Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (11)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Steblenko L$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Steblenko L. P. 
Influence of Polymer Coatings on the Carrier Life Time in Solar Silicon Crystals [Електронний ресурс] / L. P. Steblenko, A. O. Podolyan, O. O. Korotchenkov, L. M. Yashchenko, S. M. Naumenko, D. V. Kalinichenko, Yu. L. Kobzar, A. M. Kurylyuk, V. M. Kravchenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04002-1-04002-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_4
Изучено влияние полимерных покрытий на кинетику спада фото-ЭДС в кристаллах solar-Si в условиях магнитного и рентгеновского воздействий. Установленные особенности в поведении электрофизических параметров указывают на замедление спада фотоэдс при наличии на поверхности solar-Si полимерных покрытий. Эти особенности могут быть обусловлены влиянием полимерных покрытий на снижение концентрации рекомбинационных центров в кристаллах solar-Si.
Попередній перегляд:   Завантажити - 224.826 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Trachevsky V. V. 
Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field [Електронний ресурс] / V. V. Trachevsky, L. P. Steblenko, P. Y. Demchenko, O. V. Koplak, A. M. Kuryliuk, A. K. Melnik // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 87-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_19
In this work, the influence of weak magnetic field on structure-dependent properties of micro-structured Si was determined. The researches of EPR-spectra inherent to micro-structured Si showed the presence of the spectral line at H ~ 3500 Oe that appears from centers with the g-factor g ~ 2,0010 (pB-centers). Intensity of the determined spectral line decreases twice after magnetic processing. The observed redox processes and evolution of defect structure are interpreted as the influence of magnetic field on micro-structured Si. Calculations made using the data of X-ray diffractometric researches showed an essential decrease of internal strains and respective increase of the lattice parameter in micro-structured Si samples after magnetic processing in the weak magnetic field.
Попередній перегляд:   Завантажити - 239.5 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Steblenko L. P. 
Changes in nanostructure and micro-plastic properties of silicon crystals under action of magnetic fields [Електронний ресурс] / L. P. Steblenko, A. N. Kurylyuk, O. V. Koplak, O. N. Krit, V. N. Tkach, S. N. Naumenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 389-392. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_14
Experimental data obtained in this work are indicative of the fact that magnetic field stimulates processes of structural relaxation in silicon. Using the secondary-ion mass-spectrometry method, we found that the concentration of alkali metals (K, Na, Ca) in the subsurface layer is essentially (4 to 5 times) increased after magnetic impact. The carbon concentration is increased, too, while the concentration of oxygen (dominant impurity in silicon) is changed in various ways. Non-homogeneous distribution of impurities results in non-uniformity of heights for nano-objects that are formed from them, which leads to non-uniformity in micro-relief and causes a respective increase of the roughness parameter. The changes in impurity composition of silicon crystals, which are caused by the magnetic influence, correlate with changes in silicon micro-plastic characteristics. In this work, we found a positive magneto-plastic effect. Most probable, the reason for braking the dislocation motion in silicon crystals after magnetic treatment is diffusion of impurities along dislocation lines, which is enhanced by magnetic field. Coagulants of diffusing.
Попередній перегляд:   Завантажити - 317.651 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Steblenko L. P. 
Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO2 structure [Електронний ресурс] / L. P. Steblenko, O. V. Koplak, I. I. Syvorotka, V. S. Kravchenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 334-338. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_15
Impurity states in Si/SiO2 structure have been studied using cathodoluminescence (CL). It has been found that intrinsic structure defects in Si/SiO2 are sensitive to the action of magnetic field, which can be revealed due to changes in Si/SiO2 optical properties. The most sensitive to magnetic field (about 35 per cent) is the intensity of the 1,9 eV CL band attributed to non-bridge oxygen atoms.
Попередній перегляд:   Завантажити - 207.909 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Korotchenkov O. O. 
Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals [Електронний ресурс] / O. O. Korotchenkov, L. P. Steblenko, A. O. Podolyan, D. V. Kalinichenko, P. O. Tesel'ko, V. M. Kravchenko, N. V. Tkach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 72-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_12
The effect of static magnetic field (B = 0,17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elapsed after the magnetic treatment. The results have been discussed in terms of spin-dependent processes in the subsystem of structural defects.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.916 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Makara V. A. 
Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage [Електронний ресурс] / V. A. Makara, L. P. Steblenko, O. A. Korotchenkov, A. B. Nadtochiy, D. V. Kalinichenko, A. M. Kuryliuk, Yu. L. Kobzar, O. M. Krit // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 2. - С. 189-193. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_2_6
Исследовано влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.
Попередній перегляд:   Завантажити - 282.398 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського