівок CdTe для базових шарів сонячних елементів та оптоелектронних сенсорів досліджено вплив фізико-технологічних режимів конденсації за допомогою методу магнетронного розпилення на постійному струмі на кристалічну структуру та оптичні властивості вирощених плівок телуриду кадмію. З'ясовано, що за тиску інертного газу Pарг = 0,9 - 1 Па, струму розряду I = 80 мА і напруги на магнетроні V = 600 В нанесення плівок CdTe за методом магнетронного розпилення на постійному струмі протягом 25 хв. надає змогу одержувати текстуровані шари CdTe гексагональної модифікації, товщина яких 4 900 - 5 100 нм і ширина забороненої зони 1,52 - 1,54 еВ. Такі плівки телуриду кадмію інтенсивно поглинають світло в ІК області спектра. Після "хлоридної" обробки та наступного відпалу на повітрі в результаті фазового переходу вюртцит-сфалерит одержані плівки CdTe містять тільки стабільну кубічну модифікацію. | |||
| 10. |
Клочко Н. П. Фотолюминесценция одномерных массивов оксида цинка, электроосажденных в импульсном режиме [Електронний ресурс] / Н. П. Клочко, Е. С. Клепикова, В. Р. Копач, Г. С. Хрипунов, Н. Д. Волкова, В. Н. Любов, А. В. Копач // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04091-1-04091-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_93 С помощью адаптированного для широкомасштабного производства метода импульсного катодного электроосаждения из водного раствора без использования поверхностно-активных модификаторов роста и последующих термообработок впервые получены пригодные для оптоэлектроники и нанофотоники одномерные наноструктурированные массивы оксида цинка (1D ZnO). Интенсивной фотолюминесценцией (ФЛ) в ультрафиолетовой (УФ) области подтверждены низкая плотность дефектов и высокое оптическое качество материала. Острый высокий пик УФ фотолюминесценции наноструктурированного массива ZnO, электроосажденного на кремниевую пластину, свидетельствует о его эффективной излучательной рекомбинации. УФ ФЛ объясняется выявленными для данных массивов 1D ZnO слабо выраженной кристаллической текстурой (0001), небольшими микронапряжениями и остаточными напряжениями сжатия. | |||
| 11. | 
Зайцев Р. В. Високоефективна система відбору потужності для фотоелектричної станції [Електронний ресурс] / Р. В. Зайцев, Е. І. Сокол, Г. С. Хрипунов, М. В. Кириченко, Д. С. Прокопенко // Відновлювана енергетика. - 2016. - № 3. - С. 31-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vien_2016_3_6 Проаналізовано роботу системи відбору потужності для фотоелектричної станції з використанням підвищувального перетворювача. Показано, що к.к.д. такої системи в широкому діапазоні освітленості фотоелектричного модуля знаходиться на рівні 92 %, тоді як ефективність класичних систем відбору потужності не перевищує 70 %. Розроблено принципову електричну схему регульованого мостового резонансного підвищуючого перетворювача з цифровим керуванням, що забезпечує надійність роботи, швидке і точне знаходження точки максимальної потужності та ефективність перетворення до 96 %. | |||
| 12. | 
Зайцева Л. В. Ємнісні перетворювачі на основі тонкоплівкової структури ITO/поліімід/Al2O3 [Електронний ресурс] / Л. В. Зайцева, Р. В. Зайцев, Б. М. Горкунов, Г. С. Хрипунов, І. В. Тюпа // Наукові нотатки. - 2015. - Вип. 51. - С. 66-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nn_2015_51_14 | |||
| 13. | 
Хрипунов Г. С. Оптимізація фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі CdTe [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, Б. Т. Бойко, Г. І. Копач, A. В. Меріуц, Д. А. Кудій, В. О. Новиков // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 237. - С. 80-85. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_237_18 | |||
| 14. | 
Клюй М. І. Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe [Електронний ресурс] / М. І. Клюй, В. П. Костильов, А. М. Лук’янов, А. В. Макаров, В. В. Черненко, Г. С. Хрипунов, Н. М. Харченко, А. В. Меріуц, Т. М. Шелест, Т. А. Лі, А. М. Клюй // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 5. - С. 538-545. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_5_10 Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених за допомогою методу термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша - відпал на повітрі. Після цього проведено обробку зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки (АПП). Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ITO/CdTe призводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких АПП одержано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ITO/CdTe. На структурах ITO/CdTe, одержаних термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню призводила до значного збільшення спектральної чутливості в діапазоні довжин хвиль 400 - 800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню і нанесення АПП. | |||
| 15. |
Сокол Є. І. Електрохімічний метод виготовлення базових шарів сонячних елементів на основі діселеніду міді та індію [Електронний ресурс] / Є. І. Сокол, Н. П. Клочко, Г. С. Хрипунов, В. Р. Копач, О. В. Момотенко, В. М. Любов, А. В. Копач, В. О. Нікітін, Н. Д. Волкова // Відновлювана енергетика. - 2012. - № 2. - С. 44-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vien_2012_2_11 Для створення економічного, перспективного для промислового виробництва методу виготовлення базових шарів високоефективних сонячних елементів на основі діселеніду міді та індію проведено порівняльний аналіз структури та морфології поверхні плівок міді, індію та селену, електроосаджених у стаціонарних режимах (без перемішування) та під час ультразвукового перемішування електролітів. Експериментально доведено можливість застосування економічно вигідного та прийнятного для широкомасштабного виробництва методу катодного електрохімічного осадження прекурсорів діселеніду міді та індію в ультразвуковому режимі перемішування електролітів для створення базових шарів сонячних елементів. | |||
| 16. | 
Хрипунов Г. С. Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощьностью [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, Б. Т. Бойко // Фізична інженерія поверхні. - 2004. - Т. 2, № 1-2. - С. 69-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2004_2_1-2_12 | |||
| 17. |
Харченко Н. М. Оптимизация технологии "хлоридной" обработки тонких пленок халькогенидов кадмия [Електронний ресурс] / Н. М. Харченко, Г. С. Хрипунов, Т. А. Ли // Фізична інженерія поверхні. - 2008. - Т. 6, № 3-4. - С. 128-133. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2008_6_3-4_3 | |||
| 18. |
Зайцев Р. В. Вплив робочої температури на ефективність промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва [Електронний ресурс] / Р. В. Зайцев, М. В. Кіріченко, Г. С. Хрипунов, Л. В. Зайцева // Відновлювана енергетика. - 2017. - № 3. - С. 35-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vien_2017_3_7 Досліджено вплив робочої температури на ефективність кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Показано, що, не дивлячись на високу вихідну ефективність, при підвищенні робочої температури в досліджуваних фотоелектричних перетворювачах спостерігається істотне зниження вихідних параметрів у порівнянні з промисловими аналогами європейського виробництва. При зростанні робочої температури був встановлений нехарактерний спад щільності струму короткого замикання. За допомогою метода комп'ютерного моделювання показано, що це обумовлено не лише традиційним зростанням щільності діодного струму насичення, а й зниженням шунтуючого опору. | |||
| 19. | 
Хрипунов Г. С. Історичні передумови та аналіз розвитку фотоелектрики у 50-х роках ХХ століття [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, А. Л. Хрипунова // Сумський історико-архівний журнал. - 2015. - № 24. - С. 75-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Siaj_2015_24_11 | |||
| 20. |
Хрипунов Г. С. Влияние термически активированных структурных превращений в пленках диоксида олова на их электрические свойства [Електронний ресурс] / Г. С. Хрипунов, А. В. Пирогов, В. А. Новиков // Фізична інженерія поверхні. - 2014. - Т. 12, № 3. - С. 329-337. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2014_12_3_4 | |||
| ||||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |