Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Реферативна база даних (11)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Дяденчук А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
1.

Дяденчук А. Ф. 
Получение пористого ZnSe методом электрохимического травления [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кидалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03033-1-03033-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__9
Описаны особенности получения пористого слоя на поверхности монокристаллического селенида цинка n-типа. Исследована структура поверхности, представлены микрофотографии пористых слоев обработанного кристалла ZnSe. Рассмотрен процесса образования мозаичной структуры в зависимости от времени травления. Рассчитано значение потенциала плоских зон, в применении к использованному электролиту.
Попередній перегляд:   Завантажити - 446.016 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Дяденчук А. Ф. 
Низькорозмірні структури GaN [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04043-1-04043-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_45
Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs, одержані за методом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з подальшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. Під час осадження на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфологію поверхні за допомогою методу скануючої електронної спектроскопії.
Попередній перегляд:   Завантажити - 250.765 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Дяденчук А. Ф. 
Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кидалов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01021-1-01021-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 324.489 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Кидалов В. В. 
Нанотрубки оксида индия полученные методом радикало-лучевой эпитаксии [Електронний ресурс] / В. В. Кидалов, А. Ф. Дяденчук // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03026-1-03026-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 272.06 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Дяденчук А. Ф. 
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - Т. 9, № 1. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2018_9_1_6
Одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.866 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Дяденчук А. Ф. 
Нанотрубки оксиду цинку, отримані методом радикало-променевої епітаксії на поруватій поверхні селеніду цинку [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія : Технічні науки. - 2018. - Т. 29(68), № 1(3). - С. 214-218. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2018_29_1(3)__40
Попередній перегляд:   Завантажити - 382.353 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Дяденчук А. Ф. 
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кидалов // Фізична інженерія поверхні. - 2014. - Т. 12, № 4. - С. 484-486. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2014_12_4_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 119.354 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Знак З. О. 
Модифікування термічно активованого природного клиноптилоліту йонами аргентуму [Електронний ресурс] / З. О. Знак, А. С. Грабаровська, О. І. Зінь, А. В. Дяденчук // Вісник Черкаського державного технологічного університету. Серія : Технічні науки. - 2019. - № 4. - С. 79-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchdtu_2019_4_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 635.274 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Дяденчук А. Ф. 
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, В. В. Кідалов // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2020. - Т. 11, № 3. - С. 405-410. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2020_11_3_12
Методом золь-гель із наступним центрифугуванням одержано плівки ZnO:Al на поруватих підкладинках Si (1 1 1). Розглянуто вплив температури відпалу та кількості нанесення і сушіння шарів золю на шорсткість поверхні, структурну стійкість плівки ZnO:Al, усадку й ущільнення плівки, фізичну стабільність і відшаровування. Розмір пор підкладинки становить 500 нм. Глибина поруватого шару 6 мкм. Прекурсор містить 0,3 М ацетат цинку Zn(CH3COO)2 - 12H2O, абсолютний ізопропіловий спирт, диметилформамід, 2-метоксіетанол та AlCl3 - 6H2O. Суміш поміщається в ультразвукову ванну. Процес перемішування триває 30 хв. Одержаний розчин витримується 52 год за 22 +- 2 <^>oC. Золь наноситься за допомогою відпалу (3000 об/хв, 30 с). Далі процес відпалу проводиться з кроком 10 хв і температурним інтервалом 20 <^>oC. Температура обробки досягає 350 <^>oC. Потім зразки охолоджуються до кімнатної температури. Процес нанесення та сушіння повторюється до одержання необхідної товщини. На останньому етапі діапазон температур становить 20 <^>oC; кінцева температура відпалу доводиться до 500 і 550 <^>oC. Морфологію поверхні та поперечного перерізу одержаної структури охарактеризовано за допомогою сканувальної електронної мікроскопії. Хімічний склад поверхні вивчено за допомогою рентгеноспектрального мікроаналізу. Фазовий аналіз визначено за допомогою рентгенівської установки ДРОН-3М. Встановлено, що за багаторазового нанесення шарів золю (8 і більше) відбувається заліковування тріщин у нижніх шарах отриманих покриттів. Доведено, що за температури відпалу 550 <^>oC поверхня плівки є гладенькою, однорідною, менш шорсткою та має більшу адгезію до кремнієвої підкладинки. Одержані в результаті плівки ZnO:Al мають товщину ~ 1 мкм. Плівки мають шестигранну будову вюрциту. EDAX-спектри демонструють стехіометричний склад поверхні гетероструктури ZnO:Al/porous-Si/Si.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.539 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Дяденчук А. Ф. 
Шляхи реалізації прикладної та практичної спрямованості навчання в загальному курсі фізики [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук // Креативний простір. - 2021. - № 1. - С. 27-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/krpr_2021_1_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 601.663 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Дяденчук А. Ф. 
Розвиток екологічної культури здобувачів вищої освіти в процесі вивчення природничих дисциплін [Електронний ресурс] / А. Ф. Дяденчук, Н. С. Пшенична, А. В. Бурлаков // Креативний простір. - 2022. - № 8. - С. 3-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/krpr_2022_8_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 969.235 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського