Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Мазунов Д$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Горох Г. Г. Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si [Електронний ресурс] / Г. Г. Горох, Д. В. Соловей, В. А. Лабунов, В. И. Осинский, Д. О. Мазунов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 4. - С. 913-923. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_4_21 Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок анодного оксида алюминия (АОА) с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах АОА характеризуются кристаллографической неполярной <$E alpha>-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные характеристики.
|
|
|