Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (12)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Oberemok O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8
1.

Oberemok O. S. 
Oxygen Behavior Around Heavily Doped Ultra-Shallow Junction in Si [Електронний ресурс] / O. S. Oberemok, O. Yo. Gudymenko, V. G. Lytovchenko, V. P. Melnyuk // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03PCSI13-03PCSI13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_58
Попередній перегляд:   Завантажити - 225.846 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Oberemok O. S. 
Mechanism of Oxygen Redistribution During Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon [Електронний ресурс] / O. S. Oberemok, D. V. Gamov, V. G. Litovchenko, B. M. Romanyuk, V. P. Melnik, V. P. Klad’ko, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01PCSI14-01PCSI14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_57
Попередній перегляд:   Завантажити - 218.202 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Oberemok O. S. 
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers [Електронний ресурс] / O. S. Oberemok, V. G. Litovchenko, D. V. Gamov, V. G. Popov, V. P. Melnik, O. Yo. Gudymenko, V. A. Nikirin, І. M. Khatsevich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 269-272. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_4
The peculiarities of buried layer formation obtained by co-implantation of O2 ions with the energy of 130 keV and carbon ions within the energy range of 30 - 50 keV have been investigated. The corresponding ion doses for carbon and oxygen ions were equal to <$E 2~times~10 sup 16> and <$E 1,8~times~10 sup 17~roman cm sup -2>, respectively. It has been observed that annealing at 1150 <$E symbol Р>C results in enhanced oxygen diffusion towards the region with a maximum carbon concentration. Analysis of X-ray diffraction patterns with a SIMS depth profiles inherent to annealed samples suggests formation of Si nanoclusters in the region with maximum concentrations of carbon and oxygen vacancies. The intensive luminescence has been observed with the maximum at 600 nm, which could be associated with silicon nano-inclusions in thin stoichiometric SiO2 layer.
Попередній перегляд:   Завантажити - 320.615 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Trunov M. L. 
Light-induced transport in amorphous chalcogenides/gold nanoparticles composites [Електронний ресурс] / M. L. Trunov, P. M. Lytvyn, P. M. Nagy, O. S. Oberemok, M. O. Durcot, A. A. Tarnai, I. V. Prokopenko, V. M. Rubish // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 351-361. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.17 Mb    Зміст випуску     Цитування
5.

Gamov D. V. 
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions [Електронний ресурс] / D. V. Gamov, O. I. Gudymenko, V. P. Kladko, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. O. Polishchuk, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Naseka // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 9. - С. 881-887. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_9_13
Проведено порівняльні дослідження процесів дефектоутворення та зміни часу життя не основних нерівноважних носіїв заряду в кремнії у процесі гетерування домішки заліза комбінованим гетером "шар поруватого кремнію + плівка алюмінію". Показано, що в процесі відпалу зразків без гетерного шару в імплантованій області формуються силіцид заліза та дефекти вакансійного типу, внаслідок чого спостерігається сильне зниження часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду. Проведено дослідження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення та перерозподілу атомів заліза, імплантованих в кремній, у випадку їх високих концентрацій в приповерхневій області. Показано, що наявність гетерного шару зменшує ефективність силіцидоутворення в імплантованій області та збільшує концентрацію міжвузлових дефектів у кремнії. Запропоновано фізичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрації атомів заліза в імплантованій області за рахунок гетерування і зменшення концентрації вакансійних дефектів, а також одночасне зростання концентрації дефектів міжвузлового типу, які пов'язані з формуванням комплексів заліза з атомами бору. Саме ці комплекси є рекомбінаційно-активними і не дають можливість відновити час життя носіїв заряду до вихідного значення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 822.742 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Efremov A. A. 
Dopant depth profile modification during mass Spectrometric analysis of multilayer nanostructures [Електронний ресурс] / A. A. Efremov, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, B. M. Romanyuk // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 6. - С. 511-520. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_6_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.136 Mb    Зміст випуску     Цитування
7.

Sabov T. M. 
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient [Електронний ресурс] / T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 153-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_3
A new method to prepare vanadium oxide with a high temperature coefficient of resistance (TCR) and low resistance for uncooled micro-bolometers has been proposed. Amorphous vanadium oxide films with V2O3 phase inclusions have been fabricated on silicon and silica substrates at the temperature <$E200~symbol Р roman C> by using the direct current reactive magnetron sputtering method in controlled Ar/O2 atmosphere. Additional oxygen ion implantation in the deposited films allows to synthesize vanadium oxide with crystalline inclusions of VO2 and V2O5 phases under the low temperature annealing. The following long low-temperature annealing provides formation of VOx (at <$Ex~symbol О~2>) film with the TCR close to <$E7,0~% "/" ~symbol Р roman C>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 379.631 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Klimovskaya A. I. 
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology [Електронний ресурс] / A. I. Klimovskaya, Yu. Yu. Kalashnyk, A. T. Voroshchenko, O. S. Oberemok, Yu. M. Pedchenko, P. M. Lytvyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 282-287. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_12
In spite of the fact that, a great deal of experimental research has been published, there is a lack of good understanding of silicon nanowires growth to exert control over important properties of the system, though it presents the simplest system like gold on silicon substrate. In the current research, to find the best conditions to grow silicon nanowires with prespecifted properties, we studied various technological regimes both of growth-seed formation and conditions of silicon nanowires growth.
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.212 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського