 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Pinchuk-Rugal T$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| 1. |
Pinchuk-Rugal T. M.
Radiation-induced damages in multi-walled carbon nanotubes at electron irradiation [Електронний ресурс] / T. M. Pinchuk-Rugal, O. P. Dmytrenko, M. P. Kulish, L. A. Bulavin, O. S. Nychyporenko, Yu. E. Grabovskyi, M. A. Zabolotnyi, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, V. V. Shlapatska, V. M. Tkach // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 11. - С. 1150-1154. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_11_11
| | 2. |
Onanko A. P.
Features of Inelastic and Elastic Characteristics of Si and SiO2/Si Structures [Електронний ресурс] / A. P. Onanko, V. V. Kuryliuk, Y. A. Onanko, A. M. Kuryliuk, D. V. Charnyi, O. P. Dmytrenko, M. P. Kulish, T. M. Pinchuk-Rugal // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 5. - С. 05017-1-05017-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_5_19
Вимірювання температурних залежностей внутрішнього тертя (ВТ) проводилося на ідентичних, що пройшли один і той же технологічний маршрут, підкладках Si p-типу, орієнтації (100), легованого бором B, з питомим електроопором <$Erho~symbol Ы~7,5> Ом-см, товщиною <$Eh~symbol Ы~4,7~cdot~10 sup 5> нм після нанесення на них шару SiO2 товщиною <$Eh~symbol Ы~600> в результаті високотемпературного окиснення в сухому O2 за <$ET sub 0 ~symbol Ы~1300> К. У процесі вимірювань було встановлено, що відпал структурних дефектів Si змінює форму температурного спектра ВТ. Піки ВТQ-1М, що утворюються точковими дефектами, можна було спостерігати за умови, коли підкладка Si нагрівалася зі швидкістю <$EV~=~DELTA T "/" DELTA t~symbol Г~0,1> К/с. Після рентгенівського опромінення дозою <$Egamma~symbol Ы~10 sup 4> Р максимум ВТ за <$ET sub M1 ~symbol Ы~320> К різко зростає; його висота <$EQ sub M1 sup -1> збільшується майже утричі за зменшення вдвічі ширини <$EQ sub M1 sup -1>, що свідчить про проходження процесу релаксації одного типу радіаційних дефектів. Для піка ВТ в підкладці Si при <$ET sub M1 ~symbol Ы~320> було одержано значення енергії активації <$EH sub 1 ~symbol Ы~0,63> eВ. Близькість одержаного значення енергії активації H1 за <$ET sub M1 ~symbol Ы~320> К до енергії міграції для додатно заряджених міжвузлових атомів <$Eroman Si sub i sup *> <$EH sub 0 ~symbol Ы~0,85> eВ надає змогу припустити релаксаційний механізм, що зумовлений переорієнтацією міжвузлових атомів <$Eroman Si sub i>. При електронному опроміненні в результаті зіткнення електронів з атомами Si відбувається утворення дефектів по Френкелю. Оцінки показують, що енергія електронів <$EW~symbol Ы~1>, яка відповідає експерименту, достатня для зміщення атомів Si із своїх рівноважних положень. Після опромінення дозою <$Egamma~symbol Ы~10 sup 5> P висота максимуму <$EQ sub M1 sup -1> при <$ET sub M1 ~symbol Ы~320> К у порівнянні зі спектром ВТ до опромінення суттєво не змінилася, що свідчить про особливий вплив дози <$Egamma~symbol Ы~10 sup 5> P.
| | 3. |
Onanko A. P.
Mechanical Spectroscopy and Internal Friction in SiO2/Si [Електронний ресурс] / A. P. Onanko, V. V. Kuryliuk, Y. A. Onanko, A. M. Kuryliuk, D. V. Charnyi, O. P. Dmytrenko, M. P. Kulish, T. M. Pinchuk-Rugal, A. A. Kuzmych // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 6. - С. 06029-1-06029-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_6_31
Розроблено методику, сконструйовано та виготовлено установку для збудження та реєстрації затухаючих згинних резонансних коливань в SiO2/Si дископодібних підкладках товщиною <$Eh~=~300~-~500~cdot~10 sup 3> нм та діаметром <$ED~=~60~-~100~cdot 10 sup 6> нм з метою вимірювання структурно-чутливого внутрішнього тертя (ВТ) Q<^>-1. Розроблена методика неруйнуючого контролю інтегральної густини структурних дефектів nд та глибини порушеного шару hпш та глибини порушеного шару ВТ <$EQ sub 0 sup -1> на гармонійних частотах на гармонійних частотах <$Esymbol Ж sub 0>, <$Esymbol Ж sub 2> надала змогу експериментально визначити вузлові лінії дисків, що коливаються. Це надало можливість вносити поправки до теоретичних розрахунків знаходження цих вузлових ліній з урахуванням лінійних розмірів дисків та способу їх кріплення. Досліджено температурний спектр ВТ Q<^>-1(T) в SiO2/Si дископодібних підкладках після їх рентгенівського та електронного опромінення. У процесі вимірювань було встановлено, що відпал структурних дефектів Si змінює форму температурного спектра ВТ Q<^>-1(T). Піки ВТ Q<^>-1(T) М, що утворюються точковими дефектами, можна було спостерігати за умови, коли підкладка Si нагрівалася зі швидкістю <$EV~=~DELTA T "/" DELTA t~symbol Г~0,1> K/с. Це надало змогу визначити енергію активації H переорієнтації анізотропних комплексів радіаційних дефектів. Встановлення стабільності параметрів фону ВТ <$EQ sub 0 sup -1> надає можливість визначити радіаційну стійкість напівпровідникових підкладок та виробів на їх основі. Запропонована методика може використовуватись як неруйнуючий метод контролю дефектності кристалічної структури напівпровідникових підкладок, що застосовуються для потреб мікроелектроніки.
|
|
|
Простий
Розширений
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
Пам`ятка користувача