Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (4)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Vinoslavskii M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Vinoslavskii M. M. 
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells [Електронний ресурс] / M. M. Vinoslavskii, P. A. Belevskii, V. M. Poroshin, O. S. Pilipchuk, V. O. Kochelap // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 256-262. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_8
The lateral bipolar electric transport has been investigated for multi-period n-In0,08Ga0,92As/GaAs heterostructures with tunnel-coupled double-quantum wells for various carrier mobilities at temperatures 4,2 - 160 K. The presence of two types of charge carriers - electrons and holes - is identified by observation of interband electroluminescence (EL). We found that the current-vollage characteristic has a complex nonlinear shape and changes with current, which is accompanied by modification of the EL intensity and spectrum. We observed oscillations of the current and EL intensity with the frequency of tens MHz, both arise at the electric fields well below the threshold field of the Gunn instability. Oscillations of the EL intensity occur in the opposite phase to the current. The electric and EL measurements have shown that the minority carriers, the holes, are supplied from the anode side of the sample. Spatial separation of electrons and holes in the double-quantum well structures provides abnormally large both electron-hole recombination time and drift length of the holes. Studied behavior of the current and EL can be interpreted as a combined effect of the spatial separation of the electrons and holes and dynamics of their transfer between undoped and doped quantum wells. We suggest that observed real-space transfer effects in high-field bipolar electric transport and, particularly, highly intensive interband electroluminescence from macroscopically large areas may be used in a number of optoelectronic applications.
Попередній перегляд:   Завантажити - 344.072 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського