Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (25) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Makara V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||
| 1. | 
Totsky I. M. Effect of neutron irradiation on non-equilibrium HfB2-B4C composites [Електронний ресурс] / I. M. Totsky, V. V. Shynkarenko, O. Yu. Popov, V. A. Makara // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 162-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_13 We studied the effect of neutron irradiation on composite material HfC - HfB | ||
| 2. |
Neimash V. B. Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, P. Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 331-335. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_5 The influence of tin impurity on amorphous silicon crystallization was investigated using the methods of Raman scattering, Auger spectroscopy at ion etching, scanning electron microscopy and X-ray fluorescence microanalysis in thin films of Si:Sn alloy manufactured by thermal evaporation. Formation of Si crystals of the 2 to 4-nm size has been found in the amorphous matrix alloy formed at the temperature <$E 300~symbol Р roman C>. Total volume of nanocrystals correlates with the content of tin and can comprise as much as 80 % of the film. The effect of tin-induced crystallization of amorphous silicon occurred only if there are clusters of metallic tin in the amorphous matrix. The mechanism of tin-induced crystallization of silicon that has been proposed takes into account the processes in eutectic layer at the interface metal tin - amorphous silicon. | ||
| 3. |
Totsky I. N. Effect of 1. 9-MeV electron irradiation on characteristics of reactively-pressed TiB2-TiС ceramic composites [Електронний ресурс] / I. N. Totsky, A. Yu. Popov, V. A. Makara // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 382-386. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_14 | ||
| 4. | 
Makara V. A. Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage [Електронний ресурс] / V. A. Makara, L. P. Steblenko, O. A. Korotchenkov, A. B. Nadtochiy, D. V. Kalinichenko, A. M. Kuryliuk, Yu. L. Kobzar, O. M. Krit // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 2. - С. 189-193. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_2_6 Исследовано влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер. | ||
| 5. | 
Rudenko R. M. Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin [Електронний ресурс] / R. M. Rudenko, V. V. Voitovych, M. M. Kras’ko, A. G. Kolosyuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Makara // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 8. - С. 769-772. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_8_11 Досліджено вплив ізохронного відпалу в діапазоні 350 - 1100 градусів за Цельсієм на структурні властивості та край власного поглинання тонких плівок кремнію, легованих оловом (a | ||
| 6. |
Neimash V. B. Microstructure of thin Si−Sn composite films [Електронний ресурс] / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, A. M. Kabaldin, V. O. Yukhymchuk, P. E. Shepelyavyi, V. A. Makara, S. Yu. Larkin // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 9. - С. 865-871. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_9_11 | ||
| 7. | 
Marynchenko L. V. Prospects of Using Biological Test-Systems for Evaluation of Effects of Electromagnetic Fields [Електронний ресурс] / L. V. Marynchenko, O. I. Nizhelska, A. S. Shirinyan, V. A. Makara // Innovative biosystems & bioengineering. - 2019. - Vol. 3, no. 2. - С. 114-124. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ibb_2019_3_2_9 | ||
| 8. | 
Shevchenko V. B. Effect of Nucleic Acids on Oxidation and Photoluminescence of Porous Silicon [Електронний ресурс] / V. B. Shevchenko, O. I. Datsenko, V. M. Kravchenko, V. A. Makara, V. V. Prorok // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03005-1-03005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_7 Здійснено модифікацію поверхні поруватого кремнію водними розчинами нуклеїнових кислот (НК) та вивчено вплив такої модифікації на інтенсивність його фотолюмінесценції. Показано, що обробка поруватого кремнію водними розчинами НК призводить до зростання інтенсивності його фотолюмінесценції, причому для ДНК зміни є більшими, ніж для РНК (гомополімер полі(А)). За допомогою інфрачервоної спектроскопії було виявлено, що за присутності НК на поверхні кремнію формується значно більша кількість зв'язків Si-O, ніж в дистильованій воді. Встановлено, що концентрація молекулярного кисню в розчині ДНК слабо впливає на фотолюмінесценцію поруватого кремнію, в той час як опромінення оброблених розчинами ДНК зразків поруватого кремнію видимим світлом сприяє зростанню інтенсивності його фотолюмінесценції. Стимульований НК ефект зростання фотолюмінесценції поруватого кремнію пояснюється потоншенням кремнієвого скелету, в результаті чого згідно з квантово-розмірною моделлю його фотолюмінесценції, ймовірність випромінювальних переходів зростає. Причиною цього може бути підсилення процесів розчинення і, особливо, окиснення кремнію у водному розчині НК. Запропоновано два шляхи впливу НК на зазначені процеси. По-перше, підсилення корозії поруватого кремнію поліаніонами, якими є НК у водному розчині. По-друге, підвищена концентрація активних форм кисню в водних розчинах НК, генерація яких відбувається під впливом видимого світла. Останнє вважається основною причиною окиснення поруватого кремнію. Наведені результати роботи можуть бути корисними для створення біосенсорів на основі поруватого кремнію. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |