Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (9)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Korotchenkov O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Steblenko L. P. 
Influence of Polymer Coatings on the Carrier Life Time in Solar Silicon Crystals [Електронний ресурс] / L. P. Steblenko, A. O. Podolyan, O. O. Korotchenkov, L. M. Yashchenko, S. M. Naumenko, D. V. Kalinichenko, Yu. L. Kobzar, A. M. Kurylyuk, V. M. Kravchenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04002-1-04002-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_4
Изучено влияние полимерных покрытий на кинетику спада фото-ЭДС в кристаллах solar-Si в условиях магнитного и рентгеновского воздействий. Установленные особенности в поведении электрофизических параметров указывают на замедление спада фотоэдс при наличии на поверхности solar-Si полимерных покрытий. Эти особенности могут быть обусловлены влиянием полимерных покрытий на снижение концентрации рекомбинационных центров в кристаллах solar-Si.
Попередній перегляд:   Завантажити - 224.826 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Korotchenkov O. O. 
Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals [Електронний ресурс] / O. O. Korotchenkov, L. P. Steblenko, A. O. Podolyan, D. V. Kalinichenko, P. O. Tesel'ko, V. M. Kravchenko, N. V. Tkach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 72-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_12
The effect of static magnetic field (B = 0,17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elapsed after the magnetic treatment. The results have been discussed in terms of spin-dependent processes in the subsystem of structural defects.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.916 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Kuryliuk V. V. 
Strain Relaxation in Si/Ge Heterostructures with Quantum Dots [Електронний ресурс] / V. V. Kuryliuk, O. A. Korotchenkov, A. B. Nadtochiy // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 213-217. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_36
Попередній перегляд:   Завантажити - 221.276 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Makara V. A. 
Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage [Електронний ресурс] / V. A. Makara, L. P. Steblenko, O. A. Korotchenkov, A. B. Nadtochiy, D. V. Kalinichenko, A. M. Kuryliuk, Yu. L. Kobzar, O. M. Krit // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 2. - С. 189-193. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_2_6
Исследовано влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.
Попередній перегляд:   Завантажити - 282.398 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Zakirov M. 
Luminescence of ZnO powders grown in ultrasonic fields [Електронний ресурс] / M. Zakirov, K. Svezhentsova, O. Korotchenkov // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2015. - Вип. 3. - С. 183-188. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2015_3_32
Нанорозмірні порошки оксиду цинку синтезовано за допомогою гідротермального та сонохімічного методів, використовуючи реакцію ацетату цинку та гідрооксиду натрію в середовищі ізопропілового спирту. Досліджено зміну інтегральної інтенсивності фотолюмінесценції (ФЛ) та напівширини піку у видимому діапазоні, як функції від часу проведення синтезу. Відмічено покращання люмінесцентних властивостей ZnO, одержаного з застосуванням сонохімічного методу у порівнянні із гідротермальним синтезом, за малих тривалостей реакції. Відмічено різний характер зміни напівширини піку ФЛ для різних методів синтезу. Під час сонохімічного синтезу спостерігається об'єднання окремих наночасток у мікроскопічні агломерати.
Попередній перегляд:   Завантажити - 723.447 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Shmid V. 
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers [Електронний ресурс] / V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov, B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov, O. Kosulya // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 5. - С. 415-424. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_5_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 929.369 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Shmid V. 
Photovoltaic Characterization of Si and SiGe Surfaces Sonochemically Treated in Dichloromethane [Електронний ресурс] / V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, D. Yazykov, M. Semen'ko, O. Korotchenkov // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 1. - С. 01023-1-01023-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_1_25
Процеси рекомбінації та захоплення електронів і дірок через поверхневі центри рекомбінації та захоплення суттєво впливають на ефективність різних фотоелектричних пристроїв. Через це у процесі виробництва таких пристроїв значну увагу приділяють пасивації поверхонь. Різні аспекти пасивації поверхні Si та SiGe достатньо широко розглянуто в літературі. Зокрема, показано, що сонохімічна обробка поверхні, наприклад, в хлороформі (CHCl3), може значно покращити фотоелектричний відгук. У даній роботі показано, що й інший карбонмісткий реакційноздатний поверхневий травник, дихлорметан (CH2Cl2), використаний у сонохімічному реакторі, може ефективно впливати на величину поверхневої фотоерс в зразках Si та SiGe. Дослідження рентгенівської дифракції показали, що шар сплаву Si - Ge утворює тверді розчини Si в Ge (що містить приблизно 59 ат. % Si) та Ge в Si (наближено 90 ат. % Si). У монокристалічному Si одержано збільшення на порядок величини сигналу фотоерс із трохи затягнутою кривою її релаксації. В SiGe це збільшення фотовідгуку складає біля 50 %. На відміну від Si, сонохімічна обробка поверхні SiGe призводить до прискорення короткочасної компоненти й уповільнення довготривалої складової сигналу поверхневої фотоерс, що описується подвійною експоненціально спадаючою функцією. Оскільки дихлорметан виступає як джерело вуглецю, можна припустити, що звільнений під час сонохімічної обробки вуглець ефективно пасивує вільні кремнієві зв'язки. Зазначено, що сонохімічна обробка має потенціал використання для пасивації поверхонь у виробництві сонячних батарей на основі Si та SiGe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 368.445 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського